一种高抗性的贴片式二极管制造技术

本发明专利技术系提供一种高抗性的贴片式二极管，绝缘封装体内设有二极管晶片、第一金属导电片、第二金属导电片、第一防腐导电片和第二防腐导电片；第一金属导电片包括第一上平板和第一接插板，第一上平板的底面设有第一网格结构层，第一网格结构层与二极管晶片的顶部电极超声波焊接相连，第一接插板的底部位于第一限位槽中；第二金属导电片包括第二上平板和第二接插板，第二上平板的顶面设有第二网格结构层，第二网格结构层与二极管晶片的顶部电极超声波焊接相连，第二接插板的底部位于第二限位槽中。本发明专利技术形成有致密的导电连接结构，可有效降低工作时的阻抗，在受到震动、碰撞等影响时能够保持稳定的结构，整体结构的各项抗性优良。良。良。

【技术实现步骤摘要】
一种高抗性的贴片式二极管


[0001]本专利技术涉及二极管，具体公开了一种高抗性的贴片式二极管。

技术介绍

[0002]二极管是一种具有单向传导电流功能的电子前进，贴片式二极管是采用二极管晶片配合两个导电引脚封装而成的可实现贴片式焊接安装的半导体器件，二极管晶片一般是由p型半导体和n型半导体烧结形成的p
‑
n结界面。
[0003]随着电子信息科技的不断进步，电子产品应用于人们工作生活中的不同角落，对其所需要具备的性能要求也越来越高，现有技术中，由于内部焊接结构存在不稳定的情况，贴片式二极管的工作性能容易受到影响，此外，外界的腐蚀性物质会腐蚀贴片式二极管的导电引脚，影响贴片式二极管的导电性能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种高抗性的贴片式二极管，内部形成有致密的导电连接结构，工作性能好，整体结构的各项抗性优良。
[0005]为解决现有技术问题，本专利技术公开一种高抗性的贴片式二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有二极管晶片、第一金属导电片和第二金属导电片，第一金属导电片和第二金属导电片分别连接有第一防腐导电片和第二防腐导电片，第一防腐导电片和第二防腐导电片的底部凸出于绝缘封装体的底面，第一防腐导电片和第二防腐导电片分别凸出于绝缘封装体的相对两侧面；第一金属导电片包括第一上平板和第一接插板，第一上平板的底面设有第一网格结构层，第一网格结构层与二极管晶片的顶部电极之间超声波焊接相连，第一接插板与二极管晶片之间形成有间隔，第一接插板的底部固定有若干高为h的第一加固柱，第一防腐导电片上设有深度为H的第一限位槽，第一加固柱和第一接插板的底部均位于第一限位槽中，第一限位槽中还设有第一焊料填充层；第二金属导电片包括第二上平板和第二接插板，第二上平板的顶面设有第二网格结构层，第二网格结构层与二极管晶片的顶部电极之间超声波焊接相连，第二接插板与二极管晶片之间形成有间隔，第二接插板的底部固定有若干高为h的第二加固柱，第二防腐导电片上设有深度为H的第二限位槽，第二加固柱和第二接插板的底部均位于第二限位槽中，第二限位槽中还设有第二焊料填充层。
[0006]进一步的，绝缘封装体的底部设有防偏让位槽，防偏让位槽位于第一防腐导电片和第二防腐导电片之间。
[0007]进一步的，第一网格结构层为凹陷于第一上平板下表面内的网状槽结构，第二网格结构层为凹陷于第二上平板上表面内的网状槽结构。
[0008]进一步的，第一网格结构层和第二网格结构层均为超导金属网格层。
[0009]进一步的，第一防腐导电片和第二防腐导电片均为石墨层。
[0010]进一步的，第一焊料填充层和第二焊料填充层均为导电银胶层。
[0011]进一步的，第一防腐导电片的一侧固定有位于绝缘封装体内部的第一定位块，第二防腐导电片的一侧固定有位于绝缘封装体内部的第二定位块。
[0012]进一步的，第一防腐导电片的底部设有第一安装加固槽，第二防腐导电片的底部设有第二安装加固槽。
[0013]本专利技术的有益效果为：本专利技术公开一种高抗性的贴片式二极管，在二极管晶片与导电金属片之间形成有网格结构层，并通过超声波焊接相连，从而形成有致密的导电连接结构，可有效降低工作时的阻抗，优化工作电压曲线，工作性能好，且二极管晶片与导电金属片之间的连接结构机械强度足够大，在受到震动、碰撞等影响时能够保持稳定的结构，金属导电片与防腐导电片之间通过焊料填充层连接，能够有效吸收封装过程中产生的应力，加固柱能够进一步提高金属导电片与防腐导电片之间连接结构的牢固性，整片具备防腐蚀性能的防腐导电片作为暴露于绝缘封装体外的焊接安装结构，能够保证贴片式二极管的工作性能以及使用寿命，整体结构的各项抗性优良。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的俯视结构示意图。
[0015]图2为本专利技术沿图1中A
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A
’
的剖面结构示意图。
[0016]图3为本专利技术中隐藏绝缘封装体后的分解结构示意图。
