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本发明涉及碳化硅合成领域，尤其涉及一种低氮含量高纯碳化硅粉料的合成方法及装置，所述方法包括以下步骤：（1）将高纯度碳粉与硅粉混合后装入反应容器，所述反应容器的内壁涂覆有致密抗高温涂层；（2）通过导气管对反应容器进行真空脱气处理，并通入惰性气...
该专利属于浙江晶越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶越半导体有限公司授权不得商用。

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