一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6依次串联，MOS管Q3的2脚与二极管D4连接，MOS管Q3的3脚与二极管D6连接，MOS管Q1的1脚与MOS管Q2的1脚连接，MOS管Q1的2脚与MOS管Q2的2脚连接，能够提高了负压幅值，间接的降低了驱动电压正压幅值，可以无级调节正负压的幅值，对于高频启动的MOS管，启动第一个驱动电压，负压幅值也最大，正压幅值最低，起到保护MOS管的功能，使MOS管更加安全。MOS管更加安全。MOS管更加安全。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着数字控制电源技术的发展，大功率开关电源普遍采用DSP控制，在现有的数字控制技术基础上，谐振变换器在启动和建立的过程中是硬开关，开关管的安全存在威胁，急需一种低成本高性能方案来解决此问题。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。
[0004]本技术通过以下技术方案实现的：
[0005]本技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D6连接，所述MOS管Q1的1脚与所述MOS管Q2的1脚连接，所述MOS管Q1的2脚与所述MOS管Q2的2脚连接。
[0006]进一步的，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1与所述MOS管Q1的1脚连接，所述电阻R2一端与所述MOS管Q1的2脚连接，另一端与所述MOS管Q3的1脚连接，所述电阻R3与所述二极管D1连接。
[0007]进一步的，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电容C1，所述电容C1与所述电阻R2连接。
[0008]本技术的有益效果：
[0009]本技术提出的自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路通过RC低通滤波器对MOS管的驱动进行滤波并驱动三极管，当频率变高到设定的值时，把原来串入了3只二极管压降负压，变为串入6只二极管，这样就提高了负压幅值，间接的降低了驱动电压正压幅值；该电路充分利用了三极管的电流放大特性，可以无级调节正负压的幅值；由于谐振变换器例如LLC谐振频率是动态调整的，这样MOS管的负压幅值会随着频率的升高而提高，也就是降低了正压幅值，这样就高频硬开关启动时，MOS管更加安全，正常运行时采用低负压幅值和高正压幅值，降低开关管的导通损耗；对于高频启动的MOS管，启动第一个驱动电压，负压幅值也最大，正压幅值最低，起到保护MOS管的功能。
附图说明
[0010]图1为本技术的自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路的电路图。
具体实施方式
[0011]为了更加清楚完整的说明本技术的技术方案，下面结合附图对本技术作进一步说明。
[0012]请参考图1，本技术提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D6连接，所述MOS管Q1的1脚与所述MOS管Q2的1脚连接，所述MOS管Q1的2脚与所述MOS管Q2的2脚连接；所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1与所述MOS管Q1的1脚连接，所述电阻R2一端与所述MOS管Q1的2脚连接，另一端与所述MOS管Q3的1脚连接，所述电阻R3与所述二极管D1连接；所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电容C1，所述电容C1与所述电阻R2连接。
[0013]在本实施方式中，MOS
‑
DRIV为MOS管驱动信号，直接接到MOS管Q1和MOS管Q2的G级，直接驱动MOS管；MOS
‑
S接MOS管Q3的S极，为MOS管驱动零电位；电阻R1和MOS管Q1、MOS管Q2组成驱动放大，减小对MOS管驱动信号的影响；电阻R2和电容C1组成RC低通滤波器，对高频信号进行滤波衰减，而对低频信号进行轻微滤波；MOS管Q3为钳位负压幅值的三极管，启机时处于截止或者放大状态，启机后处于导通状态；二极管D1～D6位负压形成二极管，通过二极管的导通形成负压，单只二极管导通压降巍峨0.7V；电阻R3为给二极管D1～D6负压形成二极管进行限流；+14V GND为驱动电源。
[0014]当然，本技术还可有其它多种实施方式，基于本实施方式，本领域的普通技术人员在没有做出任何创造性劳动的前提下所获得其他实施方式，都属于本技术所保护的范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，其特征在于，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D6连接，所述MOS管Q1的1脚与所述MOS管Q2的1脚连接，所述MOS管Q1的2脚与所述MOS管Q2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦惠，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：