结构体、结构体的制造方法、热交换机用构件及热交换器技术

提供拒水性和滑水性这两者优异的结构体。具体而言为一种结构体，其在基材上具有滑落拒水层，前述滑落拒水层包含：具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质。含氟化合物和含硅物质。含氟化合物和含硅物质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结构体、结构体的制造方法、热交换机用构件及热交换器


[0001]本专利技术涉及结构体、结构体的制造方法、热交换机用构件及热交换器。

技术介绍

[0002]空调机、冷却机(冷藏机、冷冻机)、电动汽车等中使用热交换器。对于该热交换器，为了以小的空间有效地进行热交换，使用热导率高的构件，采用尽可能增大每单位容积的表面积的结构。因此，热交换器中通常使用以窄的间隔将热导率高、轻量且加工性优异的铝制板并列设置而成的散热片。
[0003]具备上述的热交换器的机器的运转中，散热片表面的温度为露点以下时，有时在散热片表面附着结露的水滴(结露水)。特别是具备热交换器的机器为空调机的室外机且在暖气运转时的情况下，由于大气温度低，因此散热片表面的结露水冻结，冻结而成的冰成为核而产生霜。通风阻力因散热片表面的霜而增大，从而有热交换器的热交换效率显著降低的问题。
[0004]作为抑制散热片表面的结露水及霜的方法，有在散热片表面形成亲水性涂膜的方法。通过将散热片设为亲水性，从而附着于散热片的结露水在散热片表面均匀地扩散，能够通过散热片的润滑性使结露水落下。但是，即使在使散热片为亲水性的情况下，也无法防止结露水的附着本身。
[0005]作为其他抑制散热片表面的结露水及霜的方法，有在散热片表面形成拒水性涂膜的方法。可以通过将散热片设为拒水性来将散热片表面的结露水弹落。但是，散热片表面的拒水性与散热片表面的滑水性未必相关，即使为拒水性的散热片，散热片的滑水性也会不足，因此有时无法将结露水充分去除。
[0006]也正在研究在散热片表面本身形成凹凸形状、或使拒水性微粒附着于散热片表面从而制成凹凸形状的方法(专利文献1
‑
3)，但结露水及霜的去除不充分。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2013
‑
147573号公报
[0010]专利文献2：日本特开2013
‑
36733号公报
[0011]专利文献3：日本特开2013
‑
103414号公报

