一种喷硼夹具制造技术

本实用新型专利技术属于半导体制作器具技术领域，尤其涉及一种喷硼夹具。其包括底座及压环，压环底面设置有与底座外周匹配的限位台阶，压环用于限位放置于底座表面的硅片。本实用新型专利技术用于解决喷硼时硅片如何固定夹持的问题。压环通过底面的限位台阶与底座匹配套接，通过压环与底座相互匹配限制住放置在底座上的硅片，保证硅片在喷硼时保持稳定。硅片在喷硼时保持稳定。硅片在喷硼时保持稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种喷硼夹具


[0001]本技术属于半导体制作器具
，尤其涉及一种喷硼夹具。

技术介绍

[0002]半导体扩散工艺中，硼是一种常见的P型杂质源，常见的涂硼方式为用手动滴液管控制硼源量滴附，在硅片表面进行旋转涂覆,经常会造成涂覆不均匀的情况。
[0003]为此，目前常用的涂硼方式通常为将硼源采用喷涂的方式均匀喷涂在硅片表面。
[0004]但是，喷涂的方式通常会使得硼源具有较大压力，硅片的固定难以维持，且固定不稳定的硅片在喷涂过程中也会对硅片表面的喷涂均匀性造成一定影响。

技术实现思路

[0005]本申请实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种喷硼夹具，用于解决喷硼时硅片如何固定夹持的问题。
[0006]本申请实施例解决上述技术问题的技术方案如下：一种喷硼夹具，其包括：底座；
[0007]压环，所述压环底面设置有与所述底座外周匹配的限位台阶，所述压环用于限位放置于所述底座表面的硅片。
[0008]相较于现有技术，以上技术方案具有如下有益效果：
[0009]压环通过底面的限位台阶与底座匹配套接，通过压环与底座相互匹配限制住放置在底座上的硅片，保证硅片在喷硼时保持稳定。
[0010]进一步地，所述压环内径小于所述底座外径。
[0011]将压环内径设置为比底座外径小，使得压环可以压在放置于底座上的硅片，从上下两个方向对硅片形成夹持状态，保持喷涂过程中的稳定性。
[0012]进一步地，所述压环顶部内缘环切设置有倒角。
[0013]通过环切的倒角将硅片边缘对喷涂硼源均匀性的影响减少到最低，使硅片的边缘与中间的浓度偏差更小，保证喷涂浓度的一致性。
[0014]进一步地，所述限位台阶与所述底座间隙配合。
[0015]将限位台阶与底座之间设置为间隙配合，保证压环与底座夹住硅片的中间空间与外部气压保持一致，使得套接在底座上的压环可通过与底座的间隙方便放置与取出。
[0016]进一步地，所述底座顶部中心开设有与底座同心的圆形凹槽。
[0017]通过设置在底座顶部的凹槽，使得单面喷过硼的硅片在翻过来进行喷硼时，附硼面保持悬空不与底座接触，保证喷硼质量。
[0018]本申请实施例中提供的一种或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0019]1、通过相互匹配的压环和底座将放置在底座上的硅片进行夹持，保证喷硼过程中硅片的稳定性，进而保证喷硼涂抹的均匀性。
[0020]2、在压环内缘设置的倒角极大减少了压环内边缘对喷源均匀性的影响，使得硅片边缘与中央浓度偏差变小，保证同一面硅片的喷涂均匀性。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本实施例所述的整体爆炸结构示意图。
[0023]图2为本实施例中夹持硅片状态示意图。
[0024]附图标记：
[0025]1、底座；
[0026]2、压环；
[0027]3、限位台阶；4、倒角；
[0028]5、凹槽；6、硅片。
具体实施方式
[0029]下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0030]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0031]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0032]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0034]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0035]实施例
[0036]如图1所示，本技术实施例所提供的一种喷硼夹具，其包括：底座1及压环2，所述压环2底面设置有与所述底座1外周匹配的限位台阶3，所述压环2用于限位放置于所述底
座1表面的硅片6，硅片6直径与底座1外径相一致，且底座1表面与硅片6表面保证平整接触，在压环2套入底座1后，压环2从四周对硅片6起到限制作用，保持硅片6的稳定性。
[0037]压环2通过底面的限位台阶3与底座1匹配套接，压环2与底座1形成稳定连接，通过压环2与底座1相互匹配限制住放置在底座1上的硅片6，保证硅片6在喷硼时保持稳定。
[0038]其中，所述压环2内径小于所述底座1外径，如图2所示，压环2内径为D1，底座1外径为D2，D1＜D2，将压环2内径设置为比底座1外径小，使得压环2可以压在放置于底座1上的硅片6，从上下两个方向对硅片6形成夹持状态，保持喷涂过程中的稳定性。
[0039]所述压环2顶部内缘环切设置有倒角4，通过环切的倒角4将硅片6边缘对喷涂硼源均匀性的影响减少到最低，使硅片6的边缘与中间的浓度偏差更小，保证喷涂浓度的一致性。
[0040]本实施例中，所述限位台阶3与所述底座1间隙配合。
[0041]将限位台阶3与底座1之间设置为间隙配合，保证压环2与底座1夹住硅片6的中间空间与外部气压保持一致，使得套接在底座1上的压环2可通过与底座1的间隙方便放置与取出。
[0042]所述底座1顶部中心开设有与底座1同心的圆形凹槽5，通过设置在底座1顶部的凹槽5，使得单面喷过硼的硅片6在翻过来进行喷硼时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷硼夹具，其特征在于，包括：底座；压环，所述压环底面设置有与所述底座外周匹配的限位台阶，所述压环用于限位放置于所述底座表面的硅片。2.根据权利要求1所述的喷硼夹具，其特征在于，所述压环内径小于所述底座外径。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐爱民，顾标琴，缪星晔，
申请(专利权)人：江苏扬杰润奥半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：