用于测量材料的电特性的系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及用于测量材料的电特性的系统和方法。本文公开的示例性系统包括：导电探头，其适于容纳一定量的汞，其中导电探头包括具有出口的导电体；以及汞控制系统，其适于向导电探头供应汞。在该示例中，该系统还包括：图像传感器，其适于获得位于材料的表面上的汞滴的图像；以及测量系统，其适于接收汞滴的图像并基于汞滴的图像计算汞滴与材料的表面之间的接触面积。触面积。触面积。

【技术实现步骤摘要】
用于测量材料的电特性的系统和方法


[0001]本公开一般地涉及用于测量材料的电特性的系统和方法的各种新颖实施例。

技术介绍

[0002]当在半导体衬底上制造集成电路产品时，确定各材料层和/或衬底的各种电特性非常重要。用于执行这种电测试的一种技术涉及使用测量系统，该测量系统包括真空操作的汞探头以形成与被测材料的导电接触。IC产品的制造商通常会从第三方供应商处购买这些类型的测量系统。
[0003]为了测量材料层的至少一些电特性(例如电容)，准确地测量(从汞探头分配的)汞滴与该材料层表面之间的接触面积非常重要。这种类型的系统依赖于接触面积的校准以确保准确性，并且此类校准通常由第三方供应商完成。此类校准活动涉及一些成本，并且会导致IC产品制造的延迟。
[0004]本公开涉及用于测量材料的电特性的系统和方法的各种新颖的实施例。

技术实现思路

[0005]以下给出了至少一个所公开的实施例的简化的
技术实现思路
，以便提供对本文公开的主题的某些方面的基本理解。此
技术实现思路
不是本文公开的所有主题的穷举性概述。其并非旨在标识本文公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：导电探头，其适于容纳一定量的汞，所述导电探头包括具有出口的导电体；汞控制系统，其适于向所述导电探头供应汞；图像传感器，其适于获得位于材料的表面上的汞滴的图像；以及测量系统，其适于接收所述汞滴的图像并基于所述汞滴的所述图像计算所述汞滴与所述材料的表面之间的接触面积。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料包括位于半导体衬底上方的至少一个材料层，并且其中，所述表面是所述至少一个材料层的上表面。3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料包括半导体衬底，并且其中，所述表面是所述半导体衬底的上表面。4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述材料包括二氧化硅、氮化硅、高k材料、电介质膜、金属硅化物、聚合物膜、含金属的材料或半导体材料中的一种。5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述图像传感器包括具有成像轴的镜头，所述成像轴基本上平行于所述材料的所述表面取向。6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述测量系统还适于至少使用所计算出的接触面积来计算所述材料的电容、介电常数、击穿电压、势垒高度、电流泄漏、时间相关电介质击穿(TDDB)、掺杂浓度、界面电荷密度或表面电荷密度中的至少一者。7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括与所述导电探头导电耦接的电压源。8.根据权利要求1所述的系统，进一步包括可操作地耦接到所述测量单元的LCR(电感(L)、电容(C)和电阻(R))单元。9.一种系统，包括：半导体衬底；至少一个材料层，其位于所述半导体衬底的上表面上方；导电探头，其适于容纳一定量的汞，所述导电探头包括具有出口的导电体；汞控制系统，其适于向所述导电探头供应汞，并且迫使所述导电探头内的汞的一部分从所述出口出来以形成位于所述至少一个材料层的上表面上的汞滴；图像传感器，其适于获得被定位的所述汞滴的图像；以及测量系统，其适于接收所述汞滴的所述图像并基于所述汞滴的所述图像计算所述汞滴与所述至少一个材料层的所述上表面之间的接触面积。10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述图像传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：