布线基板、电子装置以及电子模块制造方法及图纸

提供一种能够抑制Ni膜的剥离的布线基板。还提供一种具备了这样的布线基板的电子装置以及电子模块。具备：包含AlN的绝缘基板，具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面；包含Cu的导体，位于第1面上；以及Ni膜，遍及导体的上表面、侧面以及第1面而设置。还具有散布在第1面上的多个Ti氧化物，Ni膜具有与Ti氧化物接触的部分。的部分。的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】布线基板、电子装置以及电子模块


[0001]本公开涉及布线基板、电子装置以及电子模块。

技术介绍

[0002]以往，已知有在Si基板上隔着绝缘膜以及钛系的金属膜设置有Al系的布线导体的布线基板(例如，参照日本特开平5
‑
182926号公报)。

技术实现思路

[0003]用于解决课题的手段
[0004]本公开涉及的布线基板具备：
[0005]包含AlN的绝缘基板，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；
[0006]包含Cu的导体，位于所述第1面上；以及
[0007]Ni膜，遍及所述导体的上表面、侧面以及所述第1面而设置，
[0008]还具有散布在所述第1面上的多个Ti氧化物，
[0009]所述Ni膜具有与所述Ti氧化物接触的部分。
[0010]本公开涉及的电子装置具备：
[0011]上述的布线基板；以及
[0012]电子部件，搭载在所述布线基板。
[0013]本公开涉及的电子模块具备：
[0014]上述的电子装置；以及
[0015]模块用基板，搭载有所述电子装置。
附图说明
[0016]图1A是示出实施方式的布线基板的一部分的纵剖视图。
[0017]图1B是示出实施方式的布线基板的一部分的俯视图。
[0018]图1C是从实施方式的布线基板去除了Ni膜的俯视图。
[0019]图2是示出实施方式的布线基板的整体的俯视图。
[0020]图3A是示出布线导体与绝缘基板之间的中间层中的构成元素的浓度分布的图。
[0021]图3B是示出Ni膜下的中间层中的构成元素的浓度分布的图。
[0022]图4A是示出实施方式的布线基板中的布线导体的一个下端部的电子显微镜图像的图。
[0023]图4B是示出实施方式的布线基板中的布线导体的一个下端部的电子显微镜图像的图。
[0024]图4C是示出实施方式的布线基板中的布线导体的一个下端部的电子显微镜图像的图。
[0025]图5是示出实施方式的布线基板的制造方法的一个例子的说明图。
[0026]图6是示出本公开的实施方式涉及的电子装置以及电子模块的剖视图。
具体实施方式
[0027]以下，参照附图对本公开的各实施方式进行详细说明。
[0028]图1A至图1C是示出实施方式的布线基板的一部分的图，图1A是纵剖视图，图1B是俯视图，图1C是去除了Ni(镍)膜的俯视图。图2是示出实施方式的布线基板的整体的俯视图。在本说明书中，将绝缘基板10中从第2面12朝向第1面11的方向作为上方进行说明。但是，在本说明书中说明的各方向也可以与安装或使用布线基板1时的方向不同。
[0029]本实施方式的布线基板1例如是为了将电子部件安装在模块基板或封装件而介于电子部件与安装目的地之间的底座。布线基板1具备：包含AlN(氮化铝)的陶瓷材料的绝缘基板10、形成在绝缘基板10上的布线导体20、覆盖布线导体20的上表面以及侧面的Ni膜30。布线导体20相当于本公开涉及的导体的一个例子。
[0030]绝缘基板10是包含AlN作为构成元素的陶瓷材料。绝缘基板10具有第1面(第1主面)11和其相反侧的第2面(第2主面)12，在第1面11侧形成布线导体20。另外，在绝缘基板10，也可以在第1面11侧和第2面12侧的双方形成布线导体20。在将第2面12的布线导体20视为本公开涉及的导体的情况下，第2面12相当于本公开涉及的第1面，第1面11相当于本公开涉及的第2面。
[0031]如图1A～图1C所示，在绝缘基板10的第1面11上散布有多个Ti氧化物13。即，Ti氧化物13在第1面11的面方向上分散存在。Ti氧化物13例如可以是TiO2(氧化钛)。Ti氧化物13也可以位于后述的第1面11的凹部11D。
