高密度硬盘磁头制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型高密度硬盘磁头，其特征在于：基片（１）上镀有绝缘层（２），绝缘层上镀有读头基底层（５）和永磁体基底层（９），读头基底层上镀有自由层（６），自由层上镀有分隔层（７），分隔层上镀有自由层（８），自由层上镀有读头保护层（１１），永磁体基底层上镀有永磁体层（１０），永磁体层的磁场方向使两自由层的磁矩处于平行状态，永磁体层和读头保护层上镀有绝缘层（１３），绝缘层上镀有第二辅助磁芯层（１４），第二辅助磁芯层上镀有绝缘层（１５），绝缘层上镀有主写磁芯层（１６），主写磁芯层上镀有反铁磁层（１７），反铁磁层上镀有铁磁层（１８），铁磁层上镀有第一辅助磁芯层（２０）。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型高密度硬盘磁头由基片（１），绝缘层（２），自由层（６、８），分隔层（７），永磁体层（１０），读头保护层（１１），第一辅助磁芯层（２０），第二辅助磁芯层（１４），主写磁芯层（１６）等组成，其特征在于：基片（１）上镀有绝缘层（２），绝缘层上镀有读头基底层（５）和永磁体基底层（９），读头基底层上镀有自由层（６），自由层（６）上镀有分隔层（７），分隔层（７）上镀有自由层（８），自由层（８）上镀有读头保护层（１１），每层自由层也可以由多层构成，永磁体基底层上镀有永磁体层（１０），永磁体层的磁场方向使两自由层的磁矩在静态时处于相互平行状态，永磁体层和读头保护层上镀有绝缘层（１３），绝缘层上镀有第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯春洪，
申请(专利权)人：侯春洪，
类型：实用新型
国别省市：51[中国|四川]