惯性传感器及其制备方法技术

本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法，解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中，惯性传感器的制备方法包括：提供第一基板，第一基板包括第一导电层；提供第二基板，第二基板包括第一衬底，第一衬底的材料为单晶材料；将第一导电层和第一衬底结合在一起，形成结合界面；形成可动元件，可动元件包括至少部分第一衬底。一衬底。一衬底。

【技术实现步骤摘要】
惯性传感器及其制备方法


[0001]本申请涉及微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)器件
，具体涉及一种惯性传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]常规的MEMS惯性传感器有2种加工方案，一种是外延多晶硅，一种是SOI技术制备可动结构。外延多晶硅，是需要先沉积牺牲层，再沉积多晶硅种子层后进行外延，牺牲层通过VHF释放掉。这种工艺对于外延多晶硅的应力控制要求比较高，如果应力控制的不好，批量生产的惯性传感器的性能一致性差。SOI技术是通过硅/氧化硅键合的方式完成的，对于键合质量的要求比较高，而且由于氧化硅层不导电，对于氧化硅上下层的电互联比较有挑战。
[0003]申请内容
[0004]有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种惯性传感器及其制备方法，以解决现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。
[0005]本申请第一方面提供了一种惯性传感器的制备方法，包括：提供第一基板，第一基板包括第一导电层；提供第二基板，第二基板包括第一衬底，第一衬底的材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种惯性传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供第一基板，所述第一基板包括第一导电层；提供第二基板，所述第二基板包括第一衬底，所述第一衬底的材料为单晶材料；将所述第一导电层和所述第一衬底结合在一起，形成结合界面；形成可动元件，所述可动元件包括至少部分所述第一衬底。2.根据权利要求1所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，还包括制备所述第一基板；所述制备所述第一基板包括：在第二衬底上制备图形化的第二导电层，图形化的所述第二导电层包括可动元件锚点；在图形化的所述第二导电层上制备牺牲层；对所述牺牲层的第一区域进行刻蚀得到通孔，所述第一区域在垂直于所述第二衬底的方向上的正投影落在所述可动元件锚点上；在所述牺牲层上制备所述第一导电层，所述第一导电层填充所述通孔。3.根据权利要求2所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层上制备所述第一导电层之前，还包括：对所述牺牲层的第二区域进行刻蚀得到盲孔，所述第二区域在垂直于所述第二衬底的方向上的正投影落在所述第二导电层外；所述在所述牺牲层上制备所述第一导电层，所述第一导电层填充所述通孔的同时还填充所述盲孔。4.根据权利要求3所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层上制备所述第一导电层，所述第一导电层填充所述通孔的同时还填充所述盲孔之前，还包括：在所述盲孔内制备防粘连层。5.根据权利要求1
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4中任一所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述第一基板还包括与所述第一导电层叠置的牺牲层，所述牺牲层包括通孔，所述第一导电层填充所述通孔；所述形成可动元件包括：对所述第二基板进行减薄至剩余部分所述第一衬底；从剩余的部分所述第一衬底表面进行图形化刻蚀至露出所述牺牲层；腐蚀掉部分所述牺牲层，以形成所述可动元件。6.根据权利要求2所述的惯性传感器的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层上制备所述第一导电层，所述第一导电层填充所述通孔之后，还包括；从所述第一导电层表面向下进行刻蚀形成凹槽，至露出图形化的所述第二导电层和所述通孔中的所述第一导电层，以得到图形化的所述第一导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄瑞芬，胡维，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：