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本发明涉及一种有源区阵列的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面形成第一硬掩膜层；采用复合蚀刻工艺图形化第一硬掩膜层，以在第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层，且有源区遮挡层的图形与待形成的有源区阵列的图形相匹配，其中，复合蚀刻工艺包括至少两道图...
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