图案化方法及半导体结构技术

技术编号:30764514 阅读:38 留言:0更新日期:2021-11-10 12:20
本发明专利技术公开一种图案化方法及半导体结构,图案化方法包括:提供衬底;在衬底上形成目标刻蚀层;在目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层;在图形转移层内形成第二图案,其中,第二图案的边界与第一图案的边界不重合;以图形转移层为掩膜,刻蚀目标刻蚀层。刻蚀目标刻蚀层。刻蚀目标刻蚀层。

【技术实现步骤摘要】
图案化方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
,具体而言,涉及一种图案化方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)包含由多个存储单元(memory cell)构成的存储区(array area),以及控制电路所在的周边电路区(peripheral area)。随着半导体器件尺寸的不断减小,为了提高器件的集成度,提出了自对准双层图案化工艺(self

aligned

doubled patterning,SADP)。
[0003]然而,相关技术中的自对准双层图案化工艺形成的图形的边界处的尺寸过小,容易成为微粒缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种图案化方法及半导体结构,以解决上述存在的图形的边界处的尺寸过小,容易成为微粒缺陷的问题。
[0005]本专利技术实施例的图案化方法,包括:
[0006]提供衬底;
[0007]在所述衬底上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案化方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成目标刻蚀层;在所述目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层;在所述图形转移层内形成第二图案,其中,所述第二图案的边界与所述第一图案的边界不重合;以所述图形转移层为掩膜,刻蚀所述目标刻蚀层。2.根据权利要求1所述的图案化方法,其特征在于,所述第二图案的边界位于所述第一图案的边界以内。3.根据权利要求2所述的图案化方法,其特征在于,所述第二图案的边界与所述第一图案的边界之间的距离小于或等于50nm。4.根据权利要求1所述的图案化方法,其特征在于,所述第一图案包括多条间隔设置且沿第一方向延伸的第一条状结构,所述第二图案包括多条间隔设置且沿第二方向延伸的第二条状结构;其中,所述第二方向与所述第一方向不同。5.根据权利要求1所述的图案化方法,其特征在于,在所述目标刻蚀层上形成具有第一图案的图形转移层,包括:在所述图形转移层的顶面形成多个间隔设置且沿第一方向延伸的第一掩膜条;在所述图形转移层的顶面以及所述第一掩膜条的顶面和侧面形成第一侧墙层;在第一侧墙层的表面形成第一牺牲层;刻蚀所述第一掩膜条和所述第一牺牲层之间的所述第一侧墙层,并以刻蚀后的图案为掩膜,刻蚀所述图形转移层。6.根据权利要求5所述的图案化方法,其特征在于,在所述图形转移层的顶面形成多个间隔设置且沿第一方向延伸的第一掩膜条,包括:在所述图形转移层的顶面由下至上依次形成第二牺牲层、第一介质层和第一光刻胶层;以所述第一光刻胶层为掩膜,刻蚀所述第二牺牲层和所述第一介质层;其中,所述第一光刻胶层具有第一开口,所述第一开口的位置对应于相邻的所述第一掩膜条之间的间隙。7.根据权利要求6所述的图案化方法,其特征在于,所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料均包括氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹新满刘忠明张家云
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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