一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅合成领域，尤其涉及一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置，所述方法包括以下步骤：（1）将高纯度碳粉与硅粉混合后装入反应容器，所述反应容器的内壁涂覆有致密抗高温涂层；（2）通过导气管对反应容器进行真空脱气处理，并通入惰性气体清洗反应环境；（3）加热反应容器至碳化硅合成温度，形成由反应容器内沿着导气管向外排放的定向气流；（4）在高温条件下，通过所述导气管内碳化硅沉积实现导气管封堵，隔离外部气体污染；（5）完成碳化硅粉料的晶型转变，得到低氮含量高纯碳化硅粉料。本申请通过涂覆致密抗高温涂层以及导气管的设置物理隔离外部氮气污染，系统性解决了传统工艺中氮杂质难以脱除的难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅合成领域，尤其涉及一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置。

技术介绍

1、碳化硅（sic）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异性能，在高温、高频、高功率及抗辐射器件领域展现出巨大应用潜力。尤其在ar（增强现实）眼镜领域，无色透明的高纯半绝缘碳化硅材料因其超薄、高散热性、大视场角及无“彩虹纹”干扰等特性，成为替代传统材料的理想选择。然而，此类材料的制备需以低氮含量（氮浓度低于1×1016个/cm3）、高纯度（≥6n）的碳化硅粉料为基础，这对现有合成技术提出了极高挑战。

2、目前，碳化硅粉料的制备主要采用自蔓延高温合成法（shs），其优势在于工艺简单、节能高效且晶型可控。然而，该工艺在氮杂质控制方面存在显著瓶颈：首先，反应体系中的碳粉、硅粉及石墨坩埚等多孔材料对环境中氮气的吸附难以避免；其次，传统工艺依赖真空脱气、高温加热及惰性气体清洗等手段去除氮杂质，但受限于保温材料的低温区域及石墨坩埚的孔隙结构，氮脱附效率不足，导致最终粉料中氮浓度仍高达5×1016个/cm3，无法满足高端应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的合成工艺，其特征在于，

6.一种用于实现权利要求1~5任一所述合成方法的装置，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

9.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于，

10.根据权利要求7所述的...

【技术特征摘要】

1.一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的合成工艺，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：高冰，李璐杰，
申请(专利权)人：浙江晶越半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：