一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构及其制备方法，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面从内到外包括正表面场和正面钝化层，所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、交替排列的n+掺杂微晶硅层/p+掺杂微晶硅层、激光开槽区、背面透明导电膜、负电极/正电极。与现有技术相比，本发明专利技术采用背面非晶硅叠加微晶硅复合层结构，优化了HBC电池背面发射层和背场层，提升电池的短路电流密度与开压，降低串联电阻，从而提升电池转换效率。升电池转换效率。升电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池背面结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着能源需求的不断提高，在传统化石燃料能源枯竭，以及人们环保意识的增强的背景下，发展清洁环保、可再生能源成为人类发展的当务之急，太阳能是一种清洁的可再生的能源,取之不尽，用之不竭。因此开发和利用太阳能为代表的清洁环保、可再生的新能源将成为最具发展前景的能源之一。
[0003]对于晶硅太阳能电池，尤其HBC电池，其特点是电池正面无电极，正负电极金属栅线指状交叉排列与电池背面，具有更高的短路电流，并可有效降低电池的温度系数，具有很大的发展潜力。但现有的HBC电池制作技术还存在使用非晶硅薄膜对长波光谱吸收低、容易引发光电效应衰退等问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，包括晶硅衬底；设置于晶硅衬底前表面的正面正表面场层；设置于正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于：包括晶硅衬底；设置于晶硅衬底前表面的正面正表面场层；设置于正面正表面场层上的正面钝化层；设置于晶硅衬底背表面的本征非晶硅层；交替排列设置于本征非晶硅层上的n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层；交替排列设置于n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层上的n+掺杂微晶硅层、p+掺杂微晶硅层；设置于n+掺杂微晶硅层及p+掺杂微晶硅层上的背面透明导电膜；设置于背面透明导电膜上的负电极、正电极；以及，由背面透明导电膜至交替排列的n+掺杂非晶硅层、p+掺杂非晶硅层上设置的激光开槽区。2.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述晶硅衬底为N型单晶硅或P型单晶硅中的任意一种；所述晶硅基体前表面为制绒面，背表面为抛光面。3.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正面正表面场层为掺杂非晶硅层、掺杂多晶硅层的任意一种，所述正面正表面场层的厚度为5
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30nm，方阻80
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180Ω。4.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正面钝化层为SiO2层、AlOx层、SiNx层、SiONx层、ZnO层中的一种或几种叠层组合，所述正面钝化层厚度70
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100nm，折射率1.7
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2.4。5.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述本征非晶层的厚3
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10nm。6.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述n+掺杂非晶硅层厚度为5
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10nm，所述p+掺杂非晶硅层厚度为5
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10nm。7.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述n+掺杂微晶硅层厚度为10
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30nm，p+掺杂微晶硅层厚度为10
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30nm。8.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，所述透明导电膜为金属氧化物膜、ITO复合膜、IWO复合膜的一种或几种组合，厚度70
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150nm。9.根据权利要求1所述的一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，其特征在于，当正面正表面场层采用掺杂非晶硅层时，其制备方法包括以下步骤：S1：对晶硅衬底进行双面抛光及制绒，背面形成抛光面，正面形成制绒面，S2：采用PECVD，在晶硅衬底背表面沉积本征非晶硅层；S3：采用PECVD，再通过扩散炉利用POCl3液态源实现掺杂，在晶硅衬底正表面、背表面双面沉积n+掺杂非晶硅层，n+掺杂利用氢气H2稀释的硅烷SiH4气体混合掺杂气体磷烷PH3沉积制备；S4：采用RF
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【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，李含朋，向亮睿，
申请(专利权)人：普乐新能源科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：