覆晶基板及其封装结构制造技术

本申请揭示了一种覆晶基板及其封装结构，所述覆晶基板具有一表面，所述表面上形成有复数组凹槽单元，每一组凹槽单元包含复数个凹槽，并且每一组凹槽单元的所述凹槽共同在所述表面上围成一预定区，所述预定区包含一连接区，所述预定区的面积大于所述连接区的面积，且所述凹槽环设于所述预定区的外周围；当将芯片覆晶于基板上时，使芯片上的每一个焊球对应至每一组凹槽单元的所述凹槽的共同中心或所述连接区的中心，使得在进行清洗制程时让水更容易排除焊球周围的助焊剂，并且可以平衡填充在芯片下方的填充材料的流动性，减少空洞形成，确保产品可靠性。确保产品可靠性。确保产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】
覆晶基板及其封装结构


[0001]本申请属于覆晶封装的
，特别在于改善芯片底部的填充材料的流动性以减少产生空洞，并且使助焊剂得以在进行清洗制程时更容易被排除。

技术介绍

[0002]芯片的覆晶封装制程中，在将芯片倒装至基板时需要进行底部填充制程(underfill)，即利用毛细作用在芯片下方填入填充材料(一般为环氧基液体材料)，但设置在芯片下方的复数个焊球(bump球)之间的不同间距排列会造成填充材料的流速不均匀而导致填充不完全的现象。此外，当焊球的尺寸小于50μm时，在芯片上片之后会使助焊剂残留在焊球周围，无法全面被清洗掉。
[0003]台湾专利I229928号揭露一种半导体封装结构，如图1所示，包括：半导体元件A、基板B、数个焊料凸块C、底胶D、缓冲部及焊球E。基板B设置于半导体元件A下方；半导体元件A的第一表面与基板的上表面之间形成接合区；数个焊料凸块C配置于接合区，用以电性连接半导体元件A与基板B；底胶D充填于接合区且包覆焊锡凸块C，用以将半导体元件A和基板B紧密结合；缓冲部E设置于接合区，用以缓冲并控制底胶D的充填；数个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆晶基板，具有一表面，其特征在于：所述表面上形成有复数组凹槽单元，每一组所述凹槽单元包含复数个凹槽，并且每一组所述凹槽单元的所述凹槽共同在所述表面上围成一预定区，所述预定区包含一连接区，所述预定区的面积大于所述连接区的面积，且所述凹槽环设于所述预定区的外周围。2.根据权利要求1所述的覆晶基板，其特征在于，所述凹槽与所述连接区之间具有一间距。3.根据权利要求1所述的覆晶基板，其特征在于，所述连接区用于与一芯片的复数焊球连接。4.根据权利要求1所述的覆晶基板，其特征在于，每一组所述凹槽单元包含有四个所述凹槽，四个所述凹槽围绕所述凹槽单元的中心配置。5.根据权利要求4所述的覆晶基板，其特征在于，四个所述凹槽沿着圆周以等角度配置。6.根据权利要求3所述的覆晶基板，其特征在于，所述凹槽的直径小于所述焊球的间距的二分之一。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵婉雪，
申请(专利权)人：苏州震坤科技有限公司，
类型：新型
国别省市：