三极管稳压充电管理电路制造技术

技术编号:30825425 阅读:53 留言:0更新日期:2021-11-18 12:20
本发明专利技术为三极管稳压充电管理电路,包括电压抬升模块、过温保护线性电路模块和稳压电路模块;电压抬升模块的一端接入交流电,另一端耦接过温保护线性电路模块的输入端,过温保护线性电路模块的输出端耦接于稳压电路模块的输入端,稳压电路模块的输出端与待充电设备连接;其中,电压抬升模块包括有脉冲频率调制单元,以形成单脉冲高压涓流输出,且稳压电路模块设置有高压检测开关,高压检测开关用于脉冲频率调制单元的输出电压,当脉冲频率调制单元的输出电压大于第一阈值时,稳压电路模块输出端切换至参考地;经过高效率升压,输出单脉冲的稳定高压,然后为了防止电压过高带来的过热,进行温度监测和高压监测,达到稳压的线性充电效果。充电效果。充电效果。

【技术实现步骤摘要】
三极管稳压充电管理电路


[0001]本专利技术涉及充电
,特别是涉及一种三极管稳压充电管理电路。

技术介绍

[0002]目前,电池的充电过程通常分为四个阶段:涓流充电阶段、恒流充电阶段、恒压充电阶段以及充电终止阶段。涓流充电阶段通常是指对完全放电的电池进行恢复性充电的阶段,即采用较小的电流对电池进行充电;恒流充电阶段是在涓流充电阶段完成后,通过提高充电电流来实现电池的快速充电的阶段;当电池的电压上升到接近饱和时,开始恒压充电阶段,即将充电电流又降低至较小值实现对电池的充电的阶段;当电池的电压达到饱和时,进入充电终止阶段,即停止对电池进行充电。但是现在的充电需要越来越频繁,且需要的电压越来越大;而现在通过提升电压的方式是电容升压方式,但是电容升压容易带来高压振荡脉冲,而高压振荡脉冲容易对后续的充电开关电路造成过载和脉冲振荡,因此使得充电电压不稳定,还容易损坏元器件,那么现有技术中的电容升压后会接入稳压电路,而稳压电路只能将电压限制在更低范围,但是其产生的振荡的发热却一直在影响稳压电路的效果,因此稳定性还是有所差距;那么亟需一种能够更好的升压,并稳定输出高电压,且防止过温的线性稳压充电电路。

