内存系统技术方案

一种内存系统，其包括具有内存组的内存，各内存组具有用于修复缺陷的冗余区域。当在一个内存组中发生多个缺陷时，通过采用具有缺陷的该内存组的冗余区域修复至少一个缺陷并且通过采用另一个内存组的冗余区域修复至少另一个缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于修复内存中缺陷的内存系统。
技术介绍
已经制造半导体内存进行屏幕测试，当通过测试确定内存具有缺陷区域并 且修复该缺陷区域时，在对内存访问中采用一种方法，其确定输入的地址是否 指示内存中的缺陷区域，并且当该输入的地址指示缺陷区域时，将该输入的地 址进行变换以指示内存中的冗余区域。为了使能内存中的有效冗余修复，用于 内存的冗余修复装置例如在公开号为No.2005-196843的日本专利申请中有所 公开，该装置在每个地址基础上，而不是在每行或每列的基础上，执行修复。图5示出了传统的用于内存的冗余修复装置的结构方框图。用于图5的内 存的冗余修复装置包括冗余地址产生装置502、选择器503、内存504和冗余 内存505。冗余地址产生装置502包括分别指示内存中缺陷部分的缺陷地址和对应 于缺陷地址的冗余内存中的冗余地址。当通过冗余地址产生装置502接收的输 入地址501与其中保持的任一缺陷地址都不一致时，冗余地址产生装置502 向选择器503输出指示选择输入地址501的选择信号506并且将其提供给内存504。 当由冗余地址产生装置502接收的输入地址501与其中保持的缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存系统，包括：　　　　具有内存组的内存，各内存组具有用于修复缺陷的冗余区域，其中，　　　　当在一个内存组中发生多个缺陷时，通过采用具有该多个缺陷的内存组的冗余区域修复该多个缺陷的至少一个缺陷，并且通过采用另一内存组的冗余区域修复该多个缺陷的至少另一个缺陷。

【技术特征摘要】
JP 2006-7-26 2006-2038561、一种内存系统，包括具有内存组的内存，各内存组具有用于修复缺陷的冗余区域，其中，当在一个内存组中发生多个缺陷时，通过采用具有该多个缺陷的内存组的冗余区域修复该多个缺陷的至少一个缺陷，并且通过采用另一内存组的冗余区域修复该多个缺陷的至少另一个缺陷。2、 根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，所述至少一个缺陷通 过采用具有该多个缺陷的内存组的冗余区域的熔断方法进行修复。3、 根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，所述至少另一个缺陷 通过将访问地址变换为另一内存组的冗余区域的地址而进行修复。4、 根据权利要求3所述的内存系统，其特征在于，将各内存组与修复在 所述具有多个缺陷的内存组中发生的多个缺陷之一的另一内存组预先相关联， 并且当访问地址被变换时，变换指定对应于所述具有多个缺陷的内存组的内存 组所需的地址中的位。5、 根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，将各内存组与能够修 复在所述具有多个缺陷的内存组中发生的缺陷的另一内存组预先相关联，并且 激活对应与所述具有多个缺陷的内存组的内存组。6、 根据权利要求l所述的内存系统，其特征在于，还包括地址变换电路，用于将输入到内存系统的第一地址变换为指示另一内存 组的冗余区域的第二地址，该另一内存组的冗余区域在由第一地址指示的区域中发生缺陷时修改该区域中的缺陷；缺陷地址寄存器，用于保持指示已经由所述另一内存组的冗余区域修复 的区域的地址并且输出与由输入的组选择地址指示的内存组相对应的地址；一致信号产生电路，用于输出一致信号，该一...

【专利技术属性】
技术研发人员：大八木睦，西川亮太，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]