【技术实现步骤摘要】
一种测试磁体霍尔效应的夹具箱
[0001]本申请涉及半导体器件检测
,尤其是涉及一种测试磁体霍尔效应的夹具箱。
技术介绍
[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
[0003]为了理解和研究半导体器件的电学特性,需要测量半导体器件的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。目前,科研人员常规使用传统的DC场方法进行,只需要将半导体器件连接稳定的电流源、电压表和开关等器件,再对半导体器件外加磁场,打开开关,即可测量半导体器件的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。对于具有较高迁移率的较简单材料而言其测量数据相对简单且可靠。
[0004]针对上述中的相关技术,半导体器件的尺寸较小,一般先 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:包括箱体(1),所述箱体(1)上设置有电源座(2),所述电源座(2)上固定设置有供夹具插接的插块(3),所述箱体(1)上设置有限位块(4),所述限位块(4)上开设有贯穿限位块(4)与箱体(1)侧壁的限位槽(5),所述插块(3)贯穿限位块(4)与限位槽(5)的内壁卡接,所述电源座(2)上设置有将电源座(2)与箱体(1)锁定的锁定件,所述箱体(1)内壁设置有供插块(3)插入的屏蔽盒(6)和位于屏蔽盒(6)外周侧的永磁体(7)。2.根据权利要求1所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述电源座(2)位于插块(3)的一侧开设有与限位块(4)外壁卡接的容纳槽(8)。3.根据权利要求2所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述容纳槽(8)的槽底固定设置有限位杆(9),所述限位块(4)表面开设有供限位杆(9)卡接的限位孔(10)。4.根据权利要求1所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述插块(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓婷,
申请(专利权)人:上海柯舜科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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