一种制备高品质碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，包括用于碳化硅晶体生长的坩埚，坩埚的上部围有上加热结构，坩埚的下部围有下加热结构，上加热结构包括上部感应线圈，下加热结构包括下部感应线圈，上感应线圈，上部感应线圈的线圈直径和匝数均大于下部感应线圈的线圈直径和匝数。为了满足大尺寸晶体生长工艺温度要求，通过使用上下2种不同规格线圈来控制长晶温度，使坩埚上下具有均匀的横向温度及纵向温度梯度，从而提高碳化硅晶体生长的稳定性。的稳定性。的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种制备高品质碳化硅晶体生长装置


[0001]本技术属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种制备高品质碳化硅晶体生长装置。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料碳化硅晶体也被称为宽禁带半导体，主要具有以下优点：1.高禁带宽度，2.高击穿场强，3.高饱和电子漂移速率，4.高热导率。
[0003]因此，在高电压、高功率、高频率及高温场景应用中具有显著优势，主要应用于功率半导体器件、微波射频高频器件等。目前物理气相输运法(PVT法)是碳化硅单晶生长的主要技术方法，该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部，用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上，形成一个密闭空间，石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶，通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热，使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华，并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度，升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长，从而获得碳化硅单晶。
[0004]现有技术中碳化硅晶体生长装置不能满足生长大尺寸、高品质的碳化硅晶体。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，包括用于碳化硅晶体生长的坩埚，其特征在于：所述坩埚的上部围有上加热结构，所述坩埚的下部围有下加热结构，所述上加热结构包括上部感应线圈，所述下加热结构包括下部感应线圈，所述上部感应线圈的线圈直径和匝数均大于所述下部感应线圈的线圈直径和匝数。2.根据权利要求1所述一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述上加热结构还包括上真空腔室、上保温桶、角型硬毡保温桶，所述上部感应线圈位于所述上真空腔室的外部，所述坩埚的上部位于所述角型硬毡保温桶内，所述下加热结构还包括下真空腔室和下保温桶，所述下部感应线圈位于所述下真空腔室的外部，所述坩埚的下部位于所述下保温桶内。3.根据权利要求1所述一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述上部感应线圈直径为400
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800mm，线圈高为300
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500mm，匝数为8
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16匝，匝距5
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20mm；所述下部感应线圈直径为600
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1200mm，线圈高为300
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【专利技术属性】
技术研发人员：高冰，李俊，叶宏亮，
申请(专利权)人：浙江晶越半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：