一种金属薄片的整平方法技术

本发明专利技术提供了一种金属薄片的整平方法，所述整平方法包括以下步骤：将待处理金属薄片平放于两块无机非金属夹板之间，得到组合件；将组合件置于水平基板上共同进行热处理，冷却后得到整平后的金属薄片。本发明专利技术所述方法根据金属薄片的材质及尺寸特性，采用平面夹持以及热处理的方式进行整平处理，使得金属薄片能够在夹板间发生微变形，保证薄片的平面度较低，以满足使用时的尺寸精度要求；所述方法中夹板和金属薄片的材质选择不同，可避免热处理时夹板向金属薄片的扩散而对薄片纯度造成的影响，薄片产品整平时不易损坏，产品合格率高；所述方法操作简便快捷，所需工时较短，加工效率高，成本较低。本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种金属薄片的整平方法


[0001]本专利技术属于金属材料加工
，涉及一种金属薄片的整平方法。

技术介绍

[0002]金属材料作为社会发展的重要物质基础之一，在众多领域具有广泛的应用，而由于应用领域及应用场合的不同，对金属材料的形状、特性等要求也会不同；在半导体领域常用的加工设备中，由于对精细度的要求较高，设备零部件需要有较好的平面度，尤其是金属薄片零部件的加工使用，其平面度对于镀膜的品质具有重要影响。
[0003]目前，金属材料整形的传统方法通常是压制，但通常是用于厚度较大或者变形较大的材料的整平处理，当产品厚度极小，或者对平面度的要求较高时，传统方法容易损坏薄片产品，也可能存在压制后产品回弹的问题，往往难以达到理想的效果，因而，针对薄片材料的整平处理，现有技术中也有相关改进研究。
[0004]CN 212494727U公开了一种薄片整形工装及自动整形设备，所述薄片整形工装包括支撑座和压块，所述支撑座和压块能够相对滑动，并相互插合；所述支撑座和压块之间形成预定形状的间隙，所述间隙的值大于待整形的薄片的厚度；待整形的薄片能够全部或部分位于所述间隙内，所述压块与所述支撑座插合后，两者同时下压，从而折弯待整形的所述薄片。该整形工装对薄片的处理是对其进行折弯变形，使整形后薄片的形状整齐，而并非对薄片进行整平处理，对于平面度并未进行调整，而且，该薄片是用于锂离子蓄电池中金属镍片的整形，厚度及应用的要求与半导体设备零部件不同。
[0005]CN 204022879U公开了一种W
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>Cu合金封装材料的整平装置，所述装置由石墨水平基板、钼薄片和金属压块构成；所述钼薄片位于石墨水平基板与金属压块之间；所述钼薄片为1
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6个，分别置于各层W
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Cu合金封装材料之间。该装置通过在水平基板和压板之间增加钼薄片，来避免封装材料之间的粘连，主要是针对装置的改进，但并未明确针对薄片如何进行整平处理，以及如何针对不同材质的薄片进行整形的工艺调整。
[0006]综上所述，对于金属薄片的整平处理，还需要根据薄片的特性选择合适的整平工艺，既能保证产品尺寸的精度，又能够保证产品合格率，简化操作，提高生产效率，降低成本。

