聚萘的合成及其用途制造技术

本发明专利技术涉及一种制备含有通式（Ⅰａ）和／或（Ⅰｂ）的重复单元的聚萘衍生物的方法，其中Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［１’］、Ｒ↑［２’］如说明书中所定义。本发明专利技术还涉及根据所述方法制备的聚萘衍生物、含有至少一种本发明专利技术聚萘衍生物或由至少一种本发明专利技术聚萘衍生物组成的膜、含有至少一种本发明专利技术聚萘衍生物的有机发光二极管（ＯＬＥＤ）、含有至少一种本发明专利技术聚萘衍生物或由至少一种本发明专利技术聚萘衍生物组成的发光层、含有本发明专利技术发光层的ＯＬＥＤ、含有本发明专利技术ＯＬＥＤ的器件以及本发明专利技术聚萘衍生物在ＯＬＥＤ中作为发光体物质的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备聚萘衍生物的方法、可通过本专利技术方法制备的聚萘衍生物、包含至少一种本专利技术聚萘衍生物或由至少一种本专利技术聚萘衍生物组成的膜、包含至少一种本专利技术聚萘衍生物的有机发光二极管(OLED)、包含至少一种本专利技术聚萘衍生物或由至少一种本专利技术聚萘衍生物组成的发光层、包含本专利技术发光层的OLED、包含本专利技术OLED的器件以及本专利技术聚萘衍生物在OLED中作为发光体物质的用途。有机发光二极管(OLED)利用特定材料在受到电流激发时发光的能力。OLED作为用于生产平板VDU的阴极射线管和液晶显示器的替代品尤其重要。已经提出了通过电流激发而发光的许多材料。OLED的综述例如在M.T.Bernius等人，Adv.Mat.2000，12，1737中给出。对所用化合物的要求高且已知材料通常不能满足所有要求。除无机和低分子量有机电致发光材料外，现有技术还描述了聚合物电致发光材料在OLED中的应用，其中所述OLED具有共轭聚合物膜作为发光层。与低分子量的电致发光材料相反，聚合物材料还可例如通过旋涂或浸渍由溶液施用，这使得可简单且廉价地生产大面积的显示器。WO 90/13148涉及包含基于聚对苯乙烯(PPV)的聚合物的OLED。这类聚合物特别适合在光谱的红光和绿光区电致发光。在光谱的蓝光区，通常使用聚芴(PF)的衍生物。具有螺中心的聚芴衍生物例如公开于EP-A 0 707 020中。尽管上述PPV和PF衍生物通常具有令人满意的光学性能如发光颜色和发光的量子产率，但它们通常缺乏必需的长期稳定性。其原因从准分子形成的形态不稳定延伸至发色团的氧化分解。DE-A 40 24 647涉及芳族缩合产物，其可以为1，4-连接的萘单元。这些缩合产物借助溴化萘与溴化的萘衍生物的格利雅反应而制备，或通过萘硼酸盐与溴化的萘衍生物的反应而制备。芳族缩合产物适合用作绝热材料和作为电极材料。并没有提及用于OLED中。Martin等人，J.Org.Chem.2000，65，7501-7511涉及可通过Knoevenagel反应而制备的包含萘单元的亚乙烯基共聚物。公开了由共轭和非共轭单元组成且包含联萘单元的手性嵌段共聚物。检测了这些聚合物的荧光。Müllen等人，Macromolecules 1993，26，1248-1253涉及通过在过渡金属催化剂存在下偶联芳基溴和芳族硼酸而得到的烷基取代的聚萘。所公开的聚萘带有改进溶解性的C6H13或C12H25烷基。所公开的聚萘经由萘单元的1和4位连接。并没有提及将聚萘用于OLED。在Smith，Jr.等人，Tetrahedron 58(2002)10197-10203中公开了通过钯催化的四炔基硅烷与芳基溴和芳基碘的交叉偶联而制备的双-邻二炔基芳烃化合物(BODA)。聚萘网络可以这种方式得到，但没有公开它们的结构。测定了所制备聚合物的吸收和发射光谱。本专利技术的目的是制备其它聚萘衍生物，该聚萘衍生物尤其适合作为发光体分子用于OLED中、具有长寿命、在OLED中效率高、最大发射在蓝光区中且显示高的量子产率。本专利技术的另一目的是提供一种制备这类聚萘的方法。