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本实用新型公开了一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，包括用于碳化硅晶体生长的坩埚，坩埚的上部围有上加热结构，坩埚的下部围有下加热结构，上加热结构包括上部感应线圈，下加热结构包括下部感应线圈，上感应线圈，上部感应线圈的线圈直径和匝数均大于下部感...
该专利属于浙江晶越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶越半导体有限公司授权不得商用。

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