一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种反极性芯片，尤其涉及一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片。一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片，N

【技术实现步骤摘要】
一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片


[0001]本技术涉及一种反极性芯片，尤其涉及一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片。

技术介绍

[0002]LED具有高光效、低能耗、长寿命、高环保等优势，早已成为日常生活中不可或缺的光电元器件，目前已广泛应用于高效固态照明领域中，如数码管、显示屏、背光源、汽车用灯、交通信号灯、景观照明等。
[0003]目前，LED由于光提取效率低，使得外量子效率不高，因此LED主要的问题集中在如何将光从半导体材料内部提取出来。GaAs是一种吸光材料，有源区发射的光能够被其吸收，是限制LED光提取效率的主要因素。为了消除GaAs衬底对光的吸收，硅衬底通过衬底转移技术来替代GaAs衬底作为芯片的永久支撑衬底，制成了反极性芯片。在进行反极性芯片外延结构生长时，高掺杂浓度的AlGaInP难以生长，为了保证外延层与金属电极实现欧姆接触，需要在AlGaInP上面再生长一层高掺杂浓度的GaAs。高掺杂浓度的GaAs虽然实现了外延层与金属电极的欧姆接触，但是它会吸收有源区发射的光，影响芯片的出光效率。常用的处理方式是将金属电极区域之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片，从下到上包括P面电极、永久硅衬底、第一金属层、第二金属层、介质膜层、P
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GaP层、P
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AlInP层、MQW有源区、N
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AlInP层、N
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AlGaInP层、N
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GaAs层和N面电极,其特征在于：所述N
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GaAs层被蚀刻成互相具有间隔的栅线，所述栅线直接互相连接或通过位于两者之间的所述栅线间接互相连接，所述栅线交错分布在整个所述N
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AlGaInP层上，所述N
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GaAs层上设置有所述N面电极，与所述N面电极直接连接的所述栅线的厚度大于不与所述N面电极直接连接的所述栅线的厚度。2.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王克来，徐培强，熊珊，潘彬，王向武，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：