【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种由MOSFET构成的压控可变电阻,其特征在于由一个可调电压值的模拟存储电路并接在MOSFET的栅极G和源极S之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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