一种直拉单晶反应装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种直拉单晶反应装置，包括内保温层、外保温层、内保温筒和外保温筒，所述外保温筒设于所述内保温筒的外围，所述外保温筒与所述内保温筒之间设有保温间隙，所述内保温层与所述内保温筒紧密连接，所述外保温层与所述外保温筒紧密连接。本实用新型专利技术在内保温筒之外还设有一外保温筒，两者之间存在保温间隙，在内保温筒和外保温筒的壁面上均紧密连接有保温层，形成双层热场，提高了保温性，热场一致性好，增加热场使用寿命；通过将内保温筒和外保温筒的底部可拆卸地连接于所述底板，且壳体与底板也是可拆卸连接，方便拆卸搬运，减少劳动强度。劳动强度。劳动强度。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶反应装置


[0001]本技术属于单晶硅生产
，尤其涉及一种直拉单晶反应装置。

技术介绍

[0002]单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法是通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。
[0003]在单晶硅生产中，目前主流使用的是保温筒+软毡/固毡的单层保温方式进行拉晶。这种单层保温结构的热场中，由于拉晶过程中的高温，软毡会粉化，导致保温性变差，功率上升，成晶效果变差，需要定期对保温毡进行更换。另外地，单层保温结构的热场在使用过程中，保温效果会逐步变差，一致性变差，无法满足对单晶硅高质量生产的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服上述现有技术存在的不足，提供一种直拉单晶反应装置，解决了现有技术中单层保温结构的不足，克服了保温效果差、生产一致性差、热场使用寿命短的缺陷。
[0005]本技术提供一种直拉单晶反应装置，包括内保温层、外保温层、内保温筒和外保温筒，所述外保温筒设于所述内保温筒的外围，所述外保温筒与所述内保温筒之间设有保温间隙，所述内保温层与所述内保温筒紧密连接，所述外保温层与所述外保温筒紧密连接。
[0006]进一步地，所述内保温层设于所述内保温筒的外壁。
[0007]进一步地，所述外保温层设于所述外保温筒的外壁。
[0008]进一步地，还包括内盖板，所述内盖板设于所述内保温筒顶部。
[0009]进一步地，还包括底板和壳体，所述内保温筒和外保温筒的底部均可拆卸地连接于所述底板，所述壳体设于所述外保温筒的外围，所述壳体与所述底板可拆卸连接。
[0010]进一步地，所述壳体的内壁与所述外保温层紧密连接。
[0011]进一步地，所述内保温筒和外保温筒为石墨或碳碳材质制成，所述内保温层和外保温层为软毡。
[0012]进一步地，所述外保温层的厚度为50～115mm。
[0013]进一步地，所述内保温层的厚度为10～30mm。
[0014]进一步地，所述内保温层与所述外保温筒内壁之间的间隙为115mm。
[0015]本技术的有益效果：
[0016]本技术提供一种直拉单晶反应装置，在内保温筒之外还设有一外保温筒，两者之间存在保温间隙，在内保温筒和外保温筒的壁面上均紧密连接有保温层，形成双层热场，提高了保温性，热场一致性好，增加热场使用寿命。
[0017]本技术将内保温筒和外保温筒的底部可拆卸地连接于所述底板，且壳体与底板也是可拆卸连接，方便拆卸搬运，减少劳动强度。
附图说明
[0018]利用附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
[0019]图1是本实施例1的一种直拉单晶反应装置的俯视图。
[0020]图2是在图1中沿A
‑
A剖面线下的剖视图。
具体实施方式
[0021]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0023]实施例1：
[0024]参照图1至图2，实施例1提供一种直拉单晶反应装置，包括内保温层11、外保温层21、内保温筒12和外保温筒22，外保温筒22设于内保温筒12的外围，外保温筒22与内保温筒12之间不直接接触，外保温筒22与内保温筒12之间设有保温间隙，内保温层11与内保温筒12紧密连接，外保温层21与外保温筒22紧密连接。内保温层11与内保温筒12相当于在内的一层热场，外保温层21与外保温筒22相当于在外的一层热场，由此形成双层热场，提高了保温性，热场一致性好，增加热场使用寿命。另外地，在拉晶过程中，炉内是真空环境，且会往里通氩气，氩气会充满内外层热场之间的保温间隙，起到了隔绝热量散失的作用。
[0025]作为一种实施方式，内保温层11设于内保温筒12的外壁；外保温层21设于外保温筒22的外壁。且保温层和保温筒之间可通过胶水等辅助物实现紧密连接。
[0026]参照图2，在本实施例中，还包括内盖板13，内盖板13设于内保温筒12顶部，内盖板13可拆卸的安装在内保温筒12顶部。
[0027]参照图2，在本实施例中，还包括底板4和壳体5，内保温筒12和外保温筒22的底部均可拆卸地连接于底板4，壳体5设于外保温筒22的外围，壳体5与底板4可拆卸连接，壳体5与底板4连接后，在其内围成一个容置空间，在此容置空间内设有内保温筒12和外保温筒22。壳体5由不锈钢材料制成。
[0028]需要说明的是，在拆炉后，只需清理内层热场即可，外层热场可不用清理；且由于内层热场紧挨高温区，内保温层11为软毡，会粉化，导致保温性能下降，当需要更换时，只换内保温层11即可，更换成本下降明显，拆装简便，操作简单。
[0029]作为一种实施方式，壳体5的内壁与外保温层21紧密连接，即外保温层21贴于外保温筒22的外壁后，再在外保温层21的外壁上紧密贴有壳体5，壳体5和外保温筒22共同夹住外保温层21。
[0030]作为一种实施方式，内保温筒12和外保温筒22为石墨或碳碳材质制成，内保温层11和外保温层21为软毡，由于是双层热场，内保温层11的软毡厚度为30mm，相对于单层热场中，软毡厚度一般为150mm，更换成本下降。另外地，内保温筒12可为多层结构，即可分为下保温筒、中保温筒和上保温筒。另外地，内保温层11和外保温层21也可为其他保温材料。
[0031]作为一种实施方式，外保温层21的厚度为50～115mm，内保温层11的厚度为10～30mm，内保温层11与外保温筒22内壁之间的间隙为115mm，即在安装好内外保温层21和内外保温筒22后，双层热场之间的真实间隙，为内保温层11与外保温筒22内壁之间的间隙，此间隙为115mm，而根据炉型大小，此间隙可适应调节。
[0032]相对于现有技术，本技术提供一种直拉单晶反应装置，在内保温筒12之外还设有一外保温筒22，两者之间存在保温间隙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶反应装置，其特征在于，包括内保温层、外保温层、内保温筒和外保温筒，所述外保温筒设于所述内保温筒的外围，所述外保温筒与所述内保温筒之间设有保温间隙，所述内保温层与所述内保温筒紧密连接，所述外保温层与所述外保温筒紧密连接。2.如权利要求1所述的一种直拉单晶反应装置，其特征在于，所述内保温层设于所述内保温筒的外壁。3.如权利要求1所述的一种直拉单晶反应装置，其特征在于，所述外保温层设于所述外保温筒的外壁。4.如权利要求1至3任一项所述的一种直拉单晶反应装置，其特征在于，还包括内盖板，所述内盖板设于所述内保温筒顶部。5.如权利要求4所述的一种直拉单晶反应装置，其特征在于，还包括底板和壳体，所述内保温筒和外保温筒的...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：广东珠海香洲高景太阳能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：