技术实现思路

[0003]为了解决现有问题,本专利技术采用多级模块进行处理,升压采用谐振电流连续的单脉冲输出电流,保证升压的稳定和电流线性稳定程度,然后经由过稳保护电路对升压的稳定性和温度进行监测,当超过温度阈值断开,同时在后续采用稳压和输出电压监测,以满足充电电压的线性一致性。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供一种三极管稳压充电管理电路,包括电压抬升模块、过温保护线性电路模块和稳压电路模块;所述电压抬升模块的一端接入交流电,另一端耦接所述过温保护线性电路模块的输入端,所述过温保护线性电路模块的输出端耦接于所述稳压电路模块的输入端,所述稳压电路模块的输出端与待充电设备连接;其中,所述电压抬升模块包括有脉冲频率调制单元,以形成单脉冲高压涓流输出,且所述稳压电路模块设置有高压检测开关,所述高压检测开关用于所述脉冲频率调制单元的输出电压,当所述脉冲频率调制单元的输出电压大于第一阈值时,所述稳压电路模块输出端切换至参考地。
[0005]作为优选,所述电压抬升模块还包括整流器、升压变压器和电容输出单元;所述整流器将交流电转换成直流电输入所述脉冲频率调制单元,所述脉冲频率调制单元与所述电容输出单元之间通过所述升压变压器进行升压。
[0006]作为优选,所述脉冲频率调制单元包括两组并联的PNP型三极管线路,每条PNP型三极管线路上串联有两个PNP型三极管,PNP型三极管上均反并联有高压整流二极管。
[0007]作为优选,所述脉冲频率调制单元包括第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管和第四PNP型三极管,所述第一PNP型三极管的集电极耦接于直流电正极、发射
极耦接所述第二PNP型三极管的集电极,所述第二PNP型三极管的发射极耦接于直流电负极,所述第三PNP型三极管的集电极耦接于直流电正极和第一PNP型三极管集电极之间,第三PNP型三极管的发射极与第四PNP型三极管的集电极耦接,第四PNP型三极管的发射极耦接于直流电阴极和第二PNP型三极管的发射极之间;第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管和第四PNP型三极管的集电极和发射极之间均反并联有高压整流二极管。
[0008]作为优选,所述升压变压器包括串联的第一电容、第一电感和第二电容;第一电容的第一端耦接于第一PNP型三极管发射极和第二PNP型三极管集电极之间,第二电容的第一端与所述第一电感耦接,第二端耦接于第三PNP型三极管集电级和第四PNP型发射极之间;第二电容的两端还并联有升压器的第一线圈,第二线圈的两端耦接第三电容。
[0009]作为优选,所述过温保护线性电路模块的输入点与第三电容的放电端耦接,另一端与第一芯片的VSS引脚耦接,第一芯片的充电输出引脚耦接于第一NPN型三极管的基极,第一NPN型三极管的发射极与稳压电路模块耦接,集电极与第三电容的放电端耦接。
[0010]作为优选,第一芯片还包括有温度比较引脚和恒压比较输入引脚,温度比较引脚用于检测第三电容输入点的温度,恒压比较输入引脚用于检测第三电容输入点的电压。
[0011]作为优选,第一芯片还包括有LED输出引脚,LED输出引脚连接有发光二极管。
[0012]作为优选,稳压电路模块的输入端连接在LTC3780芯片的VIN引脚,并同时耦接在第五PNP型三极管的集电极,第五PNP型三极管的基极耦接在LTC3780芯片的HO控制引脚,第五PNP型三极管的发射极耦接第二电感的一端,第二电感的另一端耦接在输出端,第六PNP型三极管的集电极耦接于第二电感与输出端之间;第六PNP型三极管的发射极接地,基极耦接于LTC3780芯片的LO控制引脚形成高压检测开关。
[0013]作为优选,稳压电路模块的输入端与LTC3780芯片之间并联有稳压电容组,第二电感和稳压电路模块的输出端之间并联有稳压电容组。
[0014]本专利技术的有益效果是:本专利技术提供一种三极管稳压充电管理电路,包括电压抬升模块、过温保护线性电路模块和稳压电路模块;电压抬升模块的一端接入交流电,另一端耦接过温保护线性电路模块的输入端,过温保护线性电路模块的输出端耦接于稳压电路模块的输入端,稳压电路模块的输出端与待充电设备连接;其中,电压抬升模块包括有脉冲频率调制单元,以形成单脉冲高压涓流输出,且稳压电路模块设置有高压检测开关,高压检测开关用于脉冲频率调制单元的输出电压,当脉冲频率调制单元的输出电压大于第一阈值时,稳压电路模块输出端切换至参考地;经过高效率升压,输出单脉冲的稳定高压,然后为了防止电压过高带来的过热,进行温度监测和高压监测,达到稳压的线性充电效果。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的系统架构图;图2为本专利技术的电压抬升模块电路图;图3为本专利技术的过温保护线性电路模块电路图;图4为本专利技术的稳压电路模块电路图。
[0016]主要元件符号说明如下:1、电压抬升模块;2、过温保护线性电路模块;3、稳压电路模块。
具体实施方式
[0017]为了更清楚地表述本专利技术,下面型合附图对本专利技术作进一步地描述。
[0018]在下文描述中,给出了普选实例细节以便提供对本专利技术更为深入的理解。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部实施例。应当理解所述具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0019]应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件或组件,但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
[0020]本专利技术提供一种三极管稳压充电管理电路,包括电压抬升模块1、过温保护线性电路模块2和稳压电路模块3;电压抬升模块的一端接入交流电,另一端耦接过温保护线性电路模块的输入端,过温保护线性电路模块的输出端耦接于稳压电路本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三极管稳压充电管理电路,其特征在于,包括电压抬升模块、过温保护线性电路模块和稳压电路模块;所述电压抬升模块的一端接入交流电,另一端耦接所述过温保护线性电路模块的输入端,所述过温保护线性电路模块的输出端耦接于所述稳压电路模块的输入端,所述稳压电路模块的输出端与待充电设备连接;其中,所述电压抬升模块包括有脉冲频率调制单元,以形成单脉冲高压涓流输出,且所述稳压电路模块设置有高压检测开关,所述高压检测开关用于所述脉冲频率调制单元的输出电压,当所述脉冲频率调制单元的输出电压大于第一阈值时,所述稳压电路模块输出端切换至参考地。2.根据权利要求1所述的三极管稳压充电管理电路,其特征在于,所述电压抬升模块还包括整流器、升压变压器和电容输出单元;所述整流器将交流电转换成直流电输入所述脉冲频率调制单元,所述脉冲频率调制单元与所述电容输出单元之间通过所述升压变压器进行升压。3.根据权利要求2所述的三极管稳压充电管理电路,其特征在于,所述脉冲频率调制单元包括两组并联的PNP型三极管线路,每条PNP型三极管线路上串联有两个PNP型三极管,PNP型三极管上均反并联有高压整流二极管。4.根据权利要求3所述的三极管稳压充电管理电路,其特征在于,所述脉冲频率调制单元包括第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管和第四PNP型三极管,所述第一PNP型三极管的集电极耦接于直流电正极、发射极耦接所述第二PNP型三极管的集电极,所述第二PNP型三极管的发射极耦接于直流电负极,所述第三PNP型三极管的集电极耦接于直流电正极和第一PNP型三极管集电极之间,第三PNP型三极管的发射极与第四PNP型三极管的集电极耦接,第四PNP型三极管的发射极耦接于直流电阴极和第二PNP型三极管的发射极之间;第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管和第四PNP型三极管的集电极和发射极之间均反并联有高压整流二...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈志坚
申请(专利权)人:深圳市合科泰电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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