降低单边静态随机存取存储器功率消耗的装置与方法制造方法及图纸

提供一种降低单边ＳＲＡＭ功率消耗的装置与方法。该装置包含至少一列状态存储单元；一检测单元，用来检测写入数据的位状态，并将位状态写入状态存储单元；一写入转换单元，根据位状态将写入数据转换成０位为少数位的储存数据，并将该储存数据写入单边ＳＲＡＭ；以及一读出转换单元，根据储存于状态存储单元的位状态将单边ＳＲＡＭ输出的储存数据加以还原并输出。由于所储存至单边ＳＲＡＭ的位数据中，１位保持为多数位，因此可降低单边ＳＲＡＭ的功率消耗。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可降低单边SRAM功率消耗的装置与方法。图1显示一般单边(Single-ended)静态随机存取存储器(Static RandomAccess Memory，以下简称SRAM)的存储单元电路。当字线(word line)被启动(asserted)时，单一位数据经由位线(bit line)被写入所连接的存储单元110的反相器112或从存储单元110的反相器112读取。相较于使用6个晶体管(transistor)的双边(two-ended)SRAM，由于单边SRAM是由包含于两个反相器111、112内以及一导通晶体管113等5个晶体管所构成，做单边SRAM所占用的面积较小且制造成本较低。图2显示使用单边SRAM存储单元阵列储存数据的结构图。该单元阵列100包含阵列配置的存储单元110、以及控制存储单元110数据写入与读取的字线与位线。单元阵列100的同一列存储单元110连接于同一条字线，而同一行存储单元110则连接于同一位线。因此，当一条字线被启动后，同一列存储单元110的数据经由不同的位线写入或读取。由于每一条位线连接相当多的存储单元110，因此形成较高的电容值。故本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低单边ＳＲＡＭ功率消耗的装置，包括：至少一列状态存储单元；一检测单元，用来检测写入数据的位状态，并将位状态写入前述状态存储单元；一写入转换单元，根据前述位状态将前述写入数据转换成０位为少数位的储存数据，并将该储存数据写入单 边ＳＲＡＭ；以及一读出转换单元，根据储存于前述状态存储单元的前述位状态将前述单边ＳＲＡＭ输出的前述储存数据加以还原并输出。

【技术特征摘要】
1.一种降低单边SRAM功率消耗的装置，包括至少一列状态存储单元；一检测单元，用来检测写入数据的位状态，并将位状态写入前述状态存储单元；一写入转换单元，根据前述位状态将前述写入数据转换成0位为少数位的储存数据，并将该储存数据写入单边SRAM；以及一读出转换单元，根据储存于前述状态存储单元的前述位状态将前述单边SRAM输出的前述储存数据加以还原并输出。2.如权利要求1所述的降低单边SRAM功率消耗的装置，其中当前述位状态为前述写入数据的少数位。3.如权利要求2所述的降低单边SRAM功率消耗的装置，其中前述输入单元为异或门(XOR)。4.如权利要求1所述的降低单边SRAM功率消耗的装置，其中当前述位状态为前述写入数据的多数位。5.如权利要求4所述的降低单边SRAM功率消耗的装置，其中前述处理单元为反异或门(NXOR)。6.一种降低单边...

【专利技术属性】
技术研发人员：林鸿明，白宏达，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]