一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSIRTS水平的方法技术

本发明专利技术提供一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，提供硅基底，在硅基底上形成深沟槽；在深沟槽中依次覆盖第一氧化层、HK介质层、第二氧化层、钨粘着层；在硅基底上沉积钨以填充深沟槽；刻蚀去除硅基底表面的钨；在填充满钨的深沟槽上表面通过PECVD的方法沉积厚度为的氧化阻挡层。显著降低了芯片RTS的整体水平，P50和P97参数改善20％以上；同时芯片白点像素和暗电流水平也大幅降低；芯片的噪声水平得到显著改善，提高了芯片良率，在相同成本下获得更多利润。在相同成本下获得更多利润。在相同成本下获得更多利润。

【技术实现步骤摘要】
一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSIRTS水平的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSIRTS水平的方法。

技术介绍

[0002]背面照明BSI(backsideilluminatedCIS)是将硅片减薄后，在光电二极管背面搭建CF及MicroLens，光线由背面射入，增大了光电元件感光面积，减少了光线经过布线时的损失，可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。BSI深沟槽隔离技术(Deeptrenchisolation，DTI)技术：硅片减薄后，为了防止串扰，需要在光电二极管之间采用DTI技术,可大幅降低像素之间的串扰，提高成像质量。
[0003]RTS(随机电报噪声)：是表征CIS性能的一个重要参数,它是一个随机过程，在CIS中，RTS噪声会在本该是黑色的地方产生错误的白点，严重影响成像质量；RTS主要来源为暗电流(darkcurrent)。钨阻挡氧化层(WBlockoxide)一般在DTI中采用W填充，WCMP或者刻蚀后表面需沉积一层氧化阻挡层,对DTI进行隔离和保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成深沟槽；步骤二、在所述深沟槽中依次覆盖第一氧化层、HK介质层、第二氧化层、钨粘着层；步骤三、在所述硅基底上沉积钨以填充所述深沟槽；步骤四、刻蚀去除所述硅基底表面的钨；步骤五、在填充满钨的深沟槽上表面通过PECVD的方法沉积厚度为的氧化阻挡层。2.根据权利要求1所述的通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，其特征在于：步骤一中通过等离子体刻蚀和湿法刻蚀相结合的方式在所述硅基底上形成所述深沟槽。3.根据权利要求1所述的通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，其特征在于：步骤三中通过物理气相沉积的方法在所述深沟槽中填充钨。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵春山，康柏，张武志，曹亚民，周维，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：