下载使用齐纳二极管类器件的内存阵列的控制方法的技术资料

文档序号:3084311

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本发明由于以半导体阵列(100、200、212、300、400)中的个别半导体装置改变状态的方式协助提高效率,而有助于该等半导体装置。可在无须晶体管型电压控制的情形下,将状态改变电压施加到该半导体装置的阵列(100、200、212、300、...
该专利属于先进微装置公司所有,仅供学习研究参考,未经过先进微装置公司授权不得商用。

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