【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储信息的材料，更具体地说是涉及一种磁光盘存储合金材料及其制作方法，这种材料的特点是以锰铋合金为基，掺入铝和硅(或硼)原子。使用本专利技术的磁光盘存储合金材料，可以克服目前通常使用的各种磁光膜所存在的一些缺陷，以满足信息存储和声、像技术对磁光盘的需要。目前，随着计算机信息存储技术的发展，需要这样一种材料，它可以存储大量的信息，可以用激光器在其上反复写入和擦除信息而其存储信息的功能不变。同时材料具有下述特点信噪比大，不受温度变化的影响，而且工艺简单易行。当前，磁光盘已得到广泛应用，通常可用来制作磁光盘的材料有以下几种(1)非晶态铽铁钴(TbFeCo)或钆铽铁钴(GdTbFeCo)材料，这类材料的优点是非晶态，即原子排列是无序的，其中没有晶粒，也没有晶粒边界产生的噪声。但是用这种材料制作的磁光盘，其信噪比小，因为信噪比(S/N)正比于材料的磁光克尔转角θK，TbFeCo或GdTbFeCo的磁光克尔转角θK一般为0.35°-0.40°左右;此外，由于这种材料是非晶态的，受热后容易老化，存在对温度的不稳定性;同时，由于这是一种稀土元素材料，非常容易...
【技术保护点】
一种磁光盘存储合金材料，其中包括锰铋（ＭｎＢｉ）合金其特征在于：上述材料还包括铝（Ａｌ）、硅（Ｓｉ）原子，并以锰（Ｍｎ）铋（Ｂｉ）为基，掺入铝（Ａｌ）、硅（Ｓｉ）原子；其中的锰（Ｍｎ）、铋（Ｂｉ）、铝（Ａｌ）、二氧化硅（ＳｉＯ↓［２］）是在一个基片上真空淀积形成的一个多层薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种磁光盘存储合金材料，其中包括锰铋(MnBi)合金其特征在于上述材料还包括铝(Al)、硅(Si)原子，并以锰(Mn)铋(Bi)为基，掺入铝(Al)、硅(Si)原子；其中的锰(Mn)、铋(Bi)、铝(Al)、二氧化硅(SiO2)是在一个基片上真空淀积形成的一个多层薄膜。2.根据权利要求1所述的一种磁光盘存储合金材料，薄膜中的锰(Mn)、铋(Bi)、铝(Al)、硅(Si)是以下列原子比形成的，若薄膜的分子式为MnlBix·Aly·Siz，则x≈0.77-1.0，y≈0.2-0.5，z≈0.5-2。3.根据权利要求1所述的一种磁光盘存储合金材料，其中Mn、Bi、Al、SiO2在透明基片上的排列次序为基片/SiO2/Mn/Bi/Al，或基片/SiO2/Bi/Mn/Al。4.根据权利要求1所述的一种磁光盘存储合金材料，其中Mn、Bi、Al、SiO2在基片上的排列次序为基片/Al/Mn/Bi/SiO2，或基片/Al/Bi/Mn/SiO2。5.根据权利要求3或4所述的一种磁光盘存储合金材料，其中MnBi(或BiMn)层的重叠次数可从1-100层以上。6.根据权利要求1所述的一种磁光盘存储合金材料，其中使用的透明基片是玻璃基片。7.根据权利要求1所述的一种磁光盘存储合金材料，其中使用的透明基片是塑料基片，例如是聚甲基丙烯酸甲酯。8.一种制备磁光盘存储合金材料的方法，包括的步骤为(1)准备一个透明基片;其特征在于(2)将Mn、Bi、Al、SiO2分别蒸发到上述基片上，形成一个多层薄膜;(3)将上述薄膜在真空室内温度为300-380℃下退火3-5小时，再冷却到室温。9.根据权利要求8所述的一种制备磁光盘存储合金材料的方法，其中Mn、Bi、Al、SiO2在基片上的蒸发次序为(1)蒸发一层SiO2;(2)蒸发一层Mn(或Bi...
【专利技术属性】
技术研发人员：王荫君，沈建祥，唐谦，李肇辉，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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