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本实用新型涉及一种功率MOSFET的钎焊互连结构，包括MOSFET芯片，MOSFET芯片的源极和门极在同一面，MOSFET芯片的漏极在源极的相对面上，其特征在于：漏极通过焊料与漏极电极板钎焊连接，源极通过焊料与源极铜片的一端钎焊连接，源极铜...
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