本发明专利技术公开一种产生纳米水离子的组件及其方法，正极接线块的另一端与N型半导体的一端电性相接，N型半导体的另一端与第二电极的一端电性相接，第二电极的另一端与P型半导体的一端电性相接，P型半导体的另一端与负极接线块的一端电性相接，第一电极平行的置于第二电极的一侧，且第一电极的中心孔的中轴线正对放电头，第一电极的电压大于第二电极的电压，风扇置于第二电极与第一电极相对的另一侧，风扇的输出口正对第二电极及第一电极的中心孔。本发明专利技术的第二电极还充当了制冷片的功能，降低了制造成本且使组件的结构更简洁；另外，气流是沿第二电极的中心孔的中轴线平行的方向直吹，大大增加了气流的利用效率，从而能产生更多的纳米水离子。多的纳米水离子。多的纳米水离子。
【技术实现步骤摘要】
产生纳米水离子的组件及其方法
[0001]本专利技术涉及杀菌消毒领域，尤其涉及一种产生纳米水离子的组件及其方法。
[0002]
技术介绍
[0003]市面上的纳米水离子发生器的第二电极正对第一电极的中心孔的中轴线，于第二电极的四周装设制冷片，气流流经制冷片从而形成冷却气流，继而从第二电极的两侧往第二电极吹去并往第二电极的放电头爬升，最后从第一电极的中心孔吹出，第二电极的放电头集结冷却气流中的水分从而形成结露，由于第一电极与第二电极之间存在电压差，从而使结露电离并产生电荷移动从而形成具有净化功能的纳米水离子。该发生器工作时，气流的冷却需要另外安装制冷片，制作成本高，且结构复杂；另外，冷却气流需要弯曲爬升至第二电极的放电头，冷却气流弯曲爬升后速度减慢并且一部分冷却气流流至第一电极中心孔的外侧，冷却气流的利用效率欠佳。
[0004]
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种产生纳米水离子的组件及其方法，以解决上述技术问题。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案为：提供一种产生纳米水离子的组件，包括环形的第一电极、棒状的第二电极、正极接线块、负极接线块、P型半导体、N型半导体、电源以及风扇，所述第二电极的中部沿径向向外凸设放电头，所述电源的正极与正极接线块的一端电性相接，所述正极接线块的另一端与所述N型半导体的一端电性相接，所述N型半导体的另一端与所述第二电极的一端电性相接，所述第二电极的另一端与所述P型半导体的一端电性相接，所述P型半导体的另一端与所述负极接线块的一端电性相接，所述负极接线块的另一端与所述电源的负极相接，所述第一电极平行的置于所述第二电极的一侧，且所述第一电极的中心孔的中轴线正对所述放电头，所述第一电极的电压大于所述第二电极的电压，所述风扇置于所述第二电极与所述第一电极相对的另一侧，所述风扇的输出口正对所述第二电极及所述第一电极的中心孔。
[0007]较佳地，所述正极接线块及负极接线块亦正对所述风扇的输出口。
[0008]较佳地，所述第一电极的中心孔呈齿轮状。
[0009]较佳地，所述产生纳米水离子的组件还包括绝缘材质的第二电极安装座及绝缘材质的第一电极安装座，所述第二电极安装座包括第二电极支撑底座、正极接线固定凸台及负极接线固定凸台，所述正极接线固定凸台的底部及负极接线固定凸台的底部均一体固定于所述第二电极支撑底座的顶部，所述N型半导体、所述正极接线块与所述N型半导体连接的一端以及所述第二电极与所述N型半导体连接的一端均固定封装于所述正极接线固定凸台中，所述P型半导体、所述负极接线块与所述P型半导体连接的一端以及所述第二电极与
所述P型半导体连接的一端均固定封装于所述负极接线固定凸台中，所述第一电极安装座包括水平座及垂直固定于所述水平座顶部的竖直固定板，所述竖直固定板开设有第一电极嵌固孔，所述第一电极嵌固于所述第一电极嵌固孔中，所述竖直固定板于所述第一电极嵌固孔的外侧开设有第一固定插孔及第二固定插孔，所述正极接线固定凸台正对第一固定插孔处凸设有第一固插柱，所述负极接线固定凸台正对所述第二固定插孔处凸设有第二固定插柱，所述第一固定插柱固插于所述第一固定插孔中，所述第二固定插柱固插于所述第二固定插孔中，所述第二电极支撑底座搁置于所述水平座之上。
[0010]较佳地，所述竖直固定板的上端朝所述第二电极的一侧延伸有导风板，所述导风板位于所述正极接线固定凸台及负极接线固定凸台的上方。
[0011]本专利技术还提供一种产生纳米水离子的方法，包括以下步骤：S1，提供环形的第一电极、棒状的第二电极、正极接线块、负极接线块、P型半导体、N型半导体、电源以及风扇，所述第二电极的中部沿径向向外凸设放电头；S2，将所述电源的正极与正极接线块的一端电性相接，将所述正极接线块的另一端与所述N型半导体的一端电性相接，将所述N型半导体的另一端与所述第二电极的一端电性相接，将所述第二电极的另一端与所述P型半导体的一端电性相接，将所述P型半导体的另一端与所述负极接线块的一端电性相接，将所述负极接线块的另一端与所述电源的负极相接，从而使所述第二电极制冷，使所述正极接线块及负极接线块制热；S3，将所述第一电极平行的置于所述第二电极的一侧，且使所述第一电极的中心孔的中轴线正对所述放电头，所述第一电极的电压大于所述第二电极的电压；S4，将风扇置于所述第二电极与所述第一电极相对的另一侧，使所述风扇的输出口正对所述第二电极及所述第一电极的中心孔。
