【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及读磁头。
技术介绍
读磁头用于硬盘驱动器中,以感应来自读磁头下面的磁盘旋转,从而读取磁盘上的数据。为了控制磁头的传感器层的稳定性和磁矩方向,通过硬偏磁层提供一个偏磁场,这些硬偏磁层在传感器层两个侧边的位置挨着该传感器层。这里所理解的,所谓的“极近连接”(UCJ)的布置可用于实现该硬偏磁层的中心与自由传感器层的中心之间的共线关系,从而消除可能导致磁不稳定性的几何结构。消除这些不稳定性可以促进读磁头读取更高密度的数据记录,从而允许磁盘驱动器比用其他方式能存储更多的数据。通过将晶种层置于硬偏磁层下面,来实现上面提到的共线关系,从而与相邻的自由传感器层相比,将硬偏磁层提高到想要的高度。但是,正如所公认的那样,晶种层的出现可能不合需要地增加硬偏磁堆的电阻率。为了不出现这种情况,可以在传导层上培植一个晶种层如金(Au),但这反过来可能又会不合需要地减小堆的磁矫顽力,从而使第一种情况中硬偏磁堆的用途无效。我们相信矫顽力的减小归因于硬偏磁层中结晶方向的损失,这又是由于当在金或其它体心立方(bcc)金属上培植晶种层而形成结晶方向时,在晶种层中缺乏想要的晶体方向所致。认识到了这些因素,就提供了以下的本专利技术。
技术实现思路
读磁头的硬偏磁结构,包括一个由如CrxMo1-x构成的晶种层、一个由如金构成的传导层以及一个由如CoyPt1-y构成的硬偏磁层。在优选实施方案中,x可以在0.1(含)到0.3(含)之间,y可以在0.25(含)到0.90(含)之间。晶种层置于硬偏磁层与传导层之间。至少一个过渡层位于传导层与晶种层之间。与没有过渡层但结构基本相同的结构相比, ...
【技术保护点】
一种用于读磁头的硬偏磁结构,包括:至少一个晶种层,该晶种层包括Cr↓[x]Mo↓[1-x];至少一个传导层;至少一个硬偏磁层,该硬偏磁层包括Co↓[y]Pt↓[1-y],晶种层置于硬偏磁层和传导层之间;以及传 导层和晶种层之间的至少一个过渡层。
【技术特征摘要】
US 2003-4-1 10/404,6651.一种用于读磁头的硬偏磁结构,包括至少一个晶种层,该晶种层包括CrxMo1-x;至少一个传导层;至少一个硬偏磁层,该硬偏磁层包括CoyPt1-y,晶种层置于硬偏磁层和传导层之间;以及传导层和晶种层之间的至少一个过渡层。2.权利要求1的硬偏磁结构,其中,与没有过渡层但结构基本相同的结构相比,过渡层减小了该结构的电阻,增加了其磁矫顽力。3.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中x在0.1(含)和0.3(含)之间。4.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中y在0.25(含)和0.90(含)之间。5.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中x在约0.1(含)和约0.3(含)之间。6.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中y在约0.25(含)和约0.90(含)之间。7.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中传导层由Au、Rh、W、Cu中的至少一种构成。8.根据权利要求1的硬偏磁结构,其中过渡层由Ta、CoPt、Co中的至少一种构成。9.根据权利要求1的硬偏磁结构,包括晶种层和传导层之间的第一和第二过渡层,第一过渡层由Ta构成,第二过渡层由CoPt或Co构成。10.根据权利要求9的硬偏磁结构,其中第一过渡层位于第二过渡层和晶种层之间。11.根据权利要求9的硬偏磁结构,其中第二过渡层由25%到约100%的Co构成。12.根据权利要求1的硬偏磁结构,还包括至少一个底层,该底层被配置得使传导层位于底层和过渡层之间。13.根据权利要求12的硬偏磁结构,还包括第一和第二底层,至少第一底层由CoPt或Co构成,第二底层由Ta构成。14.根据权利要求9的硬偏磁结构,其中第一过渡层限定不超过3毫微米(3nm)的厚度。15.根据权利要求9的硬偏磁结构,其中第二过渡层限定足以使第二过渡层具有超顺磁性的厚度。16.根据权利要求1的硬偏磁结构,与至少一个读磁头自由传感器结构相结合。17.一种制造用于读磁头的硬偏磁结构的方法,包括提供至少一个晶种层;提供至少一个硬偏磁层;在晶种层和硬偏磁层下面提供至少一个埋藏导体;以及在导体与晶种层之间提供至少一个过渡层。18.根据权利要求17的方法,其中过渡层促进了晶种层形成想要的生长方向。19.根据权利要求18的方法,其中与没有过渡层但结构基本相同的结构相比,过渡层减小了该结构的电阻,增加了其磁矫顽力。20.根据权利要求17的方法,其中晶种层包括至少一个体心立方(bcc)(200)定向金属,它的C轴晶格失配范围为0%(含)到3%(含)。21.根据权利要求20的方法,其中晶种层由CrxMo1-x、Cr、CrxTi1-x、CrxMn1-x和CrxV1-x中的至少一种构成。22.根据权利要求17的方法,其中硬偏磁层包括CoyPt1-y,其中y在0.25(含)和0.90(含)之间。23.根据权利要求17的方法,其中埋藏导体由Au、Rh、W、Cu中的至少一种构成。24.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:欧内斯托E马里内罗,
申请(专利权)人:日立环球储存科技荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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