所述目的通过一种制备包含通式Ia和/或Ib的重复单元的聚萘的方法而实现 和/或 该方法包括使式IIa和/或IIb的单体萘衍生物，合适的话与至少一种其它共聚单体一起聚合 和/或 所述至少一种其它共聚单体选自与式IIa和/或IIb的初始萘衍生物不同的其它式IIa和/或IIb的萘衍生物、芳族化合物、稠合芳族化合物、杂芳族化合物、荧蒽衍生物、苯衍生物、蒽烯(Anthrylen)化合物、芳氨基化合物、芴衍生物、咔唑衍生物、氧芴衍生物、芘衍生物、菲衍生物、苝衍生物、红荧烯衍生物和噻酚化合物，这些化合物和衍生物各自带有两个能与式IIa萘衍生物的基团X1和X2或者与式IIb萘衍生物的基团X1’和X2’聚合的基团X3和X4，其中各符号具有如下含义R1、R2各自相互独立地为H、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团、低聚苯基；R1’、R2’各自相互独立地为H、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团；X1、X2、X3、X4、X1’、X2’为能够相互聚合的基团，或者R1或R2或R1’或R2’各自相互独立地为-CH＝CH2、-C≡CH、反式-或顺式-CH＝CH-C6H5、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、-O-CH＝CH2、缩水甘油基、 或 其中Y为丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、-O-CH＝CH2、缩水甘油基、反式-或顺式-CH＝CH-C6H5。对本专利技术而言，“烷基”为线性、支化或环状的取代或未取代的C1-C20烷基，优选C1-C9烷基。特别优选线性或支化的C3-C9烷基，非常特别优选C5-C9烷基。烷基可以是未取代的或被芳族基团、卤素、硝基、醚或羧基取代。特别优选烷基是未取代的。此外，烷基的一个或多个不相邻碳原子可以被Si、P、O或S，优选O或S替代。特别优选O或S与萘体系直接邻接。优选卤素基团为F、Cl或Br。对本专利技术而言，“烷氧基”为式-OR3的基团，其中基团R3为如上所定义的烷基。优选的烷基R3如上所述。因此，基团OR3特别优选为-OC3-9烷基，非常特别优选-OC5-9烷基，其中烷基是线性或支化的且可如对烷基所述被取代。对本专利技术而言，“芳族基团”优选为C6芳基(苯基)或萘基，特别优选苯基。所述芳基可以是未取代的或被线性、支化或环状C1-C20烷基，优选C1-C9烷基取代，所述烷基又可以被卤素、硝基、醚或羧基取代。此外，烷基的一个或多个碳原子可以被Si、P、O、S或N，优选O或S替代。此外，芳基可以被卤素、硝基、羧基、氨基或烷氧基或C6-C14芳基，优选C6-C10芳基，尤其是苯基或萘基取代。在卤素基团中，优选F、Cl或Br。特别优选“芳族基团”为可被卤素，优选Br、Cl或F，氨基，优选NAr’Ar”取代的C6芳基，其中Ar’和Ar”相互独立地为可如上所述未取代或被取代的C6芳基。非常特别优选所述芳基是未取代的。对本专利技术而言，“芳氧基”为式-OR4的基团，其中基团R4为上述芳族基团。该基团优选为-OR4、-O苯基或-O萘基，特别优选-O苯基。芳基R4可如上所述被取代。对本专利技术而言，“稠合芳环体系”为通常具有10-20个碳原子，优选10-14个碳原子的稠合芳环体系。这些稠合芳环体系可以是未取代的或被线性、支化或环状C1-C20烷基，优选C1-C9烷基取代，所述烷基又可以被卤素、硝基、醚或羧基取代。此外，烷基的一个或多个碳原子可以被Si、P、O、S或N，优选O或S替代。此外，稠合芳族基团可以被卤素、硝基、羧基、氨基或烷氧基或C6-C14芳基，优选C6-C10芳基，尤其是苯基或萘基取代。特别优选“稠合芳环体系”为可被卤素，优选Br、Cl或F，氨基，优选NAr’Ar”取代的稠合芳环体系，其中Ar’和Ar”相互独立地为可如上所定义未取代或被取代的C6芳基。非常特别优选稠合芳环体系是未取代的。合适的稠合芳环体系例如为萘、蒽、芘、菲或苝。对本专利技术而言，“杂芳基”为含有至少一个N、P、S或O原子的C5-C14杂芳基，优选C6-C12杂芳基，特别优选C6-C10杂芳基。