[0017]附图标记：绝缘封装体10、防偏让位槽11、二极管晶片20、第一金属导电片30、第一上平板31、第一网格结构层311、第一接插板32、第一加固柱321、第二金属导电片40、第二上平板41、第二网格结构层411、第二接插板42、第二加固柱421、第一防腐导电片50、第一限位槽51、第一焊料填充层52、第一定位块53、第一安装加固槽54、第二防腐导电片60、第二限位槽61、第二焊料填充层62、第二定位块63、第二安装加固槽64。
具体实施方式
[0018]为能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0019]参考图1至图3。
[0020]本专利技术实施例公开一种高抗性的贴片式二极管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内包裹设有二极管晶片20、第一金属导电片30和第二金属导电片40，第一金属导电片30和第二金属导电片40分别位于二极管晶片20的上下两侧，第一金属导电片30和第二金属导电片40可以均为常见的导电合金片，第一金属导电片30和第二金属导电片40分别连接有第一防腐导电片50和第二防腐导电片60，第一防腐导电片50的底部和第二防腐导电片60的底部均凸出于绝缘封装体10的底面，第一防腐导电片50和第二防腐导电片60分别凸出于绝缘封装体10的相对两侧面；第一金属导电片30包括一体成型的第一上平板31和第一接插板32，第一上平板31的底面设有第一网格结构层311，第一网格结构层311与二极管晶片20的顶部电极之间通过超声波焊接相连，第一接插板32与二极管晶片20之间形成有间隔，优选地，第一接插板32从上至下远离二极管晶片20倾斜，第一接插板32的底部固定有若干高为h的第一加固柱321，
第一防腐导电片50上设有深度为H的第一限位槽51，所有的第一加固柱321和第一接插板32的底部均位于第一限位槽51中，第一限位槽51中还设有第一焊料填充层52，即第一焊料填充层52连接第一限位槽51的内壁第一加固柱321和第一接插板32的底部；第二金属导电片40包括一体成型的第二上平板41和第二接插板42，第二上平板41的顶面设有第二网格结构层411，第二网格结构层411与二极管晶片20的顶部电极之间通过超声波焊接相连，第二接插板42与二极管晶片20之间形成有间隔，优选地，第二接插板42从上至下远离二极管晶片20倾斜，第二接插板42的底部固定有若干高为h的第二加固柱421，第二防腐导电片60上设有深度为H的第二限位槽61，所有的第二加固柱421和第二接插板42的底部均位于第二限位槽61中，第二限位槽61中还设有第二焊料填充层62，即第二焊料填充层62连接第二限位槽61的内壁第二加固柱421和第二接插板42的底部。
[0021]本专利技术通过在金属导电片的表面设置网格结构层，并通过超声波焊接的方式令网格结构层与芯片之间发生连接，能够形成紧密连接的效果，可有效提高该导电连接结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高抗性的贴片式二极管，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有二极管晶片(20)、第一金属导电片(30)和第二金属导电片(40)，所述第一金属导电片(30)和第二金属导电片(40)分别连接有第一防腐导电片(50)和第二防腐导电片(60)，所述第一防腐导电片(50)和所述第二防腐导电片(60)的底部凸出于所述绝缘封装体(10)的底面，所述第一防腐导电片(50)和所述第二防腐导电片(60)分别凸出于所述绝缘封装体(10)的相对两侧面；所述第一金属导电片(30)包括第一上平板(31)和第一接插板(32)，所述第一上平板(31)的底面设有第一网格结构层(311)，所述第一网格结构层(311)与所述二极管晶片(20)的顶部电极之间超声波焊接相连，所述第一接插板(32)与所述二极管晶片(20)之间形成有间隔，所述第一接插板(32)的底部固定有若干高为h的第一加固柱(321)，所述第一防腐导电片(50)上设有深度为H的第一限位槽(51)，所述第一加固柱(321)和所述第一接插板(32)的底部均位于所述第一限位槽(51)中，所述第一限位槽(51)中还设有第一焊料填充层(52)；所述第二金属导电片(40)包括第二上平板(41)和第二接插板(42)，所述第二上平板(41)的顶面设有第二网格结构层(411)，所述第二网格结构层(411)与所述二极管晶片(20)的顶部电极之间超声波焊接相连，所述第二接插板(42)与所述二极管晶片(20)之间形成有间隔，所述第二接插板(42)的底部固定有若干高为h的第二加固柱(421)，所述第二防腐导电片(60)上设有深度为H的第二限位槽(6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国财，
申请(专利权)人：河源创基电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：