一种触控层及其制备方法，以及触控装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种触控层及其制备方法，以及触控装置，涉及触控技术领域。其中，触控层包括第一基材层、具有触控阵列图案的纳米金属线膜层，以及第二基材层，所述纳米金属线膜层位于所述第一基材层与所述第二基材层之间，所述纳米金属线膜层中混合有高折射率聚合物。在本发明专利技术实施例中，可以在触控层中位于第一基材层与第二基材层之间的纳米金属线膜层中混合高折射率聚合物，从而可以对纳米金属线膜层的折射率进行调节，减弱了纳米金属线膜层的漫反射，降低了触控层表面的雾度。降低了触控层表面的雾度。降低了触控层表面的雾度。

【技术实现步骤摘要】
一种触控层及其制备方法，以及触控装置


[0001]本专利技术涉及触控
，特别是涉及一种触控层及其制备方法，以及触控装置。

技术介绍

[0002]随着移动终端、可穿戴设备、智能家电的发展，市场对于触控面板的大尺寸化、低价化及柔性化需求越来越大。触控面板中的触控层通常采用ITO薄膜，而传统的ITO薄膜无法弯曲应用、导电率低及透光性低等本质问题无法有效提升。而纳米银线等纳米金属线在阻值、延展性、弯曲性上所展现的优势，使其成为替代ITO薄膜的一种重要方案。
[0003]以纳米银线为例，纳米银线技术是将纳米银线墨水材料涂抹在塑料或者玻璃基板上，然后利用镭射光刻技术，制成具有横纵交错的触控阵列图案的透明导电薄膜，作为触控层。由于其线宽的直径非常小，约为50nm，因此其透过率可以达到90％以上。
[0004]但纳米银线触控层也有其缺点，由于纳米银线采用涂覆的方式，沾满整个底层基板表面，因此，纳米银线工艺所制成的触控层表面雾度高，存在严重的漫反射问题，屏幕的雾度问题会导致在强光线照射的情况下，屏幕反光强烈，严重的时候会使用户看不清屏幕。因此，此类纳米金属线触控层存在雾度较大的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种触控层及其制备方法，以及触控装置，以解决现有的纳米金属线触控层的雾度较大，易导致用户看不清屏幕的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种触控层，包括第一基材层、具有触控阵列图案的纳米金属线膜层，以及第二基材层，所述纳米金属线膜层位于所述第一基材层与所述第二基材层之间，所述纳米金属线膜层中混合有高折射率聚合物。
[0007]可选地，所述纳米金属线膜层靠近所述第一基材层的一侧设置有多个第一聚光结构，所述第一基材层靠近所述纳米金属线膜层的一侧设置有多个第一微结构，所述第一聚光结构与所述第一微结构的形状相匹配。
[0008]可选地，所述纳米金属线膜层靠近所述第二基材层的一侧设置有多个第二聚光结构，所述第二基材层靠近所述纳米金属线膜层的一侧设置有多个第二微结构，所述第二聚光结构与所述第二微结构的形状相匹配。
[0009]可选地，所述第一聚光结构为半球形凸面结构。
[0010]可选地，所述第二聚光结构为半球形凸面结构。
[0011]可选地，所述纳米金属线膜层中还混合有金属氧化物纳米颗粒、高原子数单体和高原子数聚合物中的至少一种。
[0012]可选地，所述高折射率聚合物包括芳香族单体的聚合物和溴化芳香族单体的聚合物中的至少一种。
[0013]可选地，所述纳米金属线膜层包括纳米银线、纳米铜线和纳米锡线中的至少一种。
[0014]为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种触控层的制备方法，所述方法包括：
[0015]在纳米金属线墨水中添加高折射率聚合物，形成纳米金属线混合液；
[0016]将所述纳米金属线混合液涂覆在第二基材层上，形成纳米金属线涂层；
[0017]对所述纳米金属线涂层进行固化处理；
[0018]对固化后的所述纳米金属线涂层进行图案化处理，形成具有触控阵列图案的纳米金属线膜层；
[0019]在所述纳米金属线膜层上形成第一基材层，得到触控层。
[0020]可选地，所述对所述纳米金属线涂层进行固化处理，包括：
[0021]通过第一压板在所述纳米金属线涂层上压合形成多个第一聚光结构，以及在所述第一压板的压合过程中，对所述纳米金属线涂层进行固化处理。
[0022]可选地，所述将所述纳米金属线混合液涂覆在第二基材层上，形成纳米金属线涂层，包括：
[0023]通过第二压板在第二基材层上压合形成多个第二微结构；
[0024]将所述纳米金属线混合液涂覆在所述第二基材层上，形成包括多个第二聚光结构的纳米金属线涂层；所述第二聚光结构与所述第二微结构的形状相匹配。
