一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6依次串联，MOS管Q3的2脚与二极管D4连接，MOS管Q3的3脚与二极管D6连接，MOS管Q1的1脚与MOS管Q2的1脚连接，MOS管Q1的2脚与MOS管Q2的2脚连接，能够提高了负压幅值，间接的降低了驱动电压正压幅值，可以无级调节正负压的幅值，对于高频启动的MOS管，启动第一个驱动电压，负压幅值也最大，正压幅值最低，起到保护MOS管的功能，使MOS管更加安全。MOS管更加安全。MOS管更加安全。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着数字控制电源技术的发展，大功率开关电源普遍采用DSP控制，在现有的数字控制技术基础上，谐振变换器在启动和建立的过程中是硬开关，开关管的安全存在威胁，急需一种低成本高性能方案来解决此问题。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。
[0004]本技术通过以下技术方案实现的：
[0005]本技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，其特征在于，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D6连接，所述MOS管Q1的1脚与所述MOS管Q2的1脚连接，所述MOS管Q1的2脚与所述MOS管Q2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦惠，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：