【技术实现步骤摘要】
一种功率MOSFET的钎焊互连结构
[0001]本技术涉及半导体功率器件封装技术，具体涉及一种功率MOSFET的钎焊互连结构。
技术介绍
[0002]在现有技术中功率器件的封装其内部芯片与引线端子的互连通常采用引线键合方式实现，引线键合是指将金属丝（如铝丝、铜丝、金丝）的一端焊接在芯片的键合区，另一端焊接在引线端子上，这样就完成了功率器件内部的芯片与引线端子的互连。所以键合实际上是指内部金属丝两端的“焊接”方法，但该焊接方法并不是通常的熔焊或钎焊。
[0003]引线键合的方式一般为超声压焊或热超声压焊，二者的区别仅在于是否对压焊面加热。超声键合是金属丝在劈刀的压力下同时被施加超声能量，此时金属丝会产生形变而与被键合面产生结合力而形成键合。对于功率MOSFET而言，芯片的背面为漏极，芯片的源极和门极都在芯片正面，现有的功率MOSFET器件在封装时，通常漏极采用钎焊方式与漏极引出端子连接，而芯片的源极和门极均采用引线键合方式与各自引出端子连接。引线键合是将一根根金属丝逐一接合在芯片对应区域及引出端子上，接合时间较长，且金...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET的钎焊互连结构，包括MOSFET芯片，MOSFET芯片的源极和门极在同一面，MOSFET芯片的漏极在源极的相对面上，其特征在于：漏极通过焊料与漏极电极板钎焊连接，源极通过焊料与源极铜片的一端钎焊连接，源极铜片的另一端通过焊料与源极引出端子钎焊连接；门极通过焊料与门极铜片的一端钎焊连接，门极铜片的另一端通过焊料与门极引出端子钎焊连接，门极与门极铜片连接点的焊料内混有焊锡包覆球，焊锡包覆球将门极和门极铜片之间支撑起间隔空间，焊锡包覆球的内部为芯材，芯材外部包覆一层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永恒，马祖光，顾在意，李学，陈静，
申请(专利权)人：山东宝乘电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。