【技术实现步骤摘要】
一种双频感应炉直拉单晶硅的装置
[0001]本申请属于硅材料提纯、晶体生产
,具体涉及一种双频感应炉直拉单晶硅的装置。
技术介绍
[0002]在太阳能光伏行业,单晶硅已经逐渐取代多晶硅成为制作太阳能电池片的主要基材。行业内为了追逐“平价上网”之目标,在制作太阳能电池组件之前的每一个环节都要尽可能的把成本降到最低,而作为主要基材的单晶硅,尚有空间可以挖掘。目前,生产单晶硅的方法主要由电子级的区熔法和太阳能级的“CZ法”。CZ法作为太阳能级单晶硅的主要生产方法,存在以下几方面的不足:成品单晶硅棒为近圆形,需要金刚线切方,降低了单晶硅棒的利用率;生产过程中使用电阻加热石墨,石墨热传导至空间使硅熔化,电效率不高;在拉晶过程中,固液界面没有搅拌,不能更加有效的提纯长晶。
技术实现思路
[0003]鉴于此,本申请实施例提供一种双频感应炉直拉单晶硅的装置,以提高单晶硅的生产效率,降低生产成本。
[0004]根据本申请实施例,提供一种双频感应炉直拉单晶硅的装置,包括:
[0005]真空熔炼室;
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双频感应炉直拉单晶硅的装置,其特征在于,包括:真空熔炼室;石英坩埚,所述石英坩埚设置在所述真空熔炼室内;石墨熔化器,所述石墨熔化器固定于所述石英坩埚的上部,所述石墨熔化器上开有供融化后的硅液流出的出液口;加料机构,所述加料机构的出料口通入所述石墨熔化器;中频感应线圈,所述中频感应线圈套设在所述石英坩埚外;低频感应线圈,所述低频感应线圈套设在所述石英坩埚外,且位于所述中频感应线圈的下方;屏蔽环,所述屏蔽环套设在所述石英坩埚外,且位于所述中频感应线圈和所述低频感应线圈之间;升降机构,所述升降机构为所述中频感应线圈、低频感应线圈以及屏蔽环提供升降运动;以及冷却器,所述冷却器位于所述石英坩埚的底部。2.根据权利要求1所述的一种双频感应炉直拉单晶硅的装置,其特征在于,所述石英坩埚位于的底部低于所述屏蔽环底部。3.根据权利要求1所述的一种双频感应炉直拉单晶硅的装置,其特征在于,所述中频感应线圈配有对应的中频感应电源;所述低频感应线圈配有对应...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘立新,王中然,
申请(专利权)人:长沙新立硅材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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