一种测试磁体霍尔效应的夹具箱制造技术

技术编号:30975603 阅读:25 留言:0更新日期:2021-11-25 21:09
本申请涉及半导体器件检测技术领域,尤其是涉及一种测试磁体霍尔效应的夹具箱,其包括箱体,所述箱体上设置有电源座,所述电源座上固定设置有供夹具插接的插块,所述箱体上设置有限位块,所述限位块上开设有贯穿限位块与箱体侧壁的限位槽,所述插块贯穿限位块与限位槽的内壁卡接,所述电源座上设置有将电源座与箱体锁定的锁定件,所述箱体内壁设置有供插块插入的屏蔽盒和位于屏蔽盒外周侧的永磁体。本申请中,将电源座卡接在箱体上时,电源座上的半导体器件与箱体内的永磁体保持垂直,提高了对半导体器件测量的准确度。半导体器件测量的准确度。半导体器件测量的准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种测试磁体霍尔效应的夹具箱


[0001]本申请涉及半导体器件检测
,尤其是涉及一种测试磁体霍尔效应的夹具箱。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
[0003]为了理解和研究半导体器件的电学特性,需要测量半导体器件的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。目前,科研人员常规使用传统的DC场方法进行,只需要将半导体器件连接稳定的电流源、电压表和开关等器件,再对半导体器件外加磁场,打开开关,即可测量半导体器件的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。对于具有较高迁移率的较简单材料而言其测量数据相对简单且可靠。
[0004]针对上述中的相关技术,半导体器件的尺寸较小,一般先用夹具固定后,再接入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:包括箱体(1),所述箱体(1)上设置有电源座(2),所述电源座(2)上固定设置有供夹具插接的插块(3),所述箱体(1)上设置有限位块(4),所述限位块(4)上开设有贯穿限位块(4)与箱体(1)侧壁的限位槽(5),所述插块(3)贯穿限位块(4)与限位槽(5)的内壁卡接,所述电源座(2)上设置有将电源座(2)与箱体(1)锁定的锁定件,所述箱体(1)内壁设置有供插块(3)插入的屏蔽盒(6)和位于屏蔽盒(6)外周侧的永磁体(7)。2.根据权利要求1所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述电源座(2)位于插块(3)的一侧开设有与限位块(4)外壁卡接的容纳槽(8)。3.根据权利要求2所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述容纳槽(8)的槽底固定设置有限位杆(9),所述限位块(4)表面开设有供限位杆(9)卡接的限位孔(10)。4.根据权利要求1所述的测试磁体霍尔效应的夹具箱,其特征在于:所述插块(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓婷
申请(专利权)人:上海柯舜科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1