一种量子点像素化薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点像素化薄膜及其制备方法，所述量子点像素化薄膜包括量子点层和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表面。本发明专利技术通过对基底进行表面预处理，使得图案化的片状/棒状量子点可在基底表面进行原位组装，从而在基板上形成厚度在纳米级的均匀薄膜，进一步提高了量子点的发光效率，当使用喷墨打印技术进行像素化时可避免咖啡环的形成，有助于提高量子点像素化显示的能效。有助于提高量子点像素化显示的能效。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点像素化薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点
，具体涉及一种量子点像素化薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点又叫纳米晶，通常是指由
Ⅱ-Ⅳ
族或
Ⅲ-Ⅴ
族元素组成的纳米颗粒，粒径1-10nm。量子点具有明显的量子限域效应，受到光电刺激时，会发出固定波长的光。由于量子点具有很窄的发光峰，可实现高色域显示，同时具有能耗低、超薄、易于实现柔性显示、易于制造等优势，因此QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)被认为是更优于OLED(OrganicLight-Emitting Diode)技术的下一代显示技术。
[0003]实现QLED也即实现量子点的像素化，现有的像素化技术无法实现对量子点跃迁偶极矩分布的控制，限制了量子点的发光效率。而喷墨打印作为一种非接触、非光刻的高分辨率印刷方式，对于实现量子点的像素化具有很大的潜力，但现有的喷墨打印技术难以避免咖啡环效应，使得打印出的量子点像素薄膜均匀性较差。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点像素化薄膜，其特征在于，所述量子点像素化薄膜包括量子点层和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表面。2.根据权利要求1所述的量子点像素化薄膜，其特征在于，所述量子点的表面包覆有配体；所述量子点选自钙钛矿量子点、核壳量子点、碳量子点中的至少一种；所述配体选自羧酸类配体、不饱和脂肪胺类配体中的至少一种；优选地，所述羧酸类配体选自油酸、月桂酸、羊蜡酸中的至少一种；所述不饱和脂肪胺类配体选自油胺、辛胺中的至少一种；优选地，所述核壳量子点的核选自CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、InP、CuInS中的至少一种；所述核壳量子点的壳选自CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、InP、CuInS中的至少一种；优选地，所述基底经由表面处理剂处理后使用；所述表面处理剂选自硅烷或烷基羧酸；优选地，所述硅烷选自全氟辛基三乙氧基硅烷、烷基氯硅烷、乙烯基硅烷、氨基硅烷、环氧基硅烷、巯基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷中的至少一种；所述烷基羧酸选自硬脂酸；优选地，所述基底选自无机基底、金属氧化物、聚合物、含硅基底、LED基板中的至少一种；优选地，所述聚合物选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、环状聚烯烃、聚醚砜、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷中的至少一种；所述金属氧化物选自ZnO、ZnMgO、MgO中的至少一种；所述含硅基底选自硅片；所述无机基底选...

【专利技术属性】
技术研发人员：高宇南，白鹏，王晶晶，
申请(专利权)人：致晶科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：