[0032]绝缘基板10在第1面11具有多个微细的凹部11D。凹部11D例如也可以是开口部的最大宽度为1μm～20μm。在第1面11，也可以以面积比10％～60％的比例具有多个凹部11D。凹部11D形成在第1面11的整体，但是也可以仅形成在与Ni膜30接触的部位。以下，将凹部11D作为在第1面11上散布有Ti氧化物13的部位而进行说明。
[0033]在多个凹部11D中包含复合凹部11DW(参照图1C)，该复合凹部11DW在将各个凹部11D的平面形状看作粒状时，具有两个以上的凹部重叠的形状。
[0034]布线导体20是以Cu为(铜)主成分的导体，在绝缘基板10上隔着Ti氧化物13的层而形成。通过后述的烧结(sinter)工序，Ti氧化物13聚集在凹部11D内，绝缘基板10与布线导体20的界面也可以包含残留有Ti氧化物13的层的部分和Ti氧化物13的层消失的部分。在布线导体20下的凹部11D聚集有Ti氧化物13的部分，形成有Ti氧化物13以外的原子相互扩散的中间层16a(图1A)。进而，在Ni膜30相接的凹部11D内，也可以保留同样的中间层16b(图1A)。
[0035]Ni膜30是以Ni为主成分的膜，从布线导体20的上表面21经由侧面22覆盖到绝缘基板10的第1面11的一部分。Ni膜30在靠近绝缘基板10的第1面11的下摆部具有向与布线导体20相反的一侧突出的突出部31。进而，从与绝缘基板10的第1面11垂直的方向观察，突出部31的外缘具有多个峰h1～h4和多个谷c1～c3(图1B)。
[0036]Ni膜30在绝缘基板10的第1面11与多个凹部11D中的任一个经由Ti氧化物13接触。以下，将经由Ti氧化物13的Ni膜30与凹部11D的接触也简称为Ni膜30与凹部11D的接触。以下，将多个凹部11D中的与Ni膜30接触的凹部也标绘为接触凹部11Da。多个接触凹部11Da也
可以包含复合凹部11DW。
[0037]如图1C所示，多个接触凹部11Da沿着布线导体20的侧面22(具体地，侧面22的下边22e)排列。进而，如图2所示，与绝缘基板10接触的Ni膜30的突出部31遍及布线导体20的全周而存在，接触凹部11Da遍及全周而如图1C那样存在于突出部31的下方。因此，多个接触凹部11Da包围布线导体20的周围，存在于布线导体20的周围的至少四方。在多个接触凹部11Da中，存在一部分未被Ni膜30覆盖而露出的接触凹部和未露出而全部被Ni膜30覆盖的接触凹部。接触凹部11Da的全部被Ni膜30覆盖这样的情况意味着突出部31突出到超过了该接触凹部11Da的位置。
[0038]布线基板1也可以在垂直于第1面11和布线导体20的侧面22的任意一个剖面中，包含在Ni膜30下存在两个以上的接触凹部11Da的部位。通过具有Ni膜30的突出部31，Ni膜30与绝缘基板10的接触面积增加，能够与更多的凹部11D接触。
[0039]图3A是示出布线导体与绝缘基板之间的中间层中的构成元素的浓度分布的图。图3B是示出Ni膜下的中间层中的构成元素的浓度分布的图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种布线基板，具备：包含AlN的绝缘基板，具有第1面以及与所述第1面相反的一侧的第2面；包含Cu的导体，位于所述第1面上；以及Ni膜，遍及所述导体的上表面、侧面以及所述第1面而设置，所述布线基板还具有散布在所述第1面上的多个Ti氧化物，所述Ni膜具有与所述Ti氧化物接触的部分。2.根据权利要求1所述的布线基板，其中，所述Ni膜具有沿着所述第1面而向与所述导体相反的一侧突出的突出部，所述突出部与所述第1面接触。3.根据权利要求2所述的布线基板，其中，所述突出部超过与所述Ni膜接触的至少一个所述Ti氧化物而突出。4.根据权利要求2或3所述的布线基板，其中，从与所述第1面垂直的方向观察，所述突出部的突出侧的外缘具有多个峰和多个谷。5.根据权利要求1至4中任一项所述的布线基板，其中，与所述Ni膜接触的多个所述Ti氧化物沿着所述导体的侧面排列。6.根据权利要求1至5中任一项所述的布线基板，其中，与所述Ni膜接触的多个所述Ti氧化物包围所述导体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹岛祐城，细井义博，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：