半导体装置制造方法及图纸

IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)的第1主面，具有比p型阳极层(19)浓度高、比沟槽栅极(6)深度深的p型阱层(21)。沟槽栅极(6)的末端设置于阱区域(4)，被p型阱层(21)包围。二极管(3)设置于比IGBT(2)更靠半导体衬底(1)的外侧处。阱区域(4)设置于比二极管(3)更靠半导体衬底(1)的外侧处。底(1)的外侧处。底(1)的外侧处。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及在相同半导体衬底设置有IGBT和二极管的半导体装置。

技术介绍

[0002]作为电力用半导体元件的功率器件在家电产品、电动汽车以及铁路这样的领域乃至作为可再生能源而备受瞩目的太阳能发电或者风力发电的领域被广泛地使用。大多由功率器件构建逆变器电路，对感应电动机等电感性负载进行驱动。在这种情况下，需要用于对通过电感性负载的反电动势产生的电流进行续流的续流二极管(以下记作二极管)，通常的逆变器电路具有多个绝缘栅型双极晶体管(以下记作IGBT)和多个二极管。但是，强烈期望逆变器装置的小型轻量化和低成本化，不希望搭载多个半导体装置。作为其解决方法之一，正在推进将IGBT和二极管一体化的反向导通型IGBT(以下记作RC
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IGBT)的开发。提出了为了减小RC
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IGBT的芯片面积，在IGBT的外侧配置有二极管的装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2018
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46187号公报

技术实现思路

[0004]但是，就以往的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有彼此相反侧的第1主面和第2主面；以及IGBT、二极管以及阱区域，它们设置于所述半导体衬底，所述IGBT具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的沟槽栅极，所述二极管具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的p型阳极层，所述阱区域设置于所述半导体衬底的所述第1主面，具有比所述p型阳极层浓度高、比所述沟槽栅极深度深的p型阱层，所述沟槽栅极的末端设置于所述阱区域，被所述p型阱层包围，所述二极管设置于比所述IGBT更靠所述半导体衬底的外侧处，所述阱区域设置于比所述二极管更靠所述半导体衬底的外侧处。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管与所述阱区域接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村光太，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：