一种镍蒸发料的制备方法技术

技术编号:30907844 阅读:22 留言:0更新日期:2021-11-22 23:53
本发明专利技术提供一种镍蒸发料的制备方法,所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。所述制备方法减少了镍蒸发料的内部缺陷,同时提高镍蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。以及均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种镍蒸发料的制备方法


[0001]本专利技术属于真空镀膜领域,涉及一种镍蒸发料的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路用的镍蒸发料是晶圆背金技术不可或缺的原料,但是,现有技术镍蒸发料的质量和性能较差,从而导致镀膜质量的下降。真空蒸镀技术广泛应用于晶圆的背金工艺以及封装镀膜中,半导体芯片对其蒸发料的纯度、表面质量要求极高,否则不仅会导致在真空蒸镀过程中产生Peeling、喷溅等缺陷甚至损毁机台,而且会导致膜的性能不均一,进而可能导致芯片报废。
[0003]CN113233871A公开了一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法,包括以下步骤:(1)将ITO残靶经过预处理,得预处理后的ITO残靶;(2)将所述预处理后的ITO残靶破碎,过筛,得破碎好的ITO粉末;(3)将所述破碎好的ITO粉末装入模具中,然后置于热压炉内,在50~100MPa下进行预压;(4)预压结束后,热压炉内抽真空到<10Pa后,升温至600~1200℃,并保温50~80min,在保温的同时升压至100~200MPa保持30~50min,冷却,即得所述ITO蒸发料。
[0004]CN112872077A公开了一种高纯银蒸发料的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将高纯银锭和挤压模具经预热后进行挤压作业,得到直径为8~10mm的中间料;(2)将中间料进行拉拔处理,得到直径为3~6mm的所述高纯银蒸发料。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题,本申请提供一种镍蒸发料的制备方法,所述制备方法减少了镍蒸发料的内部缺陷,同时提高镍蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。
[0006]为达到上述技术效果,本专利技术采取以下技术方案:
[0007]本专利技术提供一种镍蒸发料的制备方法,=所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。
[0008]本专利技术中,通过对镍蒸发料的原料进行合理的塑性处理,减少了原料内部的缺陷,同时配合清洗处理以及眼膜处理提高得到的镀膜的均匀性。
[0009]作为本专利技术优选的技术方案,所述第一锻伸处理为将坯料锻打至原横向尺寸的48~52%,如48.5%、49%、49.5%、50%、50.5%、51%或51.5%等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0010]优选地,所述第一锻伸处理的温度为890~910℃,如892℃、895℃、898℃、900℃、902℃、905℃或908℃等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0011]作为本专利技术优选的技术方案,所述第二锻伸处理为将所述第一锻伸处理后的坯料锻打至原横向尺寸的50~86%,如55%、60%、65%、70%、75%、80%或85%等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0012]优选地,所述第二锻伸处理的温度为390~410℃,如392℃、395℃、398℃、400℃、402℃、405℃或408℃等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0013]作为本专利技术优选的技术方案,所述车削处理为车削所述第二锻伸处理后的坯料表面至不低于原横向尺寸的75%,如95%、90%、85%或80%等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0014]作为本专利技术优选的技术方案,所述第三锻伸处理为所述车削处理后的坯料拉拔至原横向尺寸的8~22%,如9%、10%、12%、15%、18%、20%或21%等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0015]作为本专利技术优选的技术方案,所述清洗处理为超声清洗处理。
[0016]优选地,所述超声清洗处理包括依次进行的清洗油清洗以及异丙醇清洗。
[0017]优选地,所述清洗油包括煤油、汽油或柴油中的任意一种或至少两种的组合。
[0018]优选地,所述超声清洗的频率为40~100kHz,如50kHz、60kHz、70kHz、80kHz或90kHz等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]优选地,所述清洗油清洗以及异丙醇清洗的时间分别独立地为3~8min,如4min、min、5min、6min或7min等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]作为本专利技术优选的技术方案,所述研磨处理前进行预清洗。
[0021]优选地,所述预清洗为酸洗处理。
[0022]优选地,所述酸洗处理的温度为35~45℃,如36℃、37℃、38℃、39℃、40℃、41℃、42℃、43℃或44℃等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0023]作为本专利技术优选的技术方案,所述研磨处理在研磨液中进行。
[0024]优选地,所述研磨液为含有椰油二乙醇酰胺的洗涤剂。
[0025]优选地,所述研磨处理的转速为150~170rpm,如152rpm、155rpm、158rpm、160rpm、162rpm、165rpm或168rpm等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0026]优选地,所述研磨处理的时间为10~15min,如11min、12min、13min或14min等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]作为本专利技术优选的技术方案,所述研磨处理后进行干燥处理。
[0028]优选地,所述干燥处理为真空干燥。
[0029]优选地,所述真空干燥的温度为60~80℃,如62℃、65℃、68℃、70℃、72℃、75℃或78℃等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0030]优选地,所述真空干燥的真空度不大于10
‑2Pa。
[0031]优选地,所述真空干燥的时间为1~1.5h,如1.1h、1.2h、1.3h或1.4h等,但并不仅限于所列举的数值,该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0032]作为本专利技术优选的技术方案,所述镍蒸发料的制备方法包括依次进行:
[0033]第一锻伸处理,所述第一锻伸处理为将坯料锻打至原横向尺寸的48~52%,温度为890~910℃;
[0034]第二锻伸处理,所述第二锻伸处理为将所述第一锻伸处理后的坯料锻打至原横向尺寸的50~86%,温度为390~410℃;
[0035]车削处理,所述车削处理为车削所述第二锻伸处理后的坯料表面至不低于原横向尺寸的75%;
[0036]第三锻伸处理,所述第三锻伸处理为所述车削处理后的坯料拉拔至原横向尺寸的8~22%;
[0037]清洗处理,所述清洗处理为超声清洗处理,所述超声清洗处理包括依次进行的清洗油清洗以及异丙醇清洗,所述超声清洗的频率为40~100k本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镍蒸发料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一锻伸处理为将坯料锻打至原横向尺寸的48~52%;优选地,所述第一锻伸处理的温度为890~910℃。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述第二锻伸处理为将所述第一锻伸处理后的坯料锻打至原横向尺寸的50~86%;优选地,所述第二锻伸处理的温度为390~410℃。4.根据权利要求1

3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述车削处理为车削所述第二锻伸处理后的坯料表面至不低于原横向尺寸的75%。5.根据权利要求1

4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第三锻伸处理为所述车削处理后的坯料拉拔至原横向尺寸的8~22%。6.根据权利要求1

5任一项所述的制备方法,其特征在于,所述清洗处理为超声清洗处理;优选地,所述超声清洗处理包括依次进行的清洗油清洗以及异丙醇清洗;优选地,所述清洗油包括煤油、汽油或柴油中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述超声清洗的频率为40~100kHz;优选地,所述清洗油清洗以及异丙醇清洗的时间分别独立地为3~8min。7.根据权利要求1

6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述研磨处理前进行预清洗;优选地,所述预清洗为酸洗处理;优选地,所述酸洗处理的温度为35~45℃。8.根据权利要求1

7任一项所述的制备方法,其特征在于,所述研磨处理在研磨液中进行;优...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军潘杰边逸军王学泽章丽娜
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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