[0025]为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种触控装置，包括上述触控层。
[0026]与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：
[0027]在本专利技术实施例中，可以在触控层中位于第一基材层与第二基材层之间的纳米金属线膜层中混合高折射率聚合物，从而可以对纳米金属线膜层的折射率进行调节，减弱了纳米金属线膜层的漫反射，降低了触控层表面的雾度。
附图说明
[0028]图1示出了现有的纳米银线触控层的截面示意图；
[0029]图2示出了本专利技术实施例一的一种触控层的截面示意图；
[0030]图3示出了本专利技术实施例一的另一种触控层的截面示意图；
[0031]图4示出了本专利技术实施例一的一种光路示意图；
[0032]图5示出了本专利技术实施例一的又一种触控层的截面示意图；
[0033]图6示出了本专利技术实施例二的一种触控层的制备方法的步骤流程图；
[0034]图7示出了本专利技术实施例二的一种形成纳米金属线涂层后的触控层截面示意图；
[0035]图8示出了本专利技术实施例二的一种第二基材层的截面示意图；
[0036]图9示出了本专利技术实施例二的另一种形成纳米金属线涂层后的触控层截面示意图；
[0037]图10示出了本专利技术实施例二的一种在纳米金属线涂层上压合形成多个第一聚光结构的示意图；
[0038]图11示出了本专利技术实施例二的另一种在纳米金属线涂层上压合形成多个第一聚光结构的示意图；
[0039]图12示出了本专利技术实施例二的一种第一压板的示意图；
[0040]图13示出了本专利技术实施例二的一种压合后移除第一压板的示意图。
具体实施方式
[0041]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0042]在对本专利技术实施例进行详细说明之前，首先对现有的纳米金属线触控层及其雾度问题进行介绍。
[0043]以下将以量产较大的纳米银线触控层为例进行说明。图1示出了现有的纳米银线触控层的截面示意图，参照图1，11为第一基材层，12为具有X、Y方向横纵交错的触控阵列图案的纳米银线膜层，纳米银线膜层12中包括纳米银线121，13为第二基材层。图1以平行光入射纳米银线触控层举例，暂不考虑二次折射和反射等因素。由于纳米银线直径约20至100nm，长度20至70um，纵横比约为1000，不同的长度及不同的弯曲形态导致光线在纳米银线表面产生大量的漫反射，以图1中的平行光入射触控层为例，由于纳米银线表面产生大量的漫反射，因此，出射光线的方向较为杂乱，此即纳米银膜层表面表现出高雾度的原因。
[0044]在实际应用中，不局限于纳米银线触控层，包含有某些其他纳米金属线的触控层也会出现类似的高雾度问题。
[0045]针对此类纳米金属线触控层的高雾度问题，也可以采用一些解决方案，例如在纳米金属线触控层基础上再增加一层高反射或低反射膜，但这种方式会额外增加触控层的厚度，影响触控层的柔性弯折和透过率。也有采用粗糙化纳米金属线表面的方式，可是无论根据纳米金属线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控层，其特征在于，包括第一基材层、具有触控阵列图案的纳米金属线膜层，以及第二基材层，所述纳米金属线膜层位于所述第一基材层与所述第二基材层之间，所述纳米金属线膜层中混合有高折射率聚合物。2.根据权利要求1所述的触控层，其特征在于，所述纳米金属线膜层靠近所述第一基材层的一侧设置有多个第一聚光结构，所述第一基材层靠近所述纳米金属线膜层的一侧设置有多个第一微结构，所述第一聚光结构与所述第一微结构的形状相匹配。3.根据权利要求1或2所述的触控层，其特征在于，所述纳米金属线膜层靠近所述第二基材层的一侧设置有多个第二聚光结构，所述第二基材层靠近所述纳米金属线膜层的一侧设置有多个第二微结构，所述第二聚光结构与所述第二微结构的形状相匹配。4.根据权利要求2所述的触控层，其特征在于，所述第一聚光结构为半球形凸面结构。5.根据权利要求3所述的触控层，其特征在于，所述第二聚光结构为半球形凸面结构。6.根据权利要求1所述的触控层，其特征在于，所述纳米金属线膜层中还混合有金属氧化物纳米颗粒、高原子数单体和高原子数聚合物中的至少一种。7.根据权利要求1所述的触控层，其特征在于，所述高折射率聚合物包括芳香族单体的聚合物和溴化芳香族单体的聚合物中的至少一种。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙吉星，徐壮，王馨蕊，张金玲，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：