技术实现思路

[0012]专利技术要解决的问题
[0013]本专利技术要解决的问题在于，提供拒水性和滑水性这两者优异的结构体。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现，基材上的包含具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质的层能够显示拒水性和滑水性这两者，从而完成了本专利技术。
[0016]本专利技术人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现，基材上的包含含氟化合物和含硅物质、且纳米级的纤维状的含硅物质以草皮状覆盖基材表面而成的层或纳米级的网络结构的含硅物质覆盖基材表面而成的层能够显示拒水性和滑水性这两者，从而完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术涉及一种结构体，其在基材上具有滑落拒水层，前述滑落拒水层包含：具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质。
[0018]即，本专利技术涉及一种结构体，其为在基材上具有滑落拒水层的结构体，前述滑落拒水层包含含氟化合物和含硅物质，且为纳米级的纤维状的含硅物质以草皮状覆盖基材表面而成的层或纳米级的网络结构的含硅物质覆盖基材表面而成的层。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本专利技术，能够提供拒水性和滑水性这两者优异的结构体。
附图说明
[0021]图1为实施例1中制造的具备被含硅物质覆盖的聚乙烯亚胺聚合物的层的铝平板的SEM照片。
[0022]图2实施例1中制造的具备被含硅物质覆盖的聚乙烯亚胺聚合物的层的铝平板的SEM照片。
[0023]图3为示出使用本专利技术的结构体的热交换器的一实施方式的概略图。
具体实施方式
[0024]以下，对本专利技术的一实施方式进行说明。本专利技术不限定于以下的实施方式，可以在不损害本专利技术效果的范围内加以适宜变更来实施。
[0025]<结构体>
[0026]本专利技术的结构体为包含基材和滑落拒水层的层叠体，在基材上具有滑落拒水层，滑落拒水层包含：具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质。
[0027]本专利技术的结构体中，包含具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质的层能够对水同时显示高的拒水性和高的滑水性这两者。
[0028]以下，对本专利技术的结构体的各要素进行说明。
[0029][基材][0030]本专利技术的结构体的基材没有特别限定，例如可以使用包含金属的基材(金属基材)、包含树脂的基材(树脂基材)等。
[0031]作为构成前述金属基材的金属，可列举出铁、铜、铝、不锈钢、锌、银、金、铂、或它们的合金等。这些之中，优选铝、铜、或它们的合金，更优选铝或铝合金。
[0032]作为构成前述树脂基材的树脂，可列举出聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、纤维素树脂等。
[0033]可以对基材实施蚀刻处理、等离子体处理、臭氧处理等表面处理。
[0034]基材的形状没有特别限定，例如可列举出平板状、曲面状等，可以根据用途设为任意形状。
[0035]基材的形状为平板状的情况下，其厚度没有特别限定，例如为10μm～1000μm，优选为50μm～500μm。
[0036][滑落拒水层][0037]本专利技术的结构体的滑落拒水层包含：具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质。
[0038](具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物)
[0039]具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物的聚乙烯亚胺骨架部分可以为直链状的聚乙烯亚胺、支链状的聚乙烯亚胺中的任意者，优选为直链状的聚乙烯亚胺。
[0040]具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物只要为具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物即可，可以为聚乙烯亚胺的均聚物，也可以为具有聚乙烯亚胺骨架和除聚乙烯亚胺以外的其他重复单元的共聚物。
[0041]具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物为聚乙烯亚胺的均聚物的情况下，前述聚乙烯亚胺的均聚物的结构没有特别限定，例如可以为线状结构、星状结构、梳状结构中任意者。
[0042]具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物为具有聚乙烯亚胺骨架和除聚乙烯亚胺以外的其他重复单元的共聚物的情况下，前述共聚物中的聚乙烯亚胺骨架的比例优选为20摩尔％以上。
[0043]前述具有聚乙烯亚胺骨架和除聚乙烯亚胺以外的其他重复单元的共聚物优选的是聚乙烯亚胺骨架的重复单元数为10以上的嵌段共聚物。
[0044]对于前述具有聚乙烯亚胺骨架和除聚乙烯亚胺以外的其他重复单元的共聚物，对于作为除前述聚乙烯亚胺以外的其他重复单元的聚合物，例如，可以举出聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚(N
‑
异丙基丙烯酰胺)、聚羟基乙基丙烯酸酯、聚甲基噁唑啉、聚乙基噁唑啉、聚丙烯亚胺等。
[0045]通过使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结构体，其在基材上具有滑落拒水层，所述滑落拒水层包含：具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物、含氟化合物和含硅物质。2.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述具有聚乙烯亚胺骨架的聚合物被所述含硅物质覆盖，所述含氟化合物键合于所述含硅物质。3.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，所述含氟化合物为具有全氟烷基和/或全氟聚醚基的硅烷化合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的结构体，其中，所述含氟化合物为具有选自由C
n
F
2n+1
所示的全氟烷基、F(C
n
F
2n
O)
m
所示的全氟聚醚基及CF3O(C
n
F
2n
O)
m
所示的全氟聚醚基组成的组中的1种以上和Si(A)3所示的甲硅烷基的化合物，所述C
n
F
2n+1
中，n为1以上的整数，所述F(C
n
F
2n
O)
m
中，n为1以上的整数，m为表示重复数的整数，所述CF3O(C
n
F
2n
O)
m
中，n为1以上的整数，m为表示重复数的整数，所述Si(A)3中，3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团，3个A中至少1个为水解性基团。5.根据权利要求1～3中任一项所述的结构体，其中，所述含氟化合物为下述式(1
‑
1)或(1
‑
2)所示的化合物，所述式(1
‑
1)及(1
‑
2)中，Rf为C
n
F
2n+1
所示的全氟烷基，其中n为1以上的整数，存在多个Rf的情况下，多个Rf任选彼此相同或不同，所述Si(A)3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团，3个A中至少1个为水解性基团，X为下述式(X
‑
1)～(X
‑
11)所示的连接基团中的任意者，
所述式(X
‑
1)～(X
‑
11)中，Rf为C
n
F
2n+1
所示的全氟烷基，其中n为1以上的整数，R
11
为直接键合、或碳原子数1～6的亚烷基，存在多个R
11
的情况下，多个R
11
任选彼此相同或不同，R
12
为碳原子数1～6的烷基。6.根据权利要求1～3中任一项所述的结构体，其中，所述含氟化合物为下述式(2
‑
1)、(2
‑
2)、(2
‑
3)或(2
‑
4)所示的化合物，
所述式(2
‑
1)、(2
‑
2)、(2
‑
3)及(2
‑
4)中，r为表示重复数的整数，R
21
为碳原子数1～6的亚烷基，R
23
为2价的连接基团，Z为3价的连接基团，B各自独立地为有机基团或Si(A)3所示的甲硅烷基，2个B中的至少1个为Si(A)3所示的甲硅烷基，所述Si(A)3所示的甲硅烷基的3个A各自独立地为水解性基团或非水解性基团，3个A中至少1个为水解性基团。7.根据权利要求1～3中任一项所述的结构体，其中，所述含氟化合物为下述式(3)所示的化合物，所述式(3)中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：植野纯平，铃木秀也，高野启，都玹姃，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：