所述杂芳基可以是未取代的或被线性、支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备包含通式Ⅰａ和／或Ⅰｂ的重复单元的聚萘的方法：＊＊＊该方法包括使式Ⅱａ和／或Ⅱｂ的单体萘衍生物，合适的话与至少一种其它共聚单体一起聚合：＊＊＊其中所述至少一种其它共聚单体选自与式Ⅱａ和／或Ⅱｂ的初始萘衍生物不同的其它式Ⅱａ和／或Ⅱｂ的萘衍生物、芳族化合物、稠合芳族化合物、杂芳族化合物、荧蒽衍生物、苯衍生物、蒽烯化合物、芳氨基化合物、芴衍生物、咔唑衍生物、氧芴衍生物、芘衍生物、菲衍生物、苝衍生物、红荧烯衍生物和噻酚化合物，这些化合物和衍生物各自带有两个能与式Ⅱａ萘衍生物的基团Ｘ↑［１］和Ｘ↑［２］或者与式Ⅱｂ萘衍生物的基团Ｘ↑［１’］和Ｘ↑［２’］聚合的基团Ｘ↑［３］和Ｘ↑［４］，其中各符号具有如下含义：Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］各自相互独立地为Ｈ、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团、低聚苯基；Ｒ↑［１’］、Ｒ↑［２’］各自相互独立地为Ｈ、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团；Ｘ↑［１］、Ｘ↑［２］、Ｘ↑［３］、Ｘ↑［４］、Ｘ↑［１’］、Ｘ↑［２’］为能够相互聚合的基团，或者Ｒ↑［１］或Ｒ↑［２］或Ｒ↑［１’］或Ｒ↑［２’］各自相互独立地为－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］、－Ｃ≡ＣＨ、反式－或顺式－ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］、缩水甘油基、＊＊＊其中Ｙ为丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］、缩水甘油基、反式－或顺式－ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-9-6 10 2004 043 497.21.一种制备包含通式Ia和/或Ib的重复单元的聚萘的方法 该方法包括使式IIa和/或IIb的单体萘衍生物，合适的话与至少一种其它共聚单体一起聚合 其中所述至少一种其它共聚单体选自与式IIa和/或IIb的初始萘衍生物不同的其它式IIa和/或IIb的萘衍生物、芳族化合物、稠合芳族化合物、杂芳族化合物、荧蒽衍生物、苯衍生物、蒽烯化合物、芳氨基化合物、芴衍生物、咔唑衍生物、氧芴衍生物、芘衍生物、菲衍生物、苝衍生物、红荧烯衍生物和噻酚化合物，这些化合物和衍生物各自带有两个能与式IIa萘衍生物的基团X1和X2或者与式IIb萘衍生物的基团X1’和X2’聚合的基团X3和X4，其中各符号具有如下含义R1、R2各自相互独立地为H、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团、低聚苯基；R1’、R2’各自相互独立地为H、烷基、烷氧基、芳族基团、芳氧基、稠合芳环体系、杂芳族基团；X1、X2、X3、X4、X1’、X2’为能够相互聚合的基团，或者R1或R2或R1’或R2’各自相互独立地为-CH＝CH2、-C≡CH、反式-或顺式-CH＝CH-C6H5、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、-O-CH＝CH2、缩水甘油基、 其中Y为丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻甲基苯乙烯基、对甲基苯乙烯基、-O-CH＝CH2、缩水甘油基、反式-或顺式-CH＝CH-C6H5。2.根据权利要求1的方法，其中R1和R2以及R1’和R2’选自C3-C10烷基和C3-C9烷氧基。3.根据权利要求1或2的方法，其中在式IIa的单体萘衍生物中，基团R1位于基团X1的邻位和/或基团R2位于基团X2的邻位。4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中在式IIa的单体萘衍生物中，基团X1位于萘骨架的2位且基团X2位于萘骨架的6位。5.根据权利要求1或2的方法，其中式IIb的单体萘衍生物具有式IIb16.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中所述聚合在镍或钯化合物存在下进行。7.根据权利要求6的方法，其中X1、X2、X1’、X2’、X3和X4具有如下...

【专利技术属性】
技术研发人员：F德兹，S诺德，H外斯，J勒施，
申请(专利权)人：巴斯福股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[]