输入防反接电路、灯具驱动组件和灯具制造技术

本申请提供一种输入防反接电路、灯具驱动组件和灯具，输入防反接电路包括：防反接器件；电压限制器件，电性连接于防反接器件；电流限制器件，电性连接于电压限制器件。借用LDM输入后端DC

【技术实现步骤摘要】
输入防反接电路、灯具驱动组件和灯具


[0001]本申请涉及信号灯控制领域，具体而言，涉及一种输入防反接电路、灯具驱动组件和灯具。

技术介绍

[0002]在车用LED信号灯控制领域，LDM(LED Drive module)是现今汽车LED 各种灯内不可或缺的基础部件。LDM的成本直接影响到整车的成本，而对于当下激烈的竞争环境，在不影响设计目标的前提下，降本是一个永恒不变的话题。所以，使用更加具有性价比的电路来实现LDM的目标功能变得尤为重要。
[0003]在汽车的电子部件中，有一项设计要求是模块的输入端要有电源防反接功能。通常，对于小于5W输出功率LDM，在输入端使用二极管即可完成防反接功能。而对于5
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50W的输出功率LDM，由于二极管自身的损耗过大而发热严重，所以一般使用PMOS管作为反接电路器件。但是，由于 PMOS管价格相对昂贵，而且同等封装大小下，通流能力也明显弱于NMOS 管，所以，如果能将PMOS替换成NMOS，则可有有效降低LDM的成本。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种输入防反接电路、灯具驱动组件和灯具，用以解决现有技术中存在的技术问题。
[0005]第一方面，本技术提供一种输入防反接电路，包括：防反接器件；电压限制器件，电性连接于防反接器件；电流限制器件，电性连接于电压限制元件。
[0006]在可选的实施方式中，防反接器件包括：三极管，其中，电压限制器件电性连接于三极管的源极和栅极之间。
[0007]在可选的实施方式中，防反接器件还包括：寄生二极管，寄生二极管设置在三极管内部，寄生二极管的正极电性连接于三极管的源极，寄生二极管的正极电性连接于三极管的漏极。
[0008]在可选的实施方式中，电压限制器件包括：高电平限制组件，电性连接于外部输入电源；低电平限制组件，分别电性连接于防反接器件和高电平限制组件。
[0009]在可选的实施方式中，高电平限制组件包括：第一容性器件，与防反接电路并联；第一单向导通器件，与第一容性器件并联。
[0010]在可选的实施方式中，低电平限制组件包括：第二容性器件，与高电平限制组件串联；第二单向导通器件，与高电平限制组件并联。
[0011]在可选的实施方式中，电压限制器件还包括：稳压器件，与高电平限制组件并联。
[0012]在可选的实施方式中，电流限制器件包括：阻性器件，与电压限制器件串联。
[0013]第二方面，本技术提供一种灯具驱动组件，包括：上述前述实施方式任一项的输入防反接电路；电源转换模块，电性连接于防反接电路的输出端；电源正输入，电性连接于防反接电路的输入端；以及，电源负输入，电性连接于电源转换模块。
[0014]第三方面，本技术提供一种灯具，包括：如前述实施方式的灯具驱动组件；以及，灯具，电性连接于灯具驱动组件的输出端。
[0015]本实施例借用LDM输入后端DC
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DC周期性输出高低电平特性，对 NMOS管的源极引脚电压进行叠加后加载到其栅极引脚，使NMOS能完成导通动作。其中，仅增加两个小电流二极管和一个小电容，其成本明显小于PMOS与NMOS之间的价格差。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1为本申请实施例提供的一种灯具原理框图；
[0018]图2为本申请实施例提供的一种灯具驱动组件原理框图；
[0019]图3为本申请实施例提供的一种灯具驱动组件原理框图；
[0020]图4为本申请实施例提供的一种输入防反接电路的电路图。
[0021]图标：1
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灯具；11
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灯具驱动组件；12
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发光器；2
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灯具驱动组件；21
