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本发明涉及超结结构半导体技术领域，且公开了一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板，所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱及位于所述np组合柱底部的n+漏极层，所述五组np组合柱的顶部设有表面n层，...
该专利属于福建晋润半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建晋润半导体技术有限公司授权不得商用。

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