[0012]较佳地，步骤S4中，亦使所述正极接线块及负极接线块正对所述风扇的输出口。
[0013]与现有技术相比，本专利技术产生纳米水离子的组件及其方法中的第二电极还充当了制冷片的功能，降低了制造成本且使组件的结构更简洁；另外，气流是沿第二电极的中心孔的中轴线平行的方向直吹，大大增加了气流的利用效率，从而能产生更多的纳米水离子。
[0014][0015]通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。
[0016]附图说明
[0017]图1为本专利技术产生纳米水离子的组件的结构图。
[0018]图2为本专利技术产生纳米水离子的组件第一个角度的局部结构图。
[0019]图3为本专利技术产生纳米水离子的组件第二个角度的局部分解图。
[0020]图4为本专利技术产生纳米水离子的组件第三个角度的局部分解图。
[0021]图5为本专利技术产生纳米水离子的组件第四个角度的局部分解图。
[0022]图6为本专利技术产生纳米水离子的方法的原理框图。
[0023]具体实施方式
[0024]参考图1至图5， 本专利技术产生纳米水离子的组件包括环形的第一电极10、棒状的第二电极20、正极接线块30、负极接线块40、P型半导体50、N型半导体60、电源70以及风扇75。
[0025]所述第二电极20的中部沿径向向外凸设放电头21。所述电源70的正极与正极接线块30的一端电性相接，所述正极接线块30的另一端与所述N型半导体60的一端电性相接，所述N型半导体60的另一端与所述第二电极20的一端电性相接，所述第二电极20的另一端与所述P型半导体50的一端电性相接，所述P型半导体50的另一端与所述负极接线块40的一端电性相接，所述负极接线块40的另一端与所述电源70的负极相接。所述第一电极10平行的置于所述第二电极20的一侧，且所述第一电极10的中心孔的中轴线正对所述放电头21，所述第一电极10的电压大于所述第二电极20的电压。所述风扇75置于所述第二电极20与所述第一电极10相对的另一侧，所述风扇75的输出口正对所述第二电极20及所述第一电极10的中心孔。
[0026]较佳地，所述正极接线块30及负极接线块40亦正对所述风扇80的输出口。使风扇75还能同时吹正极接线块30及负极接线块40，对正极接线块30及负极接线块40进行散热。
[0027]较佳地，所述第一电极10的中心孔呈齿轮状。
[0028]较佳地，所述产生纳米水离子的组件还包括绝缘材质的第二电极安装座80及本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种产生纳米水离子的组件，其特征在于：包括环形的第一电极、棒状的第二电极、正极接线块、负极接线块、P型半导体、N型半导体、电源以及风扇，所述第二电极的中部沿径向向外凸设放电头，所述电源的正极与正极接线块的一端电性相接，所述正极接线块的另一端与所述N型半导体的一端电性相接，所述N型半导体的另一端与所述第二电极的一端电性相接，所述第二电极的另一端与所述P型半导体的一端电性相接，所述P型半导体的另一端与所述负极接线块的一端电性相接，所述负极接线块的另一端与所述电源的负极相接，所述第一电极平行的置于所述第二电极的一侧，且所述第一电极的中心孔的中轴线正对所述放电头，所述第一电极的电压大于所述第二电极的电压，所述风扇置于所述第二电极与所述第一电极相对的另一侧，所述风扇的输出口正对所述第二电极及所述第一电极的中心孔。2.如权利要求1所述的产生纳米水离子的组件，其特征在于：所述正极接线块及负极接线块亦正对所述风扇的输出口。3.如权利要求1所述的产生纳米水离子的组件，其特征在于：所述第一电极的中心孔呈齿轮状。4.如权利要求1所述的产生纳米水离子的组件，其特征在于：还包括绝缘材质的第二电极安装座及绝缘材质的第一电极安装座，所述第二电极安装座包括第二电极支撑底座、正极接线固定凸台及负极接线固定凸台，所述正极接线固定凸台的底部及负极接线固定凸台的底部均一体固定于所述第二电极支撑底座的顶部，所述N型半导体、所述正极接线块与所述N型半导体连接的一端以及所述第二电极与所述N型半导体连接的一端均固定封装于所述正极接线固定凸台中，所述P型半导体、所述负极接线块与所述P型半导体连接的一端以及所述第二电极与所述P型半导体连接的一端均固定封装于所述负极接线固定凸台中，所述第一电极安装座包括水平座及垂直固定于所述水平座顶部的竖直固定板，所述竖直固...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈千智，邱庆彬，邱政翔，
申请(专利权)人：平流层复合水离子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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