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输入防反接电路；22
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电源转换模块；3
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防反接器件；4
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电压限制器件；5
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电源限制器件。
具体实施方式
[0022]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0023]图1为本申请实施例提供的一种灯具1的原理框图，灯具1包括：灯具驱动组件11和发光器12。其中灯具1电性连接于灯具驱动组件11的输出端。灯具驱动组件11与外部输入电源连接。
[0024]图2为本申请实施例提供的一种灯具驱动组件11的原理框图，灯具驱动组件11包括：输入防反接电路21和电源转换模块22。其中，电源转换模块22电性连接于输入防反接电路21的输出端。外部电源可以由电源正输入和电源负输入。电源正输入电性连接于防反接电路的输入端，电源负输入电性连接于电源转换模块22。
[0025]图3为本申请实施例提供的一种输入防反接电路21的原理框图，包括：防反接器件3、电压限制器件4以及电源限制器件5。其中。电压限制器件 4电性连接于防反接器件3，电流限制器件电性连接于电压限制元件。
[0026]图4为本申请实施例提供的另一种输入防反接电路21的电路图。防反接器件3可以是三极管，三极管选用NMOS。其中，电压限制器件4电性连接于NMOS的源极S和栅极G之间。
[0027]在可选的实施方式中，电压限制器件4包括：高电平限制组件、低电平限制组件和稳压器件。
[0028]其中，高电平限制组件电性连接于外部输入电源，低电平限制组件分别电性连接于防反接器件3和高电平限制组件，稳压器件与高电平限制组件并联。
[0029]在可选的实施方式中，高电平限制组件包括：第一容性器件C1，与防反接电路并联；第一单向导通器件D1，与第一容性器件并联。
[0030]在可选的实施方式中，低电平限制组件包括：第二容性器件C2，与高电平限制组件串联，第二单向导通器件D2，与高电平限制组件并联。
[0031]在可选的实施方式中，电流限制器件包括：阻性器件，与电压限制器件4串联。
[0032]在可选的实施方式中，防反接器件3中还设置有寄生二极管D3，寄生二极管D3设置在NMOS内部，寄生二极管D3的正极电性连接于NMOS 的源极S，寄生二极管D3的负极电性连接于NMOS的漏极D。
[0033]如图4，对于NMOS，因为其内部寄生二极管D3的正方向是MOS管的S向D,所以在使用时，必须使S极引脚作为输入，D极引脚作为输出，否则防反接失效。
[0034]S极引脚作为输入，则S极引脚上的电压等于LDM的输入电压。而对于NMOS特性来说，G极引脚的电压要大于S极引脚电压+Vth(开启电压)时，NMOS才能导通工作。所以，基于此特性，我们需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输入防反接电路，其特征在于，包括：防反接器件；电压限制器件，电性连接于所述防反接器件；电流限制器件，电性连接于所述电压限制元件；所述电压限制器件包括：高电平限制组件，电性连接于外部输入电源；低电平限制组件，分别电性连接于所述防反接器件和所述高电平限制组件。2.根据权利要求1所述的输入防反接电路，其特征在于，所述防反接器件包括：三极管，其中，所述电压限制器件电性连接于所述三极管的源极和栅极之间。3.根据权利要求2所述的输入防反接电路，其特征在于，所述防反接器件还包括：寄生二极管，所述寄生二极管设置在所述三极管内部，所述寄生二极管的正极电性连接于所述三极管的源极，所述寄生二极管的负极电性连接于所述三极管的漏极。4.根据权利要求1所述的输入防反接电路，其特征在于，所述高电平限制组件包括：第一容性器件，与所述防反接电路并联；第一单向导通器件，与所述第一容性器件并...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨姚佳，董世樑，夏盛，沈建，蔡凯，
申请(专利权)人：华域视觉科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：