使用齐纳二极管类器件的内存阵列的控制方法技术

本发明专利技术由于以半导体阵列（１００、２００、２１２、３００、４００）中的个别半导体装置改变状态的方式协助提高效率，而有助于该等半导体装置。可在无须晶体管型电压控制的情形下，将状态改变电压施加到该半导体装置的阵列（１００、２００、２１２、３００、４００）中的单一装置。本发明专利技术的二极管效应（１１４、５０８、５１０、９００、１０１４、１１１４、１２１４、１５０２、１７０２、１８１２）由于使状态改变所必要的特定电压电平只发生在所需的装置，而有助于上述的活动。在此种方式下，可在无须使用晶体管技术的情形下而以不同的资料或状态程序化一阵列的装置。本发明专利技术也可提供一种制造这类型的装置的极有效率的方法，而无须制造高成本的外部电压控制半导体装置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大致有关半导体装置，尤其有关采用二极管特性的半导体装置。
技术介绍
半导体已渗透到现代社会的每一局面。这些半导体是用来制作自信息高速公路至家用烤面包机中的电子定时器的每一件物品的基础材料。一般而言，今日所用的被视为“电子产品”的任何装置都使用半导体。这些经常是看不到的实体协助减少每日的工作量，提高空中交通管制系统的安全性，甚至让我们知道何时是将柔软剂加入洗衣剂的适当时机。现代社会在目前所生产的几乎每一种产品中已经仰赖这些装置。而且，当我们继续进展到一个依赖技术的社会时，对更快的装置速度、更大的容量、及更高的功能的需求，将驱使半导体制造商更进一步地增强技术的优势。目前所生产的大部分的半导体系预定用于计算机工业的内部器件或显示器件。通常系将一般人会联想为“计算机相关”装置的装置各别地用于每日使用的产品中。平板屏幕系用于电视机、手持游戏机、及电冰箱。计算机芯片系用于烤面包机、汽车、及行动式电话。由于半导体而使所有这些常见的装置得以实现。由于对更强化产品的需求增加，所以制造商必须生产品质更高且更便宜的半导体装置。一成长中的制造重心领域已是可将那些器件作为高阶应用的基础材料。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元阵列（１００、２００、２１２、３００、４００），包含多个可寻址的存储单元装置（１１０、１１２、１１６、２０６、２１４、３１０、３１２、３１４、３１６、４１０、４１２、４１４、４１６、５００），该等可寻址的存储单元装置具有二极管特性（１１４、５０８、５１０、９００、１０１４、１１１４、１２１４、１５０２、１７０２、１８１２），而该等二极管特性可为了程序化、抹除、及读取的目的而自行管制内部电流。

【技术特征摘要】
US 2002-11-4 10/287,3631.一种存储单元阵列(100、200、212、300、400)，包含多个可寻址的存储单元装置(110、112、116、206、214、310、312、314、316、410、412、414、416、500)，该等可寻址的存储单元装置具有二极管特性(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)，而该等二极管特性可为了程序化、抹除、及读取的目的而自行管制内部电流。2.如权利要求1所述的存储单元阵列(100、200、212、300、400)，其中该等二极管特性(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)类似于方向沿着自位线(102、104、202、208、302、304、316、416)至字线(106、108、204、210、306、308、314、414)的顺向方向而排列的齐纳型二极管(1402、1500、1502、1600、1602、1700)。3.如权利要求1所述的存储单元阵列(100、200、212、300、400)，其中该等二极管特性(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)类似于方向沿着自字线(106、108、204、210、306、308、314、414)至位线(102、104、202、208、302、304、316、416)的顺向方向而排列的齐纳型二极管(1402、1500、1502、1600、1602、1700)。4.如权利要求1所述的存储单元阵列(100、200、212、300、400)，其中该等二极管特性(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)包含用来协助程序化可寻址的存储单元装置(110、112、116、206、214、310、312、314、316、410、412、414、416、500)的电阻性负载器件(116、1404)。5.一种半导体装置，包含至少一个半导体单元(116、502、1018、1704、1902)；以及耦合到至少一个半导体单元(116、502、1018、1704、1902)的一个二极管层(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1602、1702、1812)。6.如权利要求5所述的装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：MA范布斯格克，TN方，CS比尔，Z兰，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]