【技术实现步骤摘要】
一种用于检测硅片的缺陷的方法
[0001]本专利技术涉及半导体硅片制造领域，尤其涉及一种用于检测硅片的缺陷的方法。
技术介绍
[0002]在硅片的生产过程中，通常包括切片、研磨、抛光等多种机械表面处理工序，这些处理工序不可避免地会对硅片表面产生损伤从而在硅片的表面/亚表面中引入裂纹、划痕和位错等缺陷，影响最终获得的半导体产品的性能，进而影响器件的寿命与成品率。
[0003]上述处理工序产生的缺陷首先会形成处于硅片的表面并且会沿着硅片的厚度方向向硅片内部延伸。
[0004]确定出每个处理工序中产生的硅片缺陷的深度是重要的，因为可以依据硅片缺陷的深度来确定出下一处理工序中需要去除的硅片表面层的厚度以将硅片中的缺陷去除。
[0005]目前对硅片缺陷深度进行检测时通常釆用角度抛光法，在该方法中，需要角度抛光出硅片试样的厚度方向上的斜面，以使试样中的缺陷暴露以便进行检测。但在该方法中，需要对硅片进行破坏，而且只能检测到试样的局部的缺陷深度；在对试样进行角度抛光的过程中可能引入新的缺陷，由此增加了检测结果的误差；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于检测硅片的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：S101：利用X射线形貌仪对所述硅片的整个主表面进行单次第一检测，以获取所述主表面的整体缺陷信息；S102：根据所述整体缺陷信息确定出形成在所述硅片中的所述缺陷在所述主表面中的分布位置；S103：利用所述X射线形貌仪在所述主表面中的所述分布位置处对所述硅片中沿着硅片厚度方向平行地排列的多个不同层进行相应的多次第二检测，以获得所述缺陷在所述多个不同层中的相应的多个二维形状；S104：对所述多个二维形状进行拟合获得所述缺陷的三维形状。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一检测之前利用氢氟酸对所述硅片进行清洗以去除所述硅片的表面的硅氧化物层。3...
【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，徐鹏，衡鹏，张婉婉，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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