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本发明实施例公开了一种用于检测硅片的缺陷的方法，所述方法包括：S101：利用X射线形貌仪对所述硅片的整个主表面进行单次第一检测，以获取所述主表面的整体缺陷信息；S102：根据所述整体缺陷信息确定出形成在所述硅片中的所述缺陷在所述主表面中的分...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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