一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及超结结构半导体技术领域，且公开了一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板，所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱及位于所述np组合柱底部的n+漏极层，所述五组np组合柱的顶部设有表面n层，所述表面n层上设有半导体，该具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，通过在器件制作完成进行安装使用时，将n+漏极层底部的保持框通过平衡板对应主板上安装螺孔的位置进行压持，通过旋紧螺栓使平衡板与主板进行固定，使得MOSFET器件在安装后可保持稳定，避免在后续其他器件的安装操作时碰撞到MOSFET器件后导致针脚弯曲甚至断裂，保证了MOSFET器件的正常使用，适用性较高。适用性较高。适用性较高。

【技术实现步骤摘要】
一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及超结结构半导体
，具体为一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]MOSFET器件是一种多数载流子器件，其具有双极型器件所不具备的输入阻抗高、开关速度快的特点和优势。由于MOSFET没有少数载流子存储的问题，因此，其开关延迟特性主要是因为寄生电容的充电和放电。
[0003]一般而言，评估功率MOSFET器件的寄生电容通常包括：输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反馈电容(Crss)。输入电容是栅源寄生电容(Cgs)与栅漏寄生电容(Cgd)之和，即Ciss＝Cgs+Cgd；输出电容是漏源寄生电容(Cds) 与栅漏寄生电容之和，即Coss＝Cds+Cgd；反馈电容也称为米勒电容，Crss＝Cgd。功率MOSFET是电压驱动型器件，其栅极驱动电压由0V上升至指定电压(如 12V)的过程可以理解为其体内寄生电容充电的过程，寄生电容越大，其所需的充电电荷Qg越多，相应的开通速度也就越慢，同时，还会带来开通损耗变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板(11)，其特征在于：所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱(1)及位于所述np组合柱(1)底部的n+漏极层(2)，所述五组np组合柱(1)的顶部设有表面n层(3)，所述表面n层(3)上设有半导体(4)，所述半导体(4)之间形成有导电沟道(5)，所述表面n层(3)上形成有相互独立的p型阱区(6)，所述n+漏极层(2)的浓度大于np组合柱(1)的浓度，所述np组合柱(1)交替设置在半导体基板内形成超结结构，所述p型阱区(6)上设有相互独立的n+源极区(7)，所述n+源极区(7)之间设有p+区(8)，所述半导体(4)的内部设有栅极(9)，所述n+漏极层(2)下表面的周侧设有绝缘保持框(12)，所述绝缘保持框(12)外表面的底部焊接有平衡板(13)，所述平衡板(13)上螺纹穿设有螺栓(14)，所述绝缘保持框(12)通过螺栓(14)与主板(11)相连接。2.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述np组合柱(1)包括具有n型导电类型的n柱(101)，所述n柱(101)的一侧具有P型导电类型的p柱(102)。3.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述p型阱区(6)的p形离子为硼。4.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，其特征在于：所述n柱(101)与n柱(101)沿着电流流通方向在半导体基板的n+漏极层(2)上延伸。5.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的平面型...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，陈彬，
申请(专利权)人：福建晋润半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：