【技术实现步骤摘要】
同步整流控制电路及应用其的开关电源
[0001]本专利技术涉及一种电力电子技术,更具体地说,涉及一种同步整流控制电路及应用其的开关电源。
技术介绍
[0002]现有技术中,同步整流是采用通态电阻低的功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一种方法。功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能。
[0003]在电路中的大多数情况下,同步整流芯片是被动型芯片,主控芯片先开始工作,在同步整流MOSFET上产生开关信号,初始时刻同步整流控制器供电引脚电压没有超过内部供电开启电压,不能工作,只能依靠同步整流MOSFET的体二极管工作;当同步整流控制器的供电引脚的电压超过内部供电开启电压后,同步整流芯片开始工作。
[0004]但是实际上,在同步整流控制器供电引脚电压没有超过内部供电开启电压前,由于同步整流芯片内部逻辑没有工作,同步整流MOSFET的栅极电压处于高阻状态,由于同步整流MOSFET的漏栅极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制电路,用于控制同步整流管的导通状态,其特征在于,包括:驱动下拉电路,用以在所述同步整流控制电路上电后,且其供电电压达到开启阈值前的时间区间内,通过控制所述同步整流管的驱动电压以使得所述同步整流管在所述时间区间内保持关断。2.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述驱动下拉电路通过在所述时间区间内,将所述同步整流管的驱动电压下拉至所述同步整流管的开启电压以下以使得所述同步整流管在所述时间区间内保持关断。3.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述驱动下拉电路通过在所述时间区间内,将所述同步整流管的驱动电压下拉至地电平以使得所述同步整流管在所述时间区间内保持关断。4.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述驱动下拉电路在所述时间区间内,通过所述同步整流管的漏极电压供电以进行工作。5.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述驱动下拉电路包括下拉电路,所述下拉电路在所述时间区间内将所述同步整流管的驱动电压下拉以使得所述同步整流管在所述时间区间内保持关断,且在所述时间区间以外切断下拉所述同步整流管的驱动电压的通路。6.根据权利要求5所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述下拉电路包括下拉晶体管,其中,所述下拉晶体管耦接至所述同步整流管的栅极与第一电平之间,当所述下拉晶体管导通时,所述同步整流管的栅极耦接第一电平以在所述时间区间内保持关断,所述第一电平小于所述同步整流管的开启电压。7.根据权利要求6所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述下拉电路还包括一使能电路,所述使能电路连接至所述下拉晶体管的栅极和源极之间,当所述使能电路断开时,所述下拉晶体管受控...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新磊,张莎莎,
申请(专利权)人:西安矽力杰半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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