本实用新型专利技术提供一种硅料真空烘干装置，包括烘干槽和真空发生器，所述烘干槽设有抽真空通道，所述真空发生器与所述抽真空通道气道连接，所述烘干槽包括烘干主槽和烘干内层，所述烘干内层设于所述烘干主槽的内侧，所述烘干内层由非金属材料制成。本实用新型专利技术中烘干槽的烘干内层由非金属材料制成，更具体的为四氟材料制成，避免了烘干槽在使用过程中可能出现的碎屑产生的隐患，杜绝了任何形式的金属直接或间接接触硅料的情况，解决了硅料经过真空后出现表面金属杂质含量提高的问题，提高硅料纯度，保证生产质量。保证生产质量。保证生产质量。
【技术实现步骤摘要】
一种硅料真空烘干装置
[0001]本技术属于硅料生产处理
，尤其涉及一种硅料真空烘干装置。
技术介绍
[0002]在晶硅行业，利用真空烘干技术作为硅料清洗已得到广泛推广，硅料经清洗后进入无尘区前需要经过真空烘干，这对于硅料的高纯度处理至关重要，因此烘干槽的洁净度和材质起到重要作用。
[0003]目前烘干设备中的烘干槽主要由金属制成，例如不锈钢等金属材料，由金属制成的烘干槽在使用过程中，受到腐蚀性气体、水和碎硅料的侵蚀影响，会产生微金属屑，这些微金属屑会直接或者间接地接触硅料，使得硅料表面金属杂质含量提高，不满足高纯度要求的硅处理行业的需求。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于克服上述现有技术存在的不足，提供一种硅料真空烘干装置，解决了现有技术中硅料在真空烘干过程中，表面金属杂质含量高、纯度低的问题。
[0005]本技术提供一种硅料真空烘干装置，包括烘干槽和真空发生器，所述烘干槽设有抽真空通道，所述真空发生器与所述抽真空通道气道连接，所述烘干槽包括烘干主槽和烘干内层，所述烘干内层设于所述烘干主槽的内侧，所述烘干内层由非金属材料制成。
[0006]进一步地，所述烘干内层由四氟材料制成。
[0007]进一步地，所述烘干主槽由不锈钢材料制成。
[0008]进一步地，还包括微波发生器和硅料放置架，所述硅料放置架设于所述烘干槽内部，所述烘干槽设有微波进口，所述微波发生器正对于所述微波进口连接于所述烘干槽外壁。
[0009]进一步地，所述微波发生器与所述微波进口外缘之间设有密封连接结构。
[0010]进一步地，硅料放置架包括连接轴、与烘干槽长宽相适配的金属框架、多个平行设置的金属条，所述连接轴可转动地连接于所述烘干槽的左右壁，所述金属框架固定于所述连接轴，所述金属条的两端与金属框架固定连接，金属条与烘干槽的左右壁平行。
[0011]进一步地，所述烘干槽底部设有排污口。
[0012]本技术的有益效果：
[0013]本技术提供一种硅料真空烘干装置，烘干槽的烘干内层由非金属材料制成，更具体的为四氟材料制成，避免了烘干槽在使用过程中可能出现的碎屑产生的隐患，杜绝了任何形式的金属直接或间接接触硅料的情况，解决了硅料经过真空后出现表面金属杂质含量提高的问题，提高硅料纯度，保证生产质量。
附图说明
[0014]利用附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的
任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
[0015]图1是本实施例1的一种硅料真空烘干装置的俯视半剖视图。
具体实施方式
[0016]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0018]实施例1：
[0019]参照图1，实施例1提供一种硅料真空烘干装置，包括烘干槽1和真空发生器2，烘干槽1设有抽真空通道21，真空发生器2与抽真空通道21气道连接，烘干槽1包括烘干主槽11和烘干内层12，烘干内层12设于烘干主槽11的内侧，烘干内层12由非金属材料制成，烘干槽1的顶部设有可拆卸连接的盖板。
[0020]需要说明的是，真空发生器2为真空泵，通过烘干槽1上的抽真空通道21与烘干槽1内的烘干腔气道连接，直接调节烘干槽1内的真空度，在抽真空过程中，包括在烘干过程中，由于烘干内层12是由非金属材料制成，不会产生任何碎屑，更不会有细微的金属屑产生，避免了烘干槽1在使用过程中可能出现的碎屑产生的隐患，杜绝了任何形式的金属直接或间接接触硅料的情况，解决了硅料经过真空后出现表面金属杂质含量提高的问题，提高硅料纯度，保证生产质量。
[0021]作为一种实施方式，烘干内层12由四氟材料制成，耐热性强，稳定性高，更可靠。
[0022]作为一种实施方式，烘干主槽11由不锈钢材料制成，保证强度。
[0023]作为一种实施方式，为了提高真空烘干的效果，本硅料真空烘干装置还包括微波发生器3和硅料放置架4，硅料放置架4设于烘干槽1内部，烘干槽1设有微波进口31，微波发生器3正对于微波进口31连接于烘干槽1外壁，其中，微波发生器3与微波进口31外缘之间设有密封连接结构，保证能量传递过程不会产生泄漏，提高能量利用率。
[0024]需要说明的是，利用微波发生器3所产生的微波，微波与烘干槽1内的硅料上的残留水内部偶极分子发生高频往复运动，产生内摩擦热，使得残留水温度升高，在不需要借助其他介质的情况下，无需接触式的热传导过程，即可使残留水内外部同时加热、同时升温，加热速度快且均匀，在抽真空过程中给残留水提供二次辅热，促进残留水的蒸发，对于较小尺寸，例如100mm以下尺寸的硅料，烘干效果明显。
[0025]作为一种实施方式，硅料放置架4包括连接轴41、与烘干槽1长宽相适配的金属框架42、多个平行设置的金属条43，连接轴41可转动地连接于烘干槽1的左右壁，金属框架42固定于连接轴41，金属条43的两端与金属框架42固定连接，金属条43与烘干槽1的左右壁平
行，此连接轴41可连接于外界的电机，电机驱动连接轴41进行转动，由于微波发生器3固定在同一侧的壁面上，连接轴41转动，进而带动固定在金属条43上的硅料同步转动，达到均匀加热的效果。
[0026]作为一种实施方式，烘干槽1底部设有排污口，以便排污。
[0027]相对于现有技术，本技术提供一种硅料真空烘干装置，烘干槽1的烘干内层12由非金属材料制成，更具体的为四氟材料制成，避免了烘干槽1在使用过程中可能出现的碎屑产生的隐患，杜绝了任何形式的金属直接或间接接触硅料的情况，解决了硅料经过真空后出现表面金属杂质含量提高的问题，提高硅料纯度，保证生产质量。
[0028]最后需要强调的是，本技术不限于上述实施方式，以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅料真空烘干装置，其特征在于，包括烘干槽和真空发生器，所述烘干槽设有抽真空通道，所述真空发生器与所述抽真空通道气道连接，所述烘干槽包括烘干主槽和烘干内层，所述烘干内层设于所述烘干主槽的内侧，所述烘干内层由非金属材料制成。2.如权利要求1所述的一种硅料真空烘干装置，其特征在于，所述烘干内层由四氟材料制成。3.如权利要求2所述的一种硅料真空烘干装置，其特征在于，所述烘干主槽由不锈钢材料制成。4.如权利要求1至3任一项所述的一种硅料真空烘干装置，其特征在于，还包括微波发生器和硅料放置架，所述硅料放置架设于所述烘干槽内部，所述烘干槽设...
【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：广东珠海香洲高景太阳能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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