【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及塑料导电(微)颗粒及其制备方法，具体的说是外径为1mm或者更小的塑料导电颗粒的制备方法的改进，包括具有400～550kgf/mm2高压缩弹性模量的塑料芯球的制备，在电镀前采用预处理，其电镀工艺采用旋转角为360°的网孔桶，旋转速度为6～10rpm，或者左、右旋转200°，旋转速度为1～5rpm，制得塑料导电颗粒。
技术介绍
为了将集成电路(ICs)或者大规模集成电路(LSIs)连接在电路板上，现行所采用的将独立管脚焊接在印刷线路板(PWB)上的方法生产效率低，且不宜实现高密度的封装。因而，为了改进连接的可靠性，开发了用于连接芯片至基片或衬底上的球栅列阵(BGA)技术，使用球状焊剂，称为焊球。依照此技术，衬底、芯片，和在衬底上的焊球通过在高温下熔化的过程连接在一起，完成电路在衬底的焊接，满足了高生产效率和高连接可靠性的需求。但是，当使用金属材料时，容易产生由金属粘接性导致的裂化。另外，当金属球的尺寸减少时，预处理过程难以操作，且弹性模量降低，在连接可靠性的评估上发现IC芯片和印刷线路板(PCB)衬底的电子设备之间的封装缝隙依热量循环增进而减少，热应...
【技术保护点】
一种塑料导电颗粒，包括：塑料芯球，具有高压缩弹性模量４００～５５０ｋｇｆ／ｍｍ↑［２］；镍镀层，成型在所述芯球上，厚度为０．１～１０μｍ；焊接层，成型在镍电镀层上，厚度为１～１００μｍ，其成份选自：Ｓｎ－Ｐｂ，Ｓｎ－Ａｇ，Ｓｎ，Ｓｎ－Ｃｕ，Ｓｎ－Ｚｎ，及Ｓｎ－Ｂｉ中之一。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2004-12-30 10-2004-01166571.一种塑料导电颗粒，包括塑料芯球，具有高压缩弹性模量400～550kgf/mm2；镍镀层，成型在所述芯球上，厚度为0.1～10μm；焊接层，成型在镍电镀层上，厚度为1～100μm，其成份选自Sn-Pb，Sn-Ag，Sn，Sn-Cu，Sn-Zn，及Sn-Bi中之一。2.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，进一步包括在所述镍镀层上成型的、厚度为0.1～10μm的铜镀层，以提供镍/铜电镀层。3.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，为球形，且其外径为2.5μm～1mm。4.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，其中所述塑料芯球的制备是先通过将聚合单体加入疏水性粘土矿物质的分层结构中制备用聚合单体取代了的纳米粘土合成物，然后用悬浮聚合方法将纳米粘土合成物均一地分散开，从而拥有其5％的热分解温度为250～330℃特性，在上述温度范围内没探测出玻璃化转变湿度或熔化温度，且具有400～550kgf/mm2高的压缩弹性模量。5.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，其中所述塑料芯球是均一分散纳米粘土合成物于其内的聚苯乙烯颗粒。6.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，其中塑料导电颗粒外径为10μm～1mm，包括具有400～550kgf/mm2高压缩弹性模量的塑料芯球；在塑料芯球上成型的、厚度为0.1～10μm的镍镀层；及在镍镀层上成型的、1～100μm的焊接层，成份为60～70％Sn-30～40％Pb。7.按照权利要求1所述塑料导电颗粒，其中塑料导电颗粒外径为10μm～1mm，包括具有高的压缩弹性模数为400～550kgf/mm2的塑料芯球；在塑料芯球上成型的、厚度为0.1～10μm的镍镀层；及在镍镀层上成型的、1～100μm的焊接层，成份为96～97％Sn-3.0～4.0％Ag。8.按照权利要求6或7所述塑料导电颗粒，进一步包括在镍镀层上成型的、厚度为0.1～10μm的铜镀层，用以提供镍/铜电镀层。9.一种塑料导电颗粒的制备方法，包括1)制备具有高压缩弹性模量的塑料芯球，其内均一分散有纳米粘土合成物；2)通过刻蚀对所述塑料芯球表面进行表面处理；3)用含有SnCl2的预处理溶液和含有PdCl2的预处理溶液，吸附Sn和Pd至塑料芯球表面；4)用镍镀液成型镍镀层于吸附了的塑料芯球表面，厚度为0.1～10μm厚度，得塑料芯球；5)将塑料芯球与0.1mm～3.0cm钢球混合在一起，重量比率为1∶2～1∶20；6)用电镀液电镀混合后的塑料芯球形成焊接剂层，电镀液选自以下一组之一Sn-Pb、Sn-Ag、Sn、Sn-Cu、Sn-Zn...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵丙勋，金敬钦，金承范，李成秀，朴京培，金南洁，柳秉宰，
申请(专利权)人：东部HITEK株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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