【技术实现步骤摘要】
一种耐电子迁移焊料、焊点、封装结构及制备方法、应用
[0001]本申请涉及无铅焊料领域,具体而言,涉及一种耐电子迁移焊料、焊点、封装结构及制备方法、应用。
技术介绍
[0002]现代电子设备需要为包括计算机中央处理器(CPU)在内的器件进行封装和组装,目前封装的趋势是不断小型化,而缩小尺寸使得电子芯片和器件的电流密度增加到更高水平,从105A/cm2到106A/cm2。当器件电流密度增加时,通过电流产生的电阻性发热也会增加,从而影响器件和互连/封装结构,焊点发生电子迁移现象更加明显,最终由电子迁移和热迁移引起焊点失效。
[0003]焊点的电子迁移现象表示电流流经导体(如焊点的互连线)时原子的运动,当电流引起原子向焊点阳极一侧迁移时,焊点阴极一侧会出现晶格空隙,晶格空隙不断累积形成空洞,这种空洞缺陷不断增长最终会导致焊点失效。尤其是无铅焊料更容易发生电子迁移,因为它们通常比传统的共晶Pb
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Sn焊料具有更高的熔点。
[0004]为了增强焊点的抗电子迁移能力,人们对包括无铅焊料在内的焊料进行了各 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种耐电子迁移焊料,其特征在于,包括锡基无铅焊料和掺杂物,所述掺杂物包含至少选自掺杂元素Al、Cr、Ge、Si和它们的氧化物、它们的氮化物组成的组中的至少一种,所述掺杂物的掺杂量至少为0.02wt%,且小于2wt%。2.根据权利要求1所述的耐电子迁移焊料,其特征在于,所述锡基无铅焊料的合金选自Sn
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Ag、Sn
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Cu、Sn
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Sb、Sn
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In、Bi
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Sn、Sn
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Ag
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Cu和Sn
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Ag
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In中的一种;和/或,所述锡基无铅焊料的合金包括0.5
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5wt%Ag,和/或0.2
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2wt%Cu,和/或0.5
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5wt%Sb,和/或0.5
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5wt%In,和至少30%wt%Sn;可选地,所述锡基无铅焊料的合金包括至少30%wt%Sn的Bi
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Sn或Sn
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In。3.一种耐电子迁移焊点,其特征在于,其采用如权利要求1至2中任一项所述的耐电子迁移焊料制成,其至少有10%的低角度晶界。4.根据权利要求3所述的耐电子迁移焊点,其特征在于,所述耐电子迁移焊点的整体晶界...
【专利技术属性】
技术研发人员:华菲,
申请(专利权)人:宁波施捷电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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