一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：（1）获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；（2）在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤（1）获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；（3）在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。本发明专利技术工艺针对芯片焊盘存在沾污的情况，本发明专利技术的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题，明显提高引线的键合拉力，对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。了封装器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
USG Time设定为1S；cap
‑
bond
‑
offset改为
‑
1.5mil；contact Angle设置为3；contact offset设置为5mil。
[0019]步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/20。
[0020]步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。
[0021]实施例2：本专利技术的另一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：
[0022](1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料为AL材质，厚度为18K；
[0023](2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；
[0024](3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。
[0025]步骤(2)中空劈刀操作采用Free
‑
Air
‑
Ball线弧，采用Dry run生产模式， Bonding，USG Time设定为1.5S；cap
‑
bond
‑
offset改为
‑
2mil；contact Angle 设置为3.5；contact offset设置为5mil。
[0026]步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/15。
[0027]步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。
[0028]实施例3：本专利技术的另一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：
[0029](1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料AL层，厚度为 24K；
[0030](2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；
[0031](3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。
[0032]步骤(2)中空劈刀操作采用Free
‑
Air
‑
Ball线弧，采用Dry run生产模式， Bonding，USG Time设定为2S；cap
‑
bond
‑
offset改为
‑
2milcontact Angle设置为4；contact offset设置为5mil。
[0033]步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/10。
[0034]步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。
[0035]以上所述是本专利技术的优选实施例，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于，方法步骤为：（1）获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；（2）在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤（1）获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；（3）在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。2.根据权利要求1所述的芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于：步骤（2）中空劈刀操作，线弧选择Fr...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾育林，田光伟，
申请(专利权)人：江西万年芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：