功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质技术方案

本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。的缺陷检测不准确的问题。的缺陷检测不准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质


[0001]本申请涉及芯片测试领域，尤其涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]变频空调外机的控制器主板上一般包含IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)和PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)电路，IPM和PFC电路均包含至少一个IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片、FRD(Fast Recovery Diode，快恢复二极管)芯片等功率芯片。
[0003]空调在总装测试时，若功率芯片有质量问题，测试过程会出现电路板炸板现象。对此类有质量问题的功率芯片进行失效分析往往较难，因为功率芯片大部分已被烧毁，失效点已被破坏，即使结合多种失效分析手段，都较难观察到失效形貌。因此，只能通过对和被烧毁的功率芯片同批次的功率芯片进行排查分析和情景模拟，观察炸板现象是否复现。
[0004]如果功率芯片内部存在缺陷，即使通过CP(Chip Probe，晶圆测试)和FT(Final Test，成品测试)，仍有很大概率未检测出缺陷，导致功率芯片焊接在电路板上进行测试时，缺陷被放大，造成功率芯片短路烧毁。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种功率芯片缺陷检测方法，包括：
[0007]对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，所述电流测试中施加到所述功率芯片上的测试电流大于所述功率芯片的额定电流；
[0008]根据所述测试结果，检测出有缺陷的所述功率芯片。
[0009]可选地，在所述功率芯片封装完成之后，进行成品测试之前，所述电流测试为第一电流测试，所述第一电流测试的所述测试电流为第一测试电流，所述第一电流测试的所述测试结果为第一测试结果，所述第一电流测试的测试时长小于第一预设时长。
[0010]可选地，所述对功率芯片进行第一电流测试，获得第一测试结果，包括：
[0011]在所述功率芯片中包含绝缘栅双极型晶体管芯片时，对所述绝缘栅双极型晶体管芯片进行双脉冲测试，获得所述第一测试结果。
[0012]可选地，所述对功率芯片进行第一电流测试，获得第一测试结果，包括：
[0013]在所述功率芯片中包含快恢复二极管芯片时，对所述快恢复二极管芯片进行浪涌测试，获得所述第一测试结果。
[0014]可选地，在所述功率芯片的成品测试阶段，所述电流测试为第二电流测试，所述第二电流测试的所述测试电流为第二测试电流，所述第二电流测试的所述测试结果为第二测试结果，所述第二测试电流小于所述第一测试电流，所述第二电流测试的测试时长大于第
二预设时长。
[0015]可选地，在所述功率芯片中包含所述绝缘栅双极型晶体管芯片时，所述第二测试结果为所述绝缘栅双极型晶体管芯片的导通压降；
[0016]在所述功率芯片中包含所述快恢复二极管芯片时，所述第二测试结果为所述快恢复二极管芯片的正向电压。
[0017]可选地，所述对功率芯片进行电流测试，获得测试结果之前，所述方法还包括：
[0018]在所述功率芯片的晶圆测试阶段，对所述功率芯片进行第三电流测试，获得第三测试结果，其中，所述第三电流测试的第三测试电流为所述功率芯片的所述额定电流；
[0019]根据所述第三测试结果，检测出有缺陷的所述功率芯片。
[0020]可选地，所述对功率芯片进行第一电流测试，获得第一测试结果，包括：
[0021]在所述功率芯片中包含绝缘栅场效应管芯片时，对所述绝缘栅场效应管芯片进行雪崩测试，获得所述第一测试结果。
[0022]第二方面，本申请实施例提供了一种功率芯片缺陷检测系统，包括：电流提供组件、测试组件和处理组件；
[0023]所述电流提供组件，用于为功率芯片提供测试电流；
[0024]所述测试组件，用于对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，所述电流测试中施加到所述功率芯片上的测试电流大于所述功率芯片的额定电流；
[0025]所述处理组件，用于根据所述测试结果，检测出有缺陷的所述功率芯片。
[0026]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和通信总线，其中，处理器和存储器通过通信总线完成相互间的通信；
[0027]所述存储器，用于存储计算机程序；
[0028]所述处理器，用于执行所述存储器中所存储的程序，实现第一方面所述的功率芯片缺陷检测方法。
[0029]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面所述的功率芯片缺陷检测方法。
[0030]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本申请实施例提供的该方法，对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。相对于现有技术中通过对功率芯片进行晶圆测试和成品测试，筛选品质优良的功率芯片，只能间接说明品质优良的功率芯片流片或者封装工艺稳定，保证功率芯片的参数在合格使用范围内，无法筛出芯片的隐形缺陷，无法保证芯片的可靠性能。而本申请实施例提供的该方法，通过对功率芯片进行电流测试，测试电流大于功率芯片的额定电流，能够放大功率芯片中的缺陷，检测出有缺陷的功率芯片，保证功率芯片的质量，避免将有缺陷的功率芯片焊接到电路板上，进而出现电路板炸板现象，解决了通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
附图说明
[0031]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为现有技术中IGBT芯片的剖面图；
[0034]图2为本申请实施例中功率芯片缺陷检测方法的流程示意图；
[0035]图3为现有技术中由IGBT芯片和FRD芯片封装成的IGBT器件的封装示意图；
[0036]图4为现有技术中由IGBT芯片和FRD芯片封装成的IGBT器件的原理图；
[0037]图5为本申请一个具体实施例中双脉冲测试的波形图；
[0038]图6为本申请一个具体实施例中功率芯片缺陷检测方法的流程示意图；
[0039]图7为本申请实施例中功率芯片缺陷检测系统的结构示意图；
[0040]图8为本申请实施例中电子设备的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，所述电流测试中施加到所述功率芯片上的测试电流大于所述功率芯片的额定电流；根据所述测试结果，检测出有缺陷的所述功率芯片。2.根据权利要求1所述的功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，在所述功率芯片封装完成之后，进行成品测试之前，所述电流测试为第一电流测试，所述第一电流测试的所述测试电流为第一测试电流，所述第一电流测试的所述测试结果为第一测试结果，所述第一电流测试的测试时长小于第一预设时长。3.根据权利要求2所述的功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述对功率芯片进行第一电流测试，获得第一测试结果，包括：在所述功率芯片中包含绝缘栅双极型晶体管芯片时，对所述绝缘栅双极型晶体管芯片进行双脉冲测试，获得所述第一测试结果。4.根据权利要求2所述的功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述对功率芯片进行第一电流测试，获得第一测试结果，包括：在所述功率芯片中包含快恢复二极管芯片时，对所述快恢复二极管芯片进行浪涌测试，获得所述第一测试结果。5.根据权利要求2所述的功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，在所述功率芯片的成品测试阶段，所述电流测试为第二电流测试，所述第二电流测试的所述测试电流为第二测试电流，所述第二电流测试的所述测试结果为第二测试结果，所述第二测试电流小于所述第一测试电流，所述第二电流测试的测试时长大于第二预设时长。6.根据权利要求5所述的功率芯片缺陷检测方法，其特征在于，在所述功率芯片中包含所述绝缘栅双极型晶体管芯片时，所述第二测试结果为所述绝缘栅双极型晶体管芯片的导通压...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁赛嫦，郭依腾，曾丹，吴佳蒙，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：