有源区阵列的形成方法技术

技术编号:30423246 阅读:19 留言:0更新日期:2021-10-24 16:51
本发明专利技术涉及一种有源区阵列的形成方法,包括:提供衬底,在衬底的表面形成第一硬掩膜层;采用复合蚀刻工艺图形化第一硬掩膜层,以在第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层,且有源区遮挡层的图形与待形成的有源区阵列的图形相匹配,其中,复合蚀刻工艺包括至少两道图形化工艺和至少一道图形转移工艺;去除剩余的第一硬掩膜层;通过有源区遮挡层在衬底中形成有源区阵列。本发明专利技术通过将分步形成于不同层中的部分有源区遮挡层合并转移至第一硬掩膜层中,从而有效避免了在同一层中同时形成密集图形时容易产生的各种缺陷问题,进而降低了有源区阵列的制备难度,提高了存储器的制备良率。提高了存储器的制备良率。提高了存储器的制备良率。

【技术实现步骤摘要】
有源区阵列的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域,特别是涉及一种有源区阵列的形成方法。

技术介绍

[0002]科学技术的不断发展使人们对半导体技术的要求越来越高,其中,半导体存储器是一种利用半导体电路进行存取的存储器,尤其是动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)以其快速的存储速度和高集成度被广泛应用于各个领域。
[0003]动态随机存储器包括多个重复的存储单元,随着动态随机存储器所应用的设备的体积持续不断地减小,对动态随机存储器的体积也提出了更高的要求,而制备设备的最小工艺尺寸大大限制了存储器的最小体积,例如,在制造小尺寸存储器的晶体管有源区时容易产生结构缺陷,从而导致高集成度的存储器的制备良率无法满足快速发展的制造需求。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要针对存储器的有源区制备良率不足的问题,提供一种有源区阵列的形成方法。
[0005]一种有源区阵列的形成方法,包括:
[0006]提供衬底,在所述衬底的表面形成第一硬掩膜层;
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源区阵列的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底的表面形成第一硬掩膜层;采用复合蚀刻工艺图形化所述第一硬掩膜层,以在所述第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层,且所述有源区遮挡层的图形与待形成的有源区阵列的图形相匹配,其中,所述复合蚀刻工艺包括至少两道图形化工艺和至少一道图形转移工艺;去除剩余的所述第一硬掩膜层;通过所述有源区遮挡层在所述衬底中形成所述有源区阵列。2.根据权利要求1所述的有源区阵列的形成方法,其特征在于,所述采用复合蚀刻工艺图形化所述第一硬掩膜层,以在所述第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层,包括:采用第一工艺图形化所述第一硬掩膜层,以形成第一遮挡层;在所述第一硬掩膜层的表面形成第二硬掩膜层,采用第二工艺图形化所述第二硬掩膜层,以形成第二遮挡层;转移所述第二遮挡层的图形至所述第一硬掩膜层中,以与所述第一遮挡层共同构成所述有源区遮挡层;其中,所述第一遮挡层和所述第二遮挡层在所述衬底上的投影不重叠。3.根据权利要求2所述的有源区阵列的形成方法,其特征在于,所述采用第一工艺图形化所述第一硬掩膜层,以形成第一遮挡层,包括:图形化所述第一硬掩膜层,以形成第一沟槽阵列,所述第一沟槽阵列包括沿第一方向延伸的多条第一沟槽;其中,每条所述第一沟槽中均设有多个第一阵列区和多个第一间隔区,且沿所述第一方向相邻设置的两个所述第一阵列区之间均设有一个所述第一间隔区;在所述第一阵列区填充第一材料以形成第一遮挡层,在所述第一间隔区填充第二材料以形成第一间隔层。4.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法,其特征在于,所述在所述第一阵列区填充第一材料以形成第一遮挡层,在所述第一间隔区填充第二材料以形成第一间隔层,包括:在所述第一沟槽阵列中填充第一材料以形成第一初始遮挡层;蚀刻设定区域的所述第一初始遮挡层至所述衬底的表面以形成第一填充沟槽,剩余的所述第一初始遮挡层作为所述第一遮挡层;在所述第一填充沟槽中填充第二材料以形成所述第一间隔层。5.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法,其特征在于,所述图形化所述第一硬掩膜层,以形成第一沟槽阵列,包括:在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘志拯
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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