技术实现思路

[0007]针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种金属薄片的整平方法，所述方法针对金属薄片的材质及尺寸特性，采用平面夹持及热处理的方式进行整平处理，能够有效调节薄片的平面度，使其满尺寸精度要求，同时可有效防止薄片的损坏，产品合格率高，降低成本，且操作简单，缩短工时，提高生产效率。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供了一种金属薄片的整平方法，所述整平方法包括以下步骤：
[0010](1)将待处理金属薄片平放于两块无机非金属夹板之间，得到组合件；
[0011](2)将步骤(1)得到的组合件置于水平基板上共同进行热处理，冷却后得到整平后的金属薄片。
[0012]本专利技术中，对于金属薄片的整平处理，传统的压制方法极易造成损坏，且由于材质特性整平效果难以维持，本专利技术中采用平面夹持以及热处理的方式，将金属薄片由两块夹板进行夹持，使其热处理时能够在两块夹板间发生微变形，并由夹板的平整性来保证薄片的平面度，以满足作为设备部件使用时的尺寸精度要求；该方法中夹板和金属薄片的材质选择不同，以避免热处理时夹板对金属薄片的扩散而对薄片纯度的影响，薄片产品整平时不易损坏，产品合格率高；所述方法操作简便快捷，所需工时较短，从而提高加工效率，降低成本。
[0013]以下作为本专利技术优选的技术方案，但不作为本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本专利技术的技术目的和有益效果。
[0014]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述金属薄片包括钛薄片或钛合金薄片。
[0015]优选地，步骤(1)所述金属薄片的厚度为0.05～0.2mm，例如0.05mm、0.08mm、0.1mm、0.12mm、0.15mm、0.18mm或0.2mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述无机非金属夹板包括玻璃夹板。
[0017]本专利技术中，所述夹板材质的选择主要是基于避免向待整平工件的热扩散，无机硅酸盐材料加热后性能稳定，具有良好的自身平面度、易于获取等优势。
[0018]优选地，步骤(1)所述两块无机非金属夹板的厚度独立地为5～10mm，例如5mm、6mm、7mm、8mm、9mm或10mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]优选地，步骤(1)所述无机非金属夹板的平面度不大于0.05mm，例如0.05mm、0.045mm、0.04mm、0.035mm、0.03mm、0.025mm或0.02mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述无机非金属夹板的平面尺寸大于金属薄片的平面尺寸，将金属薄片的表面完全覆盖。
[0021]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(2)所述水平基板包括不锈钢基板或石墨基板。
[0022]本专利技术中，所述基板在所述整平工艺中的作用在于为待整平薄片和夹板提供支撑，其材质选择需要满足耐热处理高温、不易变形等。
[0023]优选地，步骤(2)所述水平基板的厚度为20～40mm，例如20mm、25mm、27mm、30mm、32mm、36mm或40mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0024]优选地，步骤(2)所述水平基板的平面度不大于0.05mm，例如0.05mm、0.045mm、0.04mm、0.035mm、0.03mm、0.025mm或0.02mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(2)所述水平基板上与无机非金属夹板接触的表面的尺寸大于相应无机非金属夹板的平面尺寸。
[0026]作为本专利技术优选的技术方案，步骤(2)所述热处理在热处理炉内进行。
[0027]优选地，步骤(2)所述热处理的温度为550～600℃，例如550℃、560℃、570℃、580
℃、590℃或600℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0028]优选地，步骤(2)所述热处理的升温速率为5～10℃/min，例如5℃/min、6℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min或10℃/min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]优选地，步骤(2)所述热处理的保温时间为4～6h，例如4h、4.5h、5h、5.5h或6h等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属薄片的整平方法，其特征在于，所述整平方法包括以下步骤：(1)将待处理金属薄片平放于两块无机非金属夹板之间，得到组合件；(2)将步骤(1)得到的组合件置于水平基板上共同进行热处理，冷却后得到整平后的金属薄片。2.根据权利要求1所述的整平方法，其特征在于，步骤(1)所述金属薄片包括钛薄片或钛合金薄片；优选地，步骤(1)所述金属薄片的厚度为0.05～0.2mm。3.根据权利要求1或2所述的整平方法，其特征在于，步骤(1)所述无机非金属夹板包括玻璃夹板；优选地，步骤(1)所述两块无机非金属夹板的厚度独立地为5～10mm；优选地，步骤(1)所述无机非金属夹板的平面度不大于0.05mm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的整平方法，其特征在于，步骤(1)所述无机非金属夹板的平面尺寸大于金属薄片的平面尺寸，将金属薄片的表面完全覆盖。5.根据权利要求1
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4任一项所述的整平方法，其特征在于，步骤(2)所述水平基板包括不锈钢基板或石墨基板；优选地，步骤(2)所述水平基板的厚度为20～40mm；优选地，步骤(2)所述水平基板的平面度不大于0.05mm。6.根据权利要求1
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5任一项所述的整平方法，其特征在于，步骤(2)所述水平基板上与无机非金属夹板接触的表面的尺寸大于相应无机非金属夹板的平面尺寸。7.根据权利要求1
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6任一项所述的整平方法，其特征在于，步骤(2)所述热处理在热处理炉内进行；优选地，步骤(2)所述热处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，昝小磊，鲍伟江，王学泽，周建军，
申请(专利权